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전자물질 막의 형성 방법 및 이를 적용하는 전자 소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015134021
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전자 물질 전사 방법 및 이를 적용하는 소자의 제조방법이 개시된다. 전사 방법은 전자물질 막이 형성되는 템플리트 기판을 액상 매체에 담그어서 템플리트로 부터 전자물질 막를 분리하여 액면에 부유시키는 단계; 상기 액면에 부유된 전자물질 막을 타겟 기판으로 떠 올려 타겟 기판 상에 전자물질 막을 옮기는 단계; 그리고 상기 전자물질 막을 상기 타겟 기판에 고정시키는 단계;를 포함한다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/208 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020090020728 (2009.03.11)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0102381 (2010.09.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.11)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이철진 대한민국 서울 강남구
2 김선국 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2009-0147596-50
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.03.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0160137-78
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0273112-78
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0530653-10
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0056018-39
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.01.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0056021-77
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2011.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0348565-54
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0488085-90
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전자물질 막을 액상 매체의 표면(액면)에 부유시키는 단계; 상기 액면 상의 전자 물질막의 하부로부터 타겟 기판을 떠 올려 타겟 기판 상에 상기 전자 물질막을 부착하는 단계;를 포함하는 전자 물질 막의 형성방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 액상 매체는 산 용액을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 물질막의 형성 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 산 용액은 HNO3(Nitiric acid), HCl(hydrochloric acid), H2SO4(Sulfuric acid), HF(Fluoric acid) 중의 어느 하나는 포함하는 것을 특징으로 하는 전자물질 막의 형성 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 전자물질 막은 도전체, 반도체, 저항체 중의 어느 하나 인 것을 특징을 하는 전자물질 막의 형성 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 전자물질 막은 탄소나노튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자물질 막의 형성 방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 SWCNT(Single-walled carbon nanotube), DWCNT(Double-walled carbon nanotube), 얇은 MWCNT(Multi-walled carbon nanotube), 두꺼운 MWCNT 중의 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자물질 막의 형성방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 투명 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 전자 물질막의 형성방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 기판에 부착된 전자물질 막을 건조하는 단계와 고정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자물질 막의 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 건조하는 단계는 진공 건조하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 물질막의 제조방법
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 친수성 또는 소수성 표면 처리되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 물질막의 제조방법
11 11
전자물질이 포함된 현탁액을 이용해 템플리트 기판에 전자물질 막을 형성하는 단계; 상기 템플리트 상의 전자물질 막을 액상 매체 내에서 분리하여 액상 매체의 표면(액면)에 부유시키는 단계; 상기 액상 매체에 부유된 전자물질 막을 액면 하부로 부터 떠 올려 타겟 기판의 표면에 부착하는 단계; 상기 전자물질막을 건조한 후 타겟 기판에 고정하는 단계;를 포함하는 전자물질 막의 형성 방법
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 템플리트는 다공성 기판인 것을 특징으로 하는 전자물질 막의 형성 방법
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 다공성 기판은 AAO(Anodic Aluminium Oxide) 기판인 것을 특징으로하는 전자 물질 막의 형성 방법
14 14
제 11 항에 있어서, 상기 액상 매체는 HNO3(Nitiric acid), HCl(hydrochloric acid), H2SO4(Sulfuric acid), HF(Fluoric acid) 중의 어느 하나는 포함하는 것을 특징으로 하는 전자물질 막의 형성 방법
15 15
제 11 항에 있어서, 상기 전자물질 막은 도전체, 반도체, 저항체 중의 어느 하나 인 것을 특징을 하는 전자물질 막의 형성 방법
16 16
제 11 항에 있어서, 상기 전자물질 막은 탄소나노튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자물질 막의 형성 방법
17 17
제 16 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 SWCNT(Single-walled carbon nanotube), DWCNT(Double-walled carbon nanotube), 얇은 MWCNT(Multi-walled carbon nanotube), 두꺼운 MWCNT 중의 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자물질 막의 형성방법
18 18
제 11 항에 있어서, 상기 현탁액은 용매 및 계면활성제를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자물질 막의 형성방법
19 19
제 11 항에 있어서, 상기 기판에 부착된 전자물질 막을 건조하는 단계와 고정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자물질 막의 제조방법
20 20
제 19 항에 있어서, 상기 건조하는 단계는 진공 건조하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 물질막의 제조방법
21 21
제 1 항에 기재된 방법을 이용하는 전자 소자의 제조방법
22 22
제 11 항에 기재된 방법을 이용하는 전자 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08137740 US 미국 FAMILY
2 US20100233360 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2010233360 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8137740 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 국제과학기술협력재단, 한국과학재단, 한국과학재단, 서울시정개발연구원 한국과학재단, 고려대학교 산학협력단, 고려대학교 산학협력단, 고려대학교 과학기술국제화사업, 세계적수준의연구중심대학육성사업,국가지정연구실사업(NRL), 서울시 산학연 협력사업(사업명: 세계유수연구소 유치지원사업) (3차년도)급성 호흡기 감염 조기진단을 위한 탄소나노튜브 기반 고감도 나노바이오센서 개발,플렉서블 나노시스템 기반기술,[NRL-1차년도]플렉서블 투명전도성 CNT-Polymer박막 기술, 바텔연구 소 서울유치 및NBT연구기반조성사업