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집적 수동 디바이스 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015133973
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 집적 수동 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, Si 기판과 상기 Si 기판 상에 형성된 양극 산화 알루미늄(anodic aluminum oxide, AAO)층 및 상기 양극 산화 알루미늄층 상단에 형성된 산화 실리콘(SiO2)층의 적층 구조상에 적어도 하나의 박막 수동 디바이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 수동 디바이스를 구현함으로써, 해당 동작 주파수 대역 상에서 삽입손실을 최소화할 수 있다. 집적 수동 소자, 절연체, 양극 산화 알루미늄, 산화 실리콘, 삽입손실
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 27/02 (2011.01) H01L 27/00 (2011.01)
CPC H01L 27/0288(2013.01) H01L 27/0288(2013.01) H01L 27/0288(2013.01) H01L 27/0288(2013.01)
출원번호/일자 1020070089723 (2007.09.05)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0899894-0000 (2009.05.21)
공개번호/일자 10-2009-0024846 (2009.03.10) 문서열기
공고번호/일자 (20090529) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 재발송
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.09.05)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영근 대한민국 서울 강남구
2 지혜민 대한민국 경기 수원시 영통구
3 이원상 대한민국 경기 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 대원이노스트 경기도 하남시 하남
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0644459-14
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.07.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2008-0050883-26
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0479373-30
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0778759-94
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0891952-73
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0030733-10
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.01.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0030738-37
10 등록결정서
Decision to grant		 2009.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0210403-72
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
집적 수동 디바이스 제조 방법에 있어서, (a) 기판을 제공하는 단계; (b) 상기 기판 상에 복수의 나노 크기의 기공을 갖는 양극 산화 알루미늄(Anodic Aluminum Oxide, AAO)층을 형성하는 단계; (c) 상기 양극 산화 알루미늄층 상에 상기 기공을 유지하면서 산화 실리콘층을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 산화 실리콘층의 적층 구조상에 적어도 하나의 박막 수동 디바이스를 형성하는 단계 포함함을 특징으로 하는 집적 수동 디바이스 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 (b) 단계는 상기 기공 표면에 양극 산화 피막을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 집적 수동 디바이스 제조 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 산화 실리콘층은 상기 양극 산화 알루미늄층 위에 PE-CVD(plasma enhanced-chemical vapor deposition) 방법을 사용하여 증착함을 특징으로 하는 집적 수동 디바이스 제조 방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 기공의 직경이 20 ㎚임을 특징으로 하는 집적 수동 디바이스 제조 방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 양극 산화 알루미늄층 및 산화 실리콘층의 두께 비(ratio)가 1:3임을 특징으로 하는 집적 수동 디바이스 제조 방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 양극 산화 알루미늄층 및 산화 실리콘층의 두께가 각각 1㎛, 3㎛임을 특징으로 하는 집적 수동 디바이스 제조 방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 박막 수동 디바이스는 하나 이상의 인덕터 또는 수동 저항기 또는 캐패시터 디바이스들을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 수동 디바이스 제조 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 기판은 Si 기판임을 특징으로 하는 집적 수동 디바이스 제조 방법
9 9
집적 수동 디바이스에 있어서, 기판; 상기 기판 상에 복수의 나노 크기의 기공을 갖는 양극 산화 알루미늄층; 상기 양극 산화 알루미늄층 상에 상기 기공을 유지하면서 형성되는 산화 실리콘층; 및 상기 기판, 양극 산화 알루미늄층 및 산화 실리콘층의 적층 구조상에 적어도 하나의 박막 수동 디바이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 수동 디바이스
10 10
제 9항에 있어서, 상기 기공 표면은 양극 산화 피막으로 형성됨을 특징으로 하는 집적 수동 디바이스
11 11
제 9항에 있어서, 상기 산화 실리콘층은 상기 양극 산화 알루미늄층 위에 PE-CVD 방법을 사용하여 증착함을 특징으로 하는 집적 수동 디바이스
12 12
제 9항에 있어서, 상기 기공의 직경이 20㎚임을 특징으로 하는 집적 수동 디바이스
13 13
제 9항에 있어서, 상기 양극 산화 알루미늄층 및 산화 실리콘층의 두께 비가 1:3임을 특징으로 하는 집적 수동 디바이스
14 14
제 13항에 있어서, 상기 양극 산화 알루미늄층 및 산화 실리콘층의 두께가 각각 1㎛, 3㎛임을 특징으로 하는 집적 수동 디바이스
15 15
제 9항에 있어서, 상기 박막 수동 디바이스는 하나 이상의 인덕터 또는 수동 저항기 또는 캐패시터 디바이스들을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 수동 디바이스
16 16
제 9항에 있어서, 상기 기판은 Si 기판임을 특징으로 하는 집적 수동 디바이스
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.