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십진법 정보 처리를 위한 나노 전자 소자

  • 기술번호 : KST2015134117
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 십진법 정보 처리를 위한 나노 전자 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 다수 개의 자화방향을 형성하고 이에 대응되는 저항값을 기록하여 십진법 정보 처리가 가능한 나노 전자 소자에 있어서, 기판 및 상기 기판 상에 박막 증착 기법을 이용하여 형성되고, 쓰기(write) 동작시, 펄스 형태로 전류를 인가하여 유도 자기장을 형성하거나 스핀 토크 전달에 의해, 양축 자기 이방성(Cubic or four-fold anisotropy)을 갖는 다축자화 강자성 물질을 다중 자화 도메인 상태(multi-domain state)로 만들고, 상기 다중 자화 도메인 상태에 따라 달라지는 다중상태에 대한 다수의 터넬링 저항값(tunneling magnetoresistance)을 기록하여 다중의 정보를 저장하는 다축자화 강자성층으로 이루어지며, 포토리소그래피(Photolithography) 공정을 이용하여 터넬링 구조로 공정되는 것을 특징으로 하는 십진법 정보 처리를 위한 나노 전자 소자에 관한 것이다.
Int. CL H01L 43/08 (2006.01) H01L 43/12 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01)
출원번호/일자 1020140057126 (2014.05.13)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1563549-0000 (2015.10.21)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20151027) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.05.13)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상훈 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0447926-45
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0508515-58
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2014-0544026-77
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.12.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2015-0004952-08
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0509658-27
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.08.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0822180-78
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2015-0822183-15
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2015-0822154-91
10 등록결정서
Decision to grant
2015.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0709171-30
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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다수 개의 자화방향을 형성하고 이에 대응되는 저항값을 기록하여 십진법 정보 처리가 가능한 나노 전자 소자에 있어서,기판; 및상기 기판 상에 박막 증착 기법을 이용하여 형성되고, 쓰기(write) 동작시, 펄스 형태로 전류를 인가하여 유도 자기장을 형성하거나 스핀 토크 전달에 의해, 양축 자기 이방성(Cubic or four-fold anisotropy)을 갖는 다축자화 강자성 물질을 다중 자화 도메인 상태(multi-domain state)로 만들고,상기 다중 자화 도메인 상태에 따라 달라지는 다중상태에 대한 다수의 터넬링 저항값(tunneling magnetoresistance)을 기록하여 다중의 정보를 저장하는 다축자화 강자성층;으로 이루어지며,포토리소그래피(Photolithography) 공정을 이용하여 터넬링 구조로 공정되며,상기 다축자화 강자성층은상기 기판의 상부에 다축자화 강자성 물질로 형성되는 제 1 다축자화 강자성층, 상기 제 1 다축자화 강자성층의 상부에 비자성 물질로 형성되는 비자성 분리층, 상기 비자성 분리층의 상부에 다축자화 강자성 물질로 형성되는 제 2 다축자화 강자성층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 십진법 정보 처리를 위한 나노 전자 소자
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제 1항에 있어서,상기 기판은P 타입 GaAs으로 형성되며,상기 기판의 상부에 Be로 도핑된 GaAs 층이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 십진법 정보 처리를 위한 나노 전자 소자
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삭제
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제 1항에 있어서,상기 십진법 정보 처리를 위한 나노 전자 소자는상기 제 2 다축자화 강자성층의 상부에 보호막층이 형성되며,상기 기판과 상기 보호막층이 전류단자로 구성되는 터넬링 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 십진법 정보 처리를 위한 나노 전자 소자
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제 4항에 있어서,상기 터넬링 구조는읽기(read) 동작시, 상기 전류단자에 센싱 전류를 흘려보내서 저장된 다수의 터넬링 저항값을 측정하여 논리값을 센싱하는 것을 특징으로 하는 십진법 정보 처리를 위한 나노 전자 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 미래창조과학부 부산대학교 첨단융합기술개발 우주 환경 모사 활용 나노 융합 신소재 개발
2 교육부 고려대학교 일반연구자지원 다축자화물질 기반 decimal-states bit 연구