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광을 방출하는 반도체층의 상부 또는 하부에 상기 반도체층과 접촉되도록 형성되고, 물질에 고유한 임계 전압 이상의 전압(포밍 전압)이 인가되어 내부에 전도성 필라멘트가 형성됨으로써, 그 저항 상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화되어, 상기 반도체층과 오믹 특성을 나타내며, 상기 반도체층으로부터 유입되는 광을 투과시킬 수 있는 투명한 재질의 저항 변화 물질로 형성된 투명 전극층; 및상기 투명 전극층 내부에 형성되어 포밍 전압을 감소시키기 위한 전계 집중층 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극
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제 1 항에 있어서,상기 전계 집중층 패턴은 상기 투명 전극층 중간에 형성되고, 나노 파티클, 나노 와이어, 및 전도성 폴리머 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 전극
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제 1 항에 있어서,상기 전계 집중층 패턴은 상기 투명 전극층과 상기 반도체층과의 경계면에 형성되고, 나노 파티클, 나노 와이어, 및 전도성 폴리머 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 전극
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제 2 항 또는 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전계 집중층 패턴은, 상기 투명 전극의 상부에 형성되는 전극 패드 패턴과 대응되는 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 전극
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광을 방출하는 반도체층 위에 형성된 투명 전극으로서, 상기 투명 전극은 물질에 고유한 임계 전압 이상의 전압(포밍 전압)이 인가되어 내부에 전도성 필라멘트가 형성됨으로써, 그 저항 상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화되어, 상기 반도체층과 오믹 특성을 나타내며, 상기 반도체층으로부터 유입되는 광을 투과시킬 수 있는 투명한 재질의 저항 변화 물질로 형성되고, 그 내부에 전도성 필라멘트가 형성된 복수의 투명 전극층들을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극
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제 5 항에 있어서, 상기 복수의 투명 전극층들 중 적어도 2개의 층은 서로 다른 밴드 갭을 갖는 저항 변화 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 투명 전극
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제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 복수의 투명 전극층들은 상부로 갈수록 공기와의 굴절율 차이가 감소하도록 배치된 것을 특징으로 하는 투명 전극
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8
광을 방출하는 반도체층 위에 형성된 투명 전극으로서,물질에 고유한 임계 전압 이상의 전압(포밍 전압)이 인가되어 내부에 전도성 필라멘트가 형성됨으로써, 그 저항 상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화되어, 상기 반도체층과 오믹 특성을 나타내며, 상기 반도체층으로부터 유입되는 광을 투과시킬 수 있는 투명한 재질의 저항 변화 물질로 형성된 투명 전극층; 및상기 투명 전극층과 상기 반도체층 사이에 형성되고, 상기 투명 전극층보다 밴드 갭이 작아 전도도가 더 높은 투명 전도층 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극
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제 8 항에 있어서, 상기 투명 전도층 패턴의 일부 영역이 외부로 드러나도록 형성된 것을 특징으로 하는 투명 전극
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제 8 항에 있어서,상기 투명 전도층 패턴과 상기 반도체층 사이에, 전도성 필라멘트가 형성된 상기 저항 변화 물질로 형성된 투명 전극층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극
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투명 전극을 형성하는 방법으로서, (a1) 광을 방출하는 반도체층의 상부에, 물질에 고유한 임계 전압 이상의 전압(포밍 전압)이 인가되면 내부에 전도성 필라멘트가 형성됨으로써, 그 저항 상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화되어, 상기 반도체층과 오믹 특성을 나타내며, 상기 반도체층으로부터 유입되는 광을 투과시킬 수 있는 투명한 재질의 저항 변화 물질을 이용하여 하부 투명 전극층을 형성하는 단계;(a2) 상기 하부 투명 전극층 위에 전계 집중층 패턴을 형성하는 단계; (b) 상기 전계 집중층 패턴 및 상기 하부 투명 전극층 위에 상기 저항 변화 물질을 이용하여 상부 투명 전극층을 형성하는 단계; 및(c) 상기 상부 투명 전극층에 포밍 전압을 인가하여 투명 전극층들 내부에 전도성 필라멘트를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
