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전자 물질막 형성 장치

  • 기술번호 : KST2015133479
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전자 물질막 형성 장치에 관한 것으로, 특히 기판 또는 기능층이 상부에 형성된 기판상에 스퍼터링을 통하여 전자 물질막을 형성하는 과정에서, 전자 물질막에 손상을 입히는 하전 입자는 기판에 도달하지 못하도록 차단하고, 전자 물질막의 활성화를 극대화시키는 공정 가스 이온들은 가속 통과시킴으로써, 상온에서 양질의 전기/물질적 특성을 갖는 전자 물질막을 기판상에 형성시킬 수 있는 전자 물질막 형성 장치에 관한 것이다. 본 발명인 전자 물질막 형성 장치를 이루는 구성수단은, 스퍼터링 공정이 수행되는 챔버, 상기 챔버 내부 일면에 고정 배치되되, 전자 물질막 타겟을 장착하고 있는 스퍼터링 수단, 상기 스퍼터링 수단이 배치되는 챔버 내부 일면과 반대되는 면에 배치되되, 전자 물질막이 형성되는 대상체를 장착하고 있는 홀딩 수단, 상기 스퍼터링 수단과 상기 홀딩 수단 사이에 배치되되, 스퍼터링 공정에서 발생하는 이온 및 전자들의 이동 방향과 수직한 방향으로 자기장을 발생시키는 리미터를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL C23C 14/35 (2006.01.01) C23C 14/08 (2006.01.01) C23C 14/50 (2006.01.01)
CPC C23C 14/351(2013.01) C23C 14/351(2013.01) C23C 14/351(2013.01)
출원번호/일자 1020130106790 (2013.09.05)
출원인 고려대학교 세종산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0115183 (2013.10.21) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2010-0060627 (2010.06.25)
관련 출원번호 1020100060627
심사청구여부/일자 Y (2015.06.23)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 세종산학협력단 대한민국 세종특별자치시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍문표 대한민국 경기 성남시 분당구
2 이유종 대한민국 서울 강서구
3 장윤성 대한민국 충청남도 연기군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)
2 최내윤 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 ** *동 ***호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2013.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-0814756-54
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0831245-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-0416431-76
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0606145-79
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.10.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0964069-04
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.10.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0714651-62
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2015-1238526-18
10 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2015.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2015-1238499-62
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2016-0046547-74
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2016-0157683-45
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2016-0255847-13
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0397604-68
15 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2016.06.30 수리 (Accepted) 7-1-2016-0040619-18
16 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2016.09.26 수리 (Accepted) 7-8-2016-0034331-97
17 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2017.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0732725-97
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.01.20 수리 (Accepted) 4-1-2018-5011666-45
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2018-5138839-36
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5165251-68
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.01 수리 (Accepted) 4-1-2019-5228968-96
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2020-5073634-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
스퍼터링 공정이 수행되는 챔버;상기 챔버 내부 일면에 고정 배치되되, 전자 물질막 타겟을 장착하고 있는 스퍼터링 수단;상기 스퍼터링 수단이 배치되는 챔버 내부 일면과 반대되는 면에 배치되되, 전자 물질막이 형성되는 대상체가 장착되는 홀딩 수단;상기 스퍼터링 수단과 상기 홀딩 수단 사이에 배치되되, 복수개의 슬릿이 형성되어 있으며, 상기 슬릿 내부에 스퍼터링 공정에서 발생하는 이온 및 전자들의 이동 방향과 수직한 방향으로 자기장을 발생시키는 리미터를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전자 물질막 형성 장치
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 리미터는,상기 자기장을 발생시키기 위해 상기 슬릿의 일측에는 N극 자석, 타측에는 S극 자석이 배치되는 것을 특징으로 하는 전자 물질막 형성 장치
3 3
청구항 1에 있어서,상기 슬릿은 장축이 상기 전자 물질막 타겟의 장축과 수직하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 물질막 형성 장치
4 4
청구항 1에 있어서,상기 홀딩 수단은 상기 챔버 내에서 왕복운동이 가능하게 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 물질막 형성 장치
5 5
청구항 4에 있어서,상기 홀딩 수단의 왕복 운동 방향은 상기 슬릿의 장축과 수직한 방향인 것을 특징으로 하는 전자 물질막 형성 장치
6 6
청구항 1에 있어서,상기 전자 물질막 타겟은 TCO(Transparent Conductive Oxide) 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 물질막 형성 장치
7 7
청구항 6에 있어서,상기 전자 물질막 타겟은 ITO(Indium Tin Oxide) 물질인 것을 특징으로 하는 전자 물질막 형성 장치
8 8
청구항 1에 있어서,상기 스퍼터링 공정에 사용되는 공정 가스는 Ar, Xe, Kr, N2 및 He 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전자 물질막 형성 장치
9 9
청구항 1에 있어서,상기 대상체는 플라스틱 기판 또는 상부에 기능성 코팅층이 형성된 기판인 것을 특징으로 하는 전자 물질막 형성 장치
10 10
청구항 1에 있어서,상기 대상체는 최상부층에 플라즈마 버퍼층이 형성된 유기발광소자용 기판인 것을 특징으로 하는 전자 물질막 형성 장치
11 11
청구항 1에 있어서,상기 대상체는 최상부층에 플라즈마 버퍼층이 형성된 유기태양전지용 기판인 것을 특징으로 하는 전자 물질막 형성 장치
12 12
청구항 1에 있어서,상기 리미터 주변에는 상기 스퍼터링 공정 중에 발생하는 전자들이 상기 자기장에 의하여 구속되어 음의 전기포텐셜이 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 물질막 형성 장치
13 13
청구항 12에 있어서,상기 음의 전기포텐셜은 스퍼터링 과정 중, 상기 전자 물질막 타겟에서 발생하는 산소 음이온이 상기 대상체로 이동하는 것을 차단하거나 감속시키는 것을 특징으로 하는 전자 물질막 형성 장치
14 14
청구항 12에 있어서,상기 음의 전기포텐셜은 스퍼터링 공정에서 발생하는 전자 물질막 활성화를 위한 이온들을 가속시켜 통과시키는 것을 특징으로 하는 전자 물질막 형성 장치
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1 KR1020120000317 KR 대한민국 FAMILY
2 US20120000775 US 미국 FAMILY

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1 정보통신연구진흥원 고려대학교 대학정보통신연구센터지원사업 [3차년도-국고]모바일 태양광발전 시스템용 정보소재 연구