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하부전극;상기 하부전극 위에 형성된 활성층; 및상기 활성층 위에 형성된 상부 전극을 포함하며,상기 활성층은 양전하를 띠는 물질층과 음전하를 띠는 물질층이 교대로 적층된 다층박막이며, 상기 물질층은 적어도 1 종 이상의 단백질을 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자
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제1항에 있어서, 상기 활성층은 2-100 개의 양전하를 띠는 물질층 및 2-100 개의 음전하를 띠는 물질층이 교대로 적층되어 다층박막을 구성하는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자
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제1항에 있어서, 상기 활성층은 레이어-바이-레이어(layer-by-layer) 자기조립법에 의해 적층되는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자
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제1항에 있어서, 상기 양전하를 띠는 물질층과 음전하를 띠는 물질층은 각각 독립적으로 (i) pH 조건에 따라 표면 전하가 달라지는 단백질 및 (ii) 정전하를 갖는 고분자로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자
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제4항에 있어서, 상기 단백질은 카탈라아제, 헤모글로빈 및 미오글로빈으로부터 1종 이상 선택되고, 상기 고분자는 폴리(알릴아민하이드로클로라이드), 폴리(스티렌설포네이트) 및 폴리(에틸렌이민)으로부터 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자
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하부전극;상기 하부전극 위에 형성된 활성층; 및상기 활성층 위에 형성된 상부 전극을 포함하며,상기 활성층은 2-100 개의 카탈라아제와 2-100 개의 폴리(알릴아민염소산)이 교대로 적층된 다층박막인 것을 특징으로 하는 스위칭 소자
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기판상에 다층박막을 적층시켜 스위칭 소자를 제조하는 방법에 있어서,(1) 제1 전하로 대전된 기판상에 상기 제1 전하와 반대되는 제2 전하의 대전물질을 적층시키는 단계;(2) 상기 제2 전하의 대전물질 상에 제1 전하의 대전물질을 적층시키는 단계; 및(3) 상기 제2 전하의 대전물질 및 제1 전하의 대전물질을 교대로 적층시키는 단계를 2회 내지 100회 반복하는 단계;를 포함하고, 상기 제1 및 제2 전하의 대전물질 중 적어도 하나는 1종 이상의 단백질을 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 제1 전하의 대전물질 및 제2 전하의 대전물질은 각각 독립적으로 (i) pH 조건에 따라 표면 전하가 달라지는 단백질 및 (ii) 정전하를 갖는 고분자로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 제1 전하의 대전물질 및 상기 제2 전하의 대전물질이 교대로 적층되어 이루어지는 상기 다층박막은 레이어-바이-레이어(layer-by-layer) 자기조립법에 의해 적층되는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자의 제조방법
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 스위칭 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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