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ITO(Tin doped Indium oxide) 또는 질화갈륨(GaN) 박막층이 상부에 증착된 기판을 준비하는 단계;근접장 전기방사법(near-field electrospinning)을 이용하여 상기 기판의 박막층 상에 산화아연(ZnO) 또는 폴리비닐피롤리돈(PVP) 나노파이버 형틀층을 형성하는 단계;상기 나노파이버 형틀층이 형성되어 있지 않은 상기 박막층 표면 영역만을 선택적으로 식각(etching) 하는 단계;상기 나노파이버 형틀층을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 전기방사법을 이용한 기판의 패턴구조 형성방법
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제1항에 있어서,상기 패턴구조는 바둑판(mesh) 또는 쇠창살(grating) 형태인 것을 특징으로 하는 전기방사법을 이용한 기판의 패턴구조 형성방법
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제1항에 있어서,상기 식각은 유도 결합 플라즈마 분광법 (inductively coupled plasma, ICP), Reactive ion etching (RIE) 또는 ICP - RIE 방법 중 어느 하나의 방법으로 수행하는 것을 특징으로 하는 전기방사법을 이용한 기판의 패턴구조 형성방법
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제1항에 있어서,상기 나노파이버 형틀층을 선택적으로 제거하는 단계는 상기 나노파이버 형틀층이 고분자인 경우 아세톤, 에탄올, 메탄올, 및 N-Dimethylformamide(N-DMF) 용액으로 구성되는 군 중에서 선택된 어느 하나,산화물인 경우 HCl(염산) 또는 Buffered oxide etchant (BOE) 용액,질화물인 경우 H2SO4(황산), HNO3(질산) 또는 KOH(수산화칼륨) 용액 중 어느 하나를 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 전기방사법을 이용한 기판의 패턴구조 형성방법
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ITO(Tin doped Indium oxide) 또는 질화갈륨(GaN) 으로 구성된 제 1 박막층이 상부에 증착된 기판을 준비하는 단계;근접장 전기방사법(near-field electrospinning)을 이용하여 상기 기판의 제 1 박막층 상에 산화아연(ZnO) 또는 폴리비닐피롤리돈(PVP) 나노파이버 형틀층을 형성하는 단계;물리적 증착방법(physical vapor deposition)으로 상기 나노파이버 형틀층의 두께보다 작은 두께의 산화아연(ZnO) 또는 산화티타늄(TiO2) 제 2 박막층을 상기 제 1 박막층 위에 증착시키는 단계;상기 나노파이버 형틀층을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 전기방사법을 이용한 기판의 패턴구조 형성방법
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제8항에 있어서,상기 패턴구조는 나노-아일랜드 정렬구조인 것을 특징으로 하는 전기방사법을 이용한 기판의 패턴구조 형성방법
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제8항에 있어서,상기 물리적 증착은 Sputter, E-beam evaporator 또는 Pulsed laser deposition (PLD) 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 전기방사법을 이용한 기판의 패턴구조 형성방법
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제8항에 있어서,상기 나노파이버 형틀층을 선택적으로 제거하는 단계는 상기 나노파이버 형틀층이 고분자인 경우 아세톤, 에탄올, 메탄올, 및 N-Dimethylformamide(N-DMF) 용액으로 구성되는 군 중에서 선택된 어느 하나,산화물인 경우 HCl(염산) 또는 Buffered oxide etchant (BOE) 용액,질화물인 경우 H2SO4(황산), HNO3(질산) 또는 KOH(수산화칼륨) 용액 중 어느 하나를 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 전기방사법을 이용한 기판의 패턴구조 형성방법
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제1항, 제5항 내지 제8항, 및 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 형성된 패턴구조를 가지는 기판을 포함하는 반도체 소자
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