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투명 전극을 형성하는 방법으로서, (a2) 광을 방출하는 반도체층 위에 전계 집중층 패턴을 형성하는 단계; (b) 상기 전계 집중층 패턴 및 상기 반도체층 위에, 물질에 고유한 임계 전압 이상의 전압(포밍 전압)이 인가되면 내부에 전도성 필라멘트가 형성됨으로써, 그 저항 상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화되어, 상기 반도체층과 오믹 특성을 나타내며, 상기 반도체층으로부터 유입되는 광을 투과시킬 수 있는 투명한 재질의 저항 변화 물질을 이용하여 투명 전극층을 형성하는 단계; 및(c) 상기 투명 전극층에 포밍 전압을 인가하여 투명 전극층 내부에 전도성 필라멘트를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
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제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,상기 (a2) 단계는, 나노 파티클, 나노 와이어, 및 전도성 폴리머 중 어느 하나를 이용하여 상기 전계 집중층 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
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(a) 광을 방출하는 반도체층의 상부에, 물질에 고유한 임계 전압 이상의 전압(포밍 전압)이 인가되어 내부에 전도성 필라멘트가 형성됨으로써, 그 저항 상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화되어, 상기 반도체층과 오믹 특성을 나타내며, 상기 반도체층으로부터 유입되는 광을 투과시킬 수 있는 투명한 재질의 저항 변화 물질로 복수의 투명 전극층을 형성하는 단계; 및(b) 상기 복수의 투명 전극층에 포밍 전압을 인가하여, 그 내부에 전도성 필라멘트를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
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(a) 광을 방출하는 반도체층의 상부에, 물질에 고유한 임계 전압 이상의 전압(포밍 전압)이 인가되어 내부에 전도성 필라멘트가 형성됨으로써, 그 저항 상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화되어, 상기 반도체층과 오믹 특성을 나타내며, 상기 반도체층으로부터 유입되는 광을 투과시킬 수 있는 투명한 재질의 저항 변화 물질로 투명 전극층을 형성하는 단계; (b) 상기 투명 전극층에 포밍 전압을 인가하여 상기 투명 전극층에 전도성 필라멘트를 형성하여, 저항 상태를 저저항 상태로 변화시키는 단계; 및(c) 상기 (a) 단계 및 (b) 단계를 적어도 1회 이상 순차적으로 반복수행하여 내부에 전도성 필라멘트가 형성된 투명 전극층을 추가로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
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제 14 항 또는 제 15 항에 있어서, 상기 투명 전극에 포함된 복수의 투명 전극층 중 적어도 2개의 층은 서로 다른 밴드 갭을 갖는 저항 변화 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
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제 14 항 또는 제 15 항에 있어서, 상기 복수의 투명 전극층들은 상부로 갈수록 공기와의 굴절율 차이가 감소하도록 배치된 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
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(a) 광을 방출하는 반도체층 위에 투명 전극층보다 밴드 갭이 작아 전도도가 더 높은 투명 전도층 패턴을 형성하는 단계;(b) 상기 반도체층 및 상기 투명 전도층 패턴 위에, 물질에 고유한 임계 전압 이상의 전압(포밍 전압)이 인가되어 내부에 전도성 필라멘트가 형성됨으로써, 그 저항 상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화되어, 상기 반도체층과 오믹 특성을 나타내는 저항 변화 물질로 상기 반도체층에서 방출된 광을 투과시키는 투명 전극층을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 투명 전도층 패턴과 상기 투명 전극층 사이에 전압을 인가하여 상기 투명 전극층 내부에 전도성 필라멘트를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
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제 18 항에 있어서, 상기 (b) 단계는, 상기 투명 전도층 패턴의 일부 영역이 외부로 드러나도록 상기 투명 전극층을 형성하고, 상기 (d) 단계는, 외부로 드러난 상기 투명 전도층 패턴의 일부 영역과 상기 투명 전극층 사이에 전압을 인가하여 상기 투명 전극층 내부에 전도성 필라멘트를 형성하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
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제 18 항에 있어서, 상기 (a) 단계에서, 상기 투명 전도층 패턴은 전도성 필라멘트가 내부에 형성된 상기 저항 변화 물질로 상기 반도체층 위에 형성된 하부 투명 전극층 위에 형성된 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
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