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1
외부 클록 신호를 지연 고정하여 생성한 공통 클록 신호를 출력하는 제 1 내장 반도체 장치 및 상기 제 1 내장 반도체 장치로부터 전달된 공통 클록 신호를 입력받는 공통 클록 입력부와 상기 제 1 내장 반도체 장치로부터 상기 공통 클록 신호가 전달되는 동안의 지연량을 반영하여 외부에서 전달된 상기 외부 클록 신호로부터 내부 클록 신호를 생성하는 내부 클록 생성부를 포함하는 제 2 내장 반도체 장치를 포함하되, 제 2 내장 반도체 장치는 상기 제 1 내장 반도체 장치에서 출력되는 공통 클록 신호와 상기 내부 클록 신호의 위상 정합 여부에 따라 상기 내부 클록 생성부를 제어하는 정합 탐지부; 및온도 변화에 따라 상기 정합 탐지부를 제어하는 재정합 제어부를 포함하는 반도체 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 제 1 내장 반도체 장치는 상기 공통 클록 신호에 동기하여 자신의 데이터를 출력하는 데이터 출력부를 더 포함하는 반도체 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 제 2 내장 반도체 장치는 상기 내부 클록 신호에 동기하여 자신의 데이터를 출력하는 데이터 출력부를 더 포함하는 반도체 장치
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4
청구항 1에 있어서, 상기 내부 클록 생성부는외부 클록 신호를 지연하여 내부 클록 신호를 생성하는 지연부 및 상기 제 1 내장 반도체 장치에서 출력되는 공통 클록 신호와 상기 내부 클록 신호의 위상 정합 여부에 따라 상기 지연부를 제어하는 지연 제어부를 포함하는 반도체 장치
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5
청구항 4에 있어서, 상기 지연 제어부는상기 내부 클록 신호를 상기 지연량만큼 지연시키는 지연 복제부 및상기 공통 클록 입력부의 출력의 위상과 상기 지연 복제부의 출력의 위상을 비교하여 출력하는 위상 비교부를 포함하는 반도체 장치
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6
청구항 4에 있어서, 상기 정합 탐지부의 출력이 활성화되면 상기 지연부는 그 지연량을 고정하는 반도체 장치
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7
청구항 6에 있어서, 상기 정합 탐지부의 출력이 활성화되면 상기 지연 제어부는 비활성화되는 반도체 장치
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8
청구항 7에 있어서, 상기 재정합 제어부의 출력이 활성화되면 상기 정합 탐지부의 출력이 비활성화되는 반도체 장치
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9
청구항 1에 있어서, 상기 재정합 제어부는 온도 변화를 감지하여 출력하는 온도 변화 감지부 및 상기 온도 변화에 따라 다른 주기를 갖는 제어 신호를 출력하는 재정합 신호 생성부를 포함하는 반도체 장치
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10
청구항 9에 있어서, 상기 온도 변화 감지부는 일정 주기마다 온도를 샘플링하여 저장하는 제 1 저장부;이전에 샘플링된 온도를 저장하는 제 2 저장부; 및상기 제 1 저장부와 상기 제 2 저장부에 저장된 온도의 차이를 구하는 온도차 생성부를 포함하는 반도체 장치
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11
청구항 9에 있어서, 상기 재정합 신호 생성부는 상기 온도 변화 감지부의 출력에 따라 주기가 다른 다수의 신호 중 하나를 선택하여 출력하는 반도체 장치
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12
청구항 1에 있어서, 상기 공통 클록 신호는 상기 제 1 및 제 2 내장 반도체 장치를 관통하여 형성된 TSV를 통해 전달되는 반도체 장치
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13
청구항 1에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 내장 반도체 장치에 읽기 명령을 제공하고 상기 읽기 명령에 따라 상기 제 1 및 제 2 내장 반도체 장치로부터 출력되는 데이터를 수신하는 중앙 처리 장치를 더 포함하는 반도체 장치
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14
다수의 내장 반도체 장치를 포함하되, 상기 다수의 내장 반도체 장치 각각은공통 클록 신호를 외부로 출력하는 공통 클록 출력부;외부로부터 상기 공통 클록 신호를 입력받는 공통 클록 입력부;읽기 명령에 따라 상기 외부에 출력된 공통 클록 신호가 상기 공통 클록 입력부로 전달되어 오는 동안의 지연량을 선택적으로 반영하여 내부 클록 신호를 생성하는 내부 클록 생성부;상기 외부에 출력된 공통 클록 신호와 상기 내부 클록 신호의 위상 정합 여부에 따라 상기 내부 클록 생성부를 제어하는 정합 탐지부; 및온도 변화에 따라 상기 정합 탐지부를 제어하는 재정합 제어부를 포함하는 반도체 장치
