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기판과;상기 기판 상에 형성되고, 쓰기(write) 동작시 제 1 전류라인과 제 2 전류라인이 교차하는 셀 안에 펄스 형태로 전류를 인가하여 유도 자기장을 형성하고 자기장의 방향(Ø)과 세기(M)를 조절하여 자기 이방성을 갖는 강자성 재료를 단일 도메인 상태 또는 다중 도메인 상태로 만들고,상기 단일 도메인 상태 또는 다중 도메인 상태에 따라 달라지는 다중 상태에 대한 평면 홀 저항 값 또는 자기 저항 값을 기록하여 다중의 정보를 저장하는 강자성 반도체층과;상기 강자성 반도체층 상에 형성된 절연막과;상기 절연막 상에 형성된 제 1전류라인과;상기 제 1전류라인 상에 형성된 절연막 및;상기 절연막 상에 형성된 제 2전류라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 강자성 물질의 도메인 구조 및 다중 상태를 이용한 자기 기억 소자
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기판과;상기 기판 상에 형성된 제 1전류라인과;상기 제 1전류라인 상에 형성된 절연막과;상기 절연막 상에 형성되고, 단일 또는 다중 도메인 상태를 이용하여 다중의 정보를 평면홀 효과 또는 자기 저항을 통해 저장하고 센싱하는 강자성 반도체층과;상기 강자성 반도체층 상에 형성된 절연막과;상기 절연막 상에 형성된 제 2전류라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 강자성 물질의 도메인 구조 및 다중 상태를 이용한 자기 기억 소자
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제 2항에 있어서,상기 강자성 반도체층은쓰기(write) 동작시 상기 제 1 전류라인과 제 2 전류라인이 교차하는 셀 안에 펄스 형태로 전류를 인가하여 유도 자기장을 형성하고 자기장의 방향(Ø)과 세기(M)를 조절하여 자기 이방성을 갖는 강자성 재료를 단일 도메인 상태 또는 다중 도메인 상태로 만들고,상기 단일 도메인 상태 또는 다중 도메인 상태에 따라 달라지는 다중 상태에 대한 평면 홀 저항 값 또는 자기 저항 값을 기록하여 다중의 정보를 저장하는 것을 특징으로 하는 강자성 물질의 도메인 구조 및 다중 상태를 이용한 자기 기억 소자
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제 3항에 있어서,상기 다중 도메인 상태는자기장의 방향과 세기에 따라 다중 도메인의 깨어진 정도를 조절할 수 있으며, 평면 홀 저항값 또는 자기 저항 값을 이용하여 도메인이 어느 정도 깨어져 있는지 확인할 수 있는 것을 특징으로 하는 강자성 물질의 도메인 구조 및 다중 상태를 이용한 자기 기억 소자
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 강자성 반도체층은읽기(Read) 동작시 전류라인에 센싱 전류를 흘려보내서 저장된 평면 홀 저항 또는 자기 저항 값을 읽는 것을 특징으로 하는 강자성 물질의 도메인 구조 및 다중 상태를 이용한 자기 기억 소자
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제 5항에 있어서,상기 평면 홀 저항 값은 하기의 수학식에 의해 측정되는 것을 특징으로 하는 강자성 물질의 도메인 구조 및 다중 상태를 이용한 자기 기억 소자
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제 5항에 있어서,상기 자기 저항 값은 하기의 수학식에 의해 측정되는 것을 특징으로 하는 강자성 물질의 도메인 구조 및 다중 상태를 이용한 자기 기억 소자
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 강자성 반도체층은GaMnAs로 구성된 것을 특징으로 하는 강자성 물질의 도메인 구조 및 다중 상태를 이용한 자기 기억 소자
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