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a) 술폰화된 폴리(플루오르화아릴렌에테르) 중합체와
b) 비닐이미다졸과 3-메타아크릴옥시프로필트라이메톡시실란의 공중합체를 100:400 ∼ 100:600의 중량비로 포함하는 전도성 고분자막과,
상기 전도성 고분자막에 결합된 다공성 폴리테트라플루오로에틸렌막을 포함하며,
인산으로 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 고분자 복합체 전해질막
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제1항에 있어서,
상기 a) 술폰화된 폴리(플루오르화아릴렌에테르) 중합체와 b) 비닐이미다졸과 3-메타아크릴옥시프로필트라이메톡시실란의 공중합체의 중량비는 100:540 ∼ 100:550인 것을 특징으로 하는 고분자 복합체 전해질막
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제1항에 있어서,
상기 폴리(플루오르화아릴렌에테르) 중합체는 단량체로서 데카플루오로 바이페닐과 4,4′-(헥사플루오로이소프로필리덴)디페닐을 반응시켜 제조된 것을 특징으로 하는 고분자 복합체 전해질막
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제1항에 있어서,
상기 폴리(플루오르화아릴렌에테르) 중합체의 수평균분자량은 5,000～1,000,000인 것을 특징으로 하는 고분자 복합체 전해질막
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제1항에 있어서,
상기 폴리(플루오르화아릴렌에테르) 중합체의 당량무게(equivalent weight)는 250～2,500인 것을 특징으로 하는 고분자 복합체 전해질막
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제1항에 있어서,
상기 다공성 폴리테트라플루오로에틸렌막은 10～20㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 고분자 복합체 전해질막
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제1항에 있어서,
상기 다공성 폴리테트라플루오로에틸렌막은 55～72%의 기공률을 갖는 것을 특징으로 하는 고분자 복합체 전해질막
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제1항에 있어서,
상기 다공성 폴리테트라플루오로에틸렌막의 기공의 직경은 1
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제1항에 있어서,
상기 도핑된 인산의 함량은 상기 전도성 고분자와 폴리테트라플루오로에틸렌의 복합 전해질막 100 중량부에 대하여 100 ~ 2,000 중량부인 것을 특징으로 하는 고분자 복합체 전해질막
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제1항에 있어서,
상기 전도성 고분자막은 상기 다공성 폴리테트라플루오로에틸렌막의 양면에 도포된 것을 특징으로 하는 고분자 복합체 전해질막
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a) 술폰화된 폴리(플루오르화아릴렌에테르) 중합체 100 중량부; 비닐이미다졸 420~450 중량부; 3-메타아크릴옥시프로필트라이메톡시실란 60~130 중량부; 및 중합개시제 20~30 중량부를 혼합하여 슬러리를 제조하는 단계;
b) 상기 슬러리를 다공성 폴리테트라플루오로에틸렌막의 양면에 도포하여 3층 구조의 고분자 복합체막을 형성하는 단계;
c) 상기 고분자 복합체막을 인산에 함침시켜 인산을 도핑시키는 단계;를 포함하는 고분자 복합체 전해질막의 제조방법
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제11항에 있어서,
상기 중합개시제는 아조비스이소부티로나이트릴(AIBN)인 것을 특징으로 하는 고분자 복합체 전해질막의 제조방법
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제11항에 있어서,
상기 슬러리를 다공성 폴리테트라플루오로에틸렌막의 양면에 도포하는 단계는 핫프레스 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 고분자 복합체 전해질막의 제조방법
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제11항에 있어서,
상기 술폰화된 폴리(플루오르화아릴렌에테르) 중합체는 단량체로서 데카플루오로바이페닐과 4,4′-(헥사플루오로이소프로필리덴)디페닐을 유기 용매에 용해시킨 후 강산기 부여제를 첨가하여 제조하는 것을 특징으로 하는 고분자 복합체 전해질막의 제조 방법
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제14에 있어서,
상기 강산기 부여제는 클로로술폰산(chlorosulfonic acid), 아세틸술포네이트(acetyl sulfonate) 또는 발연황산(fuming H2SO4) 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 고분자 복합체 전해질막의 제조방법
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제11항에 있어서,
상기 인산을 도핑시키는 단계는 상기 고분자 복합체막을 85
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제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 고분자 복합체 전해질막을 채용한 연료전지
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