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기계적 및 전기적 특성이 조절된 나노 입자 박막 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2021003141
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기계적 및 전기적 특성이 조절된 나노 입자 박막 및 이의 제조방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 기계적 및 전기적 특성이 조절된 나노 입자 박막의 제조방법은 기판 상에 제1 리간드로 둘러싸인 전도성 나노 입자를 포함하는 용액을 도포하여 나노입자층을 형성하는 단계; 상기 기판 및 나노입자층을 제2 리간드와 치환 용매를 포함하는 리간드 치환 용액에 담지하여 상기 제1 리간드가 상기 제2 리간드로 치환된 나노입자층을 형성하는 단계; 상기 기판 및 상기 제2 리간드로 치환된 나노입자층을 세척 용매에 담지하여 상기 제2 리간드가 제거된 나노 입자 박막을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL B05D 1/18 (2006.01.01) C23C 26/00 (2006.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01) H01B 5/14 (2006.01.01) H01B 1/22 (2006.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC B05D 1/185(2013.01) C23C 26/00(2013.01) B82B 3/00(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 1/22(2013.01) B82Y 40/00(2013.01) B05D 2201/02(2013.01)
출원번호/일자 1020190116981 (2019.09.23)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0034961 (2021.03.31) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.09.23)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오승주 서울특별시 중구 청구로
2 전상현 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2019-0971780-51
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.01.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 제1 리간드로 둘러싸인 전도성 나노 입자를 포함하는 용액을 도포하여 제1 나노입자층을 형성하는 단계;상기 기판 및 상기 제1 나노입자층을 제2 리간드와 치환 용매를 포함하는 리간드 치환 용액에 담지하여 상기 제1 리간드가 상기 제2 리간드로 치환된 제2 나노입자층을 형성하는 단계;상기 기판 및 상기 제2 나노입자층을 세척 용매에 담지하여 상기 제2 리간드가 제거된 나노 입자 박막을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기계적 및 전기적 특성이 조절된 나노 입자 박막의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 리간드를 상기 제2 리간드로 치환하는 시간에 따라 상기 나노 입자 박막의 저항도 및 게이지 팩터가 조절되는 것을 특징으로 하는 기계적 및 전기적 특성이 조절된 나노 입자 박막의 제조방법
3 3
제2항에 있어서,상기 제1 리간드를 제2 리간드로 치환하는 시간은 10초 내지 120초인 것을 특징으로 하는 기계적 및 전기적 특성이 조절된 나노 입자 박막의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 제2 리간드를 제거하는 시간에 따라 상기 나노 입자 박막의 저항도 및 게이지 팩터가 조절되는 것을 특징으로 하는 기계적 및 전기적 특성이 조절된 나노 입자 박막의 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 제2 리간드를 제거하는 시간은 10초 내지 120초인 것을 특징으로 하는 기계적 및 전기적 특성이 조절된 나노 입자 박막의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 나노 입자 박막의 저항도는 6
7 7
제1항에 있어서,상기 나노 입자 박막의 게이지 팩터는 3
8 8
제1항에 있어서,상기 치환 용매는 메탄올, 에탄올 및 이소프로판올 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 기계적 및 전기적 특성이 조절된 나노 입자 박막의 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 세척 용매는 메탄올, 에탄올 및 이소프로판올 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 기계적 및 전기적 특성이 조절된 나노 입자 박막의 제조방법
10 10
제1항에 있어서,상기 제1 리간드는 TOPO(trioctylphosphineoxide), 옥타데칸올(octadecanol), 올레익산(oleic acid) 및 올레일아민(oleylamine) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 기계적 및 전기적 특성이 조절된 나노 입자 박막의 제조방법
11 11
제1항에 있어서,상기 제2 리간드는 MPA(3-mercaptopropionic acid), EDT(1,2-ethanedithiol), EDA(ethylenediamine), 황 이온(S2-), 염소 이온(Cl-), 브롬 이온(Br-), 티오시안산 이온(SCN-), 아이오딘 이온(I-), 이황화물 이온(HS-), 텔루륨 이온(Te2-), 수산화 이온(OH-), 사불화붕산 이온(BF4-) 및 육불화인산 이온(PF6-) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 기계적 및 전기적 특성이 조절된 나노 입자 박막의 제조방법
12 12
제1항에 있어서,상기 전도성 나노 입자는 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 철(Fe) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 기계적 및 전기적 특성이 조절된 나노 입자 박막의 제조방법
13 13
제1 리간드로 둘러싸인 전도성 나노 입자를 제2 리간드와 치환 용매를 포함하는 리간드 치환 용액을 이용하여 상기 제1 리간드가 상기 제2 리간드로 치환되고, 세척 용매를 이용하여 상기 제2 리간드가 제거된 전도성 나노 입자를 포함하는 나노 입자 박막에 있어서,상기 치환 용매가 이소프로판올이고 상기 세척 용매가 메탄올이고,상기 나노 입자 박막은 상기 전도성 나노 입자가 밀집되어 전극으로 이용되며,상기 전극으로 이용되는 나노 입자 박막의 저항도는 6
14 14
제1 리간드로 둘러싸인 전도성 나노 입자를 제2 리간드와 치환 용매를 포함하는 리간드 치환 용액을 이용하여 상기 제1 리간드가 상기 제2 리간드로 치환되고, 세척 용매를 이용하여 상기 제2 리간드가 제거된 전도성 나노 입자를 포함하는 나노 입자 박막에 있어서,상기 치환 용매가 메탄올이고 상기 세척 용매가 이소프로판올이고,상기 나노 입자 박막은 표면에 크랙을 포함하여 활성층으로 이용되며,상기 활성층으로 이용되는 나노 입자 박막의 저항도는 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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