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마스크 없이 반응성 이온 식각만으로 쉽게 나노 패턴을 형성하는 방법

  • 기술번호 : KST2015132680
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 1) 기판 상에 고분자 레지스트를 도포하는 단계, 2) 상기 고분자 레지스트가 도포된 기판에 산소 플라즈마 공정을 수행하여 다음 단계 3)에서 자가 마스크(self-mask) 형성 시 자가 마스크 물질의 부착 선택성을 부여할 수 있는 고분자 모패턴(polymeric mother pattern)을 만드는 단계, 및 3) 불소계 플라즈마 공정을 수행하여 고분자 모패턴에 자가 마스크(self-mask) 물질이 선택적으로 부착되도록 하고 반응성 이온 식각에 의하여 나노 패턴을 제조하는 단계를 포함하는 나노 패턴의 제조방법을 포함한다. 본 발명에 따른 나노 패턴을 형성하는 방법에 따라 포토마스크 및 현상의 단계가 필요 없이 간단한 공정만으로 기판 위에 나노 패턴을 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01) H01L 21/3213 (2006.01)
CPC H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01)
출원번호/일자 1020100101460 (2010.10.18)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1189056-0000 (2012.10.02)
공개번호/일자 10-2011-0098601 (2011.09.01) 문서열기
공고번호/일자 (20121010) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020100018138   |   2010.02.26
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.10.18)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이규백 대한민국 서울특별시 성북구
2 이원배 대한민국 경기도 남양주시
3 김정숙 대한민국 대구광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0671530-74
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0057080-10
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0258153-12
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.04.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0346535-36
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0346534-91
6 등록결정서
Decision to grant		 2012.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0568253-53
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
1) 기판 상에 고분자 레지스트를 도포하는 단계,2) 상기 고분자 레지스트가 도포된 기판에 산소 플라즈마 공정을 수행하여 다음 단계 3)에서 자가 마스크(self-mask) 형성 시 자가 마스크 물질의 부착 선택성을 부여할 수 있는 고분자 모패턴(polymeric mother pattern)을 만드는 단계, 및3) 불소계 플라즈마 공정을 수행하여 고분자 모패턴에 자가 마스크(self-mask) 물질이 선택적으로 부착되도록 하고 반응성 이온 식각에 의하여 나노 패턴을 제조하는 단계를 포함하는 나노 패턴의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 1) 단계의 기판은 실리콘 산화물 기판인 것을 특징으로 하는 나노 패턴의 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 1) 단계의 고분자 레지스트 형성 이전에 실리콘 산화물을 형성하기 위하여 기판 상에 실리콘 산화막을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 패턴의 제조방법
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 1) 단계의 기판은 석영, 유리, 및 실리콘 웨이퍼로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 패턴의 제조방법
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 1) 단계의 고분자 레지스트는 유기 고분자인 것을 특징으로 하는 나노 패턴의 제조방법
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 3) 단계의 불소계 플라즈마 공정은 CF4 플라즈마 공정, CHF3 플라즈마 공정, 및 SF6 플라즈마 공정으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 나노 패턴의 제조방법
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 3) 단계 이후 패턴 상에 남아 있는 고분자 레지스트 잔류물을 열처리 의해 제거하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 패턴의 제조방법
8 8
청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 하나의 항의 제조방법으로부터 제조된 것을 특징으로 하는 나노 패턴
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2011105870 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
2 WO2011105870 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 국제과학기술협력재단 한국과학재단 과학기술국제화사업 (3차년도)다중진단을 위한 나노바이오 센서 카트리지 개발(바텔연구소 유치활용사업)