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15
청구항 14에 있어서, 상기 다수의 내장 반도체 장치 각각은 상기 내부 클록에 동기하여 자신의 데이터를 출력하는 데이터 출력부를 더 포함하는 반도체 장치
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16
청구항 14에 있어서, 상기 공통 클록 출력부는 상기 다수의 내장 반도체 장치 중 데이터가 가장 먼저 출력되는 내장 반도체 장치에서만 활성화되고 나머지 내장 반도체 장치에서는 비활성화되는 반도체 장치
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17
청구항 16에 있어서, 상기 공통 클록 입력부는 상기 다수의 내장 반도체 장치 중 데이터가 가장 먼저 출력되는 내장 반도체 장치에서만 비활성화되고 나머지 내장 반도체 장치에서는 활성화되는 반도체 장치
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18
청구항 14에 있어서, 상기 내부 클록 생성부는외부 클록 신호를 지연하여 내부 클록 신호를 생성하는 지연부 및읽기 명령에 따라 상기 외부에 출력된 공통 클록 신호가 상기 공통 클록 입력부로 전달되어 오는 동안의 지연량의 반영 여부를 선택하여 상기 지연부를 제어하는 지연 제어부를 포함하는 반도체 장치
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19
청구항 18에 있어서, 상기 지연 제어부는상기 외부 클록 신호의 위상과 상기 내부 클록 신호의 위상을 비교하여 출력하는 제 1 위상 비교부;상기 내부 클록 신호를 상기 지연량만큼 지연시키는 제 2 지연 복제부 및상기 공통 클록 입력부의 출력의 위상과 상기 지연 복제부의 출력의 위상을 비교하여 출력하는 제 2 위상 비교부상기 읽기 명령에 따라 상기 제 1 위상 비교부 또는 상기 제 2 위상 비교부의 출력을 선택하여 상기 지연부에 제공하는 선택부를 포함하는 반도체 장치
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20
청구항 19에 있어서, 상기 선택부는 읽기 명령이 비활성화되면 상기 제 1 위상 비교부의 출력을 선택하고 읽기 명령이 활성화되면 상기 제 2 위상 비교부의 출력을 선택하는 반도체 장치
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21
청구항 18에 있어서, 상기 정합 탐지부의 출력이 활성화되면 상기 지연부는 그 지연량을 고정하는 반도체 장치
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22
청구항 21에 있어서, 상기 정합 탐지부의 출력이 활성화되면 상기 지연 제어부는 비활성화되는 반도체 장치
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청구항 21에 있어서, 상기 재정합 제어부의 출력이 활성화되면 상기 정합 탐지부의 출력이 비활성화 되는 반도체 장치
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24
청구항 14에 있어서, 상기 재정합 제어부는 온도 변화를 감지하여 출력하는 온도 변화 감지부 및 상기 온도 변화에 따라 다른 주기를 갖는 제어 신호를 출력하는 재정합 신호 생성부를 포함하는 반도체 장치
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청구항 24에 있어서, 상기 온도 변화 감지부는 일정 주기마다 온도를 샘플링하여 저장하는 제 1 저장부;이전에 샘플링된 온도를 저장하는 제 2 저장부; 및상기 제 1 저장부와 상기 제 2 저장부에 저장된 온도의 차이를 구하는 온도차 생성부를 포함하는 반도체 장치
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청구항 24에 있어서, 상기 재정합 신호 생성부는 상기 온도 변화 감지부의 출력에 따라 주기가 다른 다수의 신호 중 하나를 선택하여 출력하는 반도체 장치
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청구항 14에 있어서, 상기 공통 클록 신호는 상기 다수의 내장 반도체 장치를 관통하여 형성된 TSV를 통해 전달되는 반도체 장치
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청구항 14에 있어서, 상기 다수의 내장 반도체 장치에 읽기 명령을 제공하고 상기 읽기 명령에 따라 상기 다수의 내장 반도체 장치로부터 출력되는 데이터를 수신하는 중앙 처리 장치를 더 포함하는 반도체 장치
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