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레이저 간섭 리소그래피를 이용한 나노 화소 유기발광다이오드 어레이 제조방법

  • 기술번호 : KST2015134838
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 나노화소 유기발광다이오드 어레이의 제조 방법은, (a) 기판 위에 애노드를 형성하는 단계; (b) 상기 애노드 위에 화소형성층(pixel defining layer: PDL)을 형성하는 단계; (c) 상기 화소형성층 위에 감광층을 형성하는 단계; (d) 상기 감광층에 레이저 간섭 리소그래피를 이용하여 주기적인 구조의 나노홀 어레이를 가지는 감광층 패턴을 형성하는 단계; (e) 상기 감광층 패턴을 통해 상기 화소형성층을 식각하여 나노홀 어레이 패턴을 가지는 나노화소형성층을 형성하는 단계; (f) 상기 감광층 패턴을 상기 나노화소형성층으로부터 제거하는 단계; (g) 상기 나노화소형성층에 유기물질층을 형성하는 단계; 및 (h) 상기 유기물질층 위에 캐소드를 형성하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 나노 화소 유기발광다이오드의 제조 공정을 고속화 및 간편화할 수 있다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01) H01L 51/56 (2006.01)
CPC G03F 7/2006(2013.01) G03F 7/2006(2013.01) G03F 7/2006(2013.01)
출원번호/일자 1020140034188 (2014.03.24)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1499122-0000 (2015.02.27)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150306) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.03.24)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주병권 대한민국 서울특별시 종로구
2 황보연 대한민국 서울특별시 성북구
3 하현준 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0281456-49
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
3 등록결정서
Decision to grant		 2015.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0136238-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판 위에 애노드를 형성하는 단계; (b) 상기 애노드 위에 화소형성층(pixel defining layer: PDL)을 형성하는 단계; (c) 상기 화소형성층 위에 감광층을 형성하는 단계; (d) 상기 감광층에 레이저 간섭 리소그래피를 이용하여 주기적인 구조의 나노홀 어레이를 가지는 감광층 패턴을 형성하는 단계; (e) 상기 감광층 패턴을 통해 상기 화소형성층을 식각하여 나노홀 어레이 패턴을 가지는 나노화소형성층을 형성하는 단계;(f) 상기 감광층 패턴을 상기 나노화소형성층으로부터 제거하는 단계; (g) 상기 나노화소형성층에 유기물질층을 형성하는 단계; 및(h) 상기 유기물질층 위에 캐소드를 형성하는 단계를 포함하는 나노화소 유기발광다이오드 어레이 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 레이저 간섭 리소그래피 공정에서 노광 에너지를 제어하여 상기 나노홀 어레이의 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는 나노화소 유기발광다이오드 어레이 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 경희대학교 산학협력단 산업융합원천기술개발사업 [RCMS]AMOLED TV용 Soluble TFT 및 화소 형성 소재/공정 기술 개발_10045269