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기판 상의 인듐주석산화물 나노라드의 제조방법, 이를 통해 제조된 인듐주석산화물 나노라드 투명전극, 및 이를 이용한 소자

  • 기술번호 : KST2015134796
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 상의 인듐주석산화물 나노라드의 제조방법, 이를 통하여 제조되는 인듐주석산화물 나노라드 투명전극 및 이를 이용한 태양전지, 각종 센서 등의 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 촉매 없이 Vapor-Solid 공법에 따라 인듐주석산화물 나노라드를 기판 상에 제조하는 방법, 이로부터 제조되는 인듐주석산화물 나노라드 투명전극 및 이를 이용한 태양전지, 각종 센서 등의 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 고가의 금속 촉매를 이용하지 않고, 고가의 고진공 증착 장비가 불필요하므로 공정 단가를 절감할 수 있으며, 높은 광변환 효율을 가지는 태양전지, 각종 센서 등의 소자를 제공할 수 있다.
Int. CL H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01)
출원번호/일자 1020100116404 (2010.11.22)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0054976 (2012.05.31) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성윤모 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김민석 대한민국 서울특별시 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0762238-58
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0765519-08
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 기판 상에 인듐(Indium)과 주석(Tin)을 베이퍼라이징(vaporizing)시켜 ITO 필름을 형성하는 단계;b) 상기 형성된 ITO 필름을 분해하여 ITO 시드를 형성하는 단계; 및c) 상기 ITO 시드를 이용하여 Vapor-Solid 공법으로 인듐(Indium)과 주석(Tin)을 베이퍼라이징(vaporizing)시켜, ITO 시드 위에 ITO 나노라드를 성장시키는 단계를 포함하는 ITO 나노라드의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 ITO 나노라드 제조방법은 촉매를 이용하지 않는 것을 특징으로 하는 ITO 나노라드 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 b)단계는 상기 형성된 ITO 필름을 열처리하여 분해하여 ITO 시드를 형성하는 것을 특징으로 하는 ITO 나노라드 제조방법
4 4
a) 기판 및 b) 상기 기판 위에 이격되고, 기판의 상방 방향으로 돌출되어 형성되어 있는 ITO 나노라드를 포함하는 ITO 나노라드 투명전극
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 ITO 나노라드는 a) 기판 상에 인듐(Indium)과 주석(Tin)을 베이퍼라이징(vaporizing)시켜 ITO 필름을 형성하는 단계;b) 상기 형성된 ITO 필름을 분해하여 ITO 시드를 형성하는 단계; 및c) 상기 ITO 시드를 이용하여 Vapor-Solid 공법으로 인듐(Indium)과 주석(Tin)을 베이퍼라이징(vaporizing)시켜, ITO 시드 위에 ITO 나노라드를 성장시키는 단계를 포함하는 방법에 의하여 제조되는 것을 특징으로 하는 ITO 나노라드 투명전극
6 6
청구항 4에 따른 ITO 나노라드 투명전극을 이용한 소자
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 소자는 태양전지, 광센서 및 가스센서로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국산업기술진흥원 고려대학교 산학협력단 한중앙아시아 부품소재 국제협력사업 나노구조 ITO 투명전극 개발