맞춤기술찾기

이전대상기술

경사 입사 증착법을 이용한 발광효율이 향상된 질화물 발광소자 제조 방법 및 질화물 발광소자

  • 기술번호 : KST2015133853
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광 효율이 향상된 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 경사 입사 증착법을 이용하여 발광 소자의 투명 전극층을 형성함에 있어서, 발광 소자가 형성된 반도체 기판을 고속으로 회전시키면서 증착 입사각을 점진적으로 변경하여 투명 전극층에 포함되는 투명 전극층 형성 물질의 양과 투명 전극층을 형성하는 구조들 사이에 형성되는 공극의 양을 조절함으로써 굴절율이 연속적으로 변화되도록 투명 전극층을 형성할 수 있다. 즉, 질화물 발광 소자의 투명 전극층 전체적으로 볼 때 그 내부에 공극이 포함되도록 형성하되, 투명 전극층을 형성하는 물질의 양은 투명 전극층의 하부에서 상부로 갈수록 점진적으로 감소되고, 공극의 양은 투명 전극층의 하부에서 상부로 갈수록 점진적으로 증가되도록 형성함으로써, 투명 전극층 전체적으로 하부에서 상부로 갈수록 굴절율이 감소하도록 형성하였다. 따라서, 본 발명은 투명 전극층에 포함되는 공극양을 점진적으로 조절하여 투명 전극층의 굴절률을 조절할 수 있는 효과가 있고, 투명 전극층의 굴절률을 조절할 수 있음으로 인해서 투명 전극층에 맞닿은 물질과의 계면에서 전반사가 발생하지 않도록 투명 전극층을 형성하여 발광 소자의 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 33/40 (2014.01)
CPC H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01)
출원번호/일자 1020080046472 (2008.05.20)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0936058-0000 (2009.12.31)
공개번호/일자 10-2009-0120588 (2009.11.25) 문서열기
공고번호/일자 (20100108) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.05.20)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김태근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김철민 대한민국 서울시 서초구
3 종위안 중국 서울시 성북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이재광 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)(특허법인주원)
2 김정식 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)(특허법인주원)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0355050-88
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.01.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0003074-50
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0273295-36
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0522059-06
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.08.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0522066-15
8 등록결정서
Decision to grant
2009.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0532083-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판위에 형성되어 광을 발생시키는 질화물층; 및 상기 질화물층 위에 형성되어 상기 질화물층에서 발생된 광을 투과시키는 투명 전극층을 포함하고, 상기 투명 전극층은 하부에서 상부로 갈수록 상기 투명 전극층을 형성하는 물질의 양이 감소하도록, 상기 질화물층이 형성된 상기 기판을 일정한 속도로 연속적으로 회전시키면서, 상기 기판으로 투명 전극층을 형성하는 물질이 입사되는 각을 수직에서 수평으로 일정한 속도로 연속적으로 변화시키면서 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 투명 전극층은 하부에서 상부로 갈수록 상기 투명 전극층에 포함되는 공극의 양이 점진적으로 증가하도록 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 투명 전극층은 복수의 원뿔형 구조를 포함하도록 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자
4 4
(a) 기판에 광을 발생시키는 질화물층을 형성하는 단계; 및 (b) 상기 기판을 일정한 속도로 연속적으로 회전시키면서, 투명 전극층을 형성하는 물질이 상기 기판에 입사되는 각을 수직에서 수평으로 일정한 속도로 연속적으로 변화시키면서, 상기 질화물층 위에 상기 질화물층에서 발생된 광을 투과시키는 투명 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자 제조 방법
5 5
삭제
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 상기 투명 전극층을 형성하는 물질을 방사하는 소오스에 대한 상기 기판의 기울기를 변화시키면서 상기 투명 전극층을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자 제조 방법
7 7
제 4 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 (b) 단계에서, 상기 투명 전극층은 복수의 원뿔형 구조를 포함하도록 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자 제조 방법
8 8
제 4 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 (b) 단계에서, 상기 기판이 1RPM 이상의 속도로 회전하면서 투명 전극층이 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.