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자기 랜덤 액세스 메모리의 정보기록방법
- 기술번호 : KST2015135621
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 자기 랜덤 액세스 메모리의 정보기록방법이 개시된다. 본 발명에 따른 자기 랜덤 액세스 메모리의 정보기록방법은 자기소용돌이가 형성되어 있는 자기자유층 및 자기자유층과 오믹 콘택되도록 배치되어 있는 복수의 구동전극쌍을 구비한 자기기록소자가 행 및 열로 정렬되고, 각각의 자기기록소자는 인접한 자기기록소자와 구동전극쌍을 공유하여 어레이를 이루고 있는 자기 랜덤 액세스 메모리를 준비한다. 그리고 정보를 기록하고자 선택된 자기기록소자에 구비된 복수의 구동전극쌍에 소정의 전압을 인가하여, 선택된 자기기록소자에 구비된 자기자유층에 형성된 자기소용돌이 중심의 수직자화 방향을 원하는 방향으로 형성시키고 나머지 자기기록소자에 구비된 자기자유층에 형성된 자기소용돌이 중심의 수직자화 방향은 일정하게 유지한다. 그리고 자기기록소자에 구비된 자기자유층에 형성되어 있는 자기소용돌이 중심의 수직자화 방향에 따라 "0" 또는 "1"을 할당한다. 본 발명에 의하면, 시간에 따라 방향이 변하는 전류 또는 자기장을 자기기록소자에 인가하여, 자기기록소자의 자기자유층에 형성되어 있는 자기소용돌이 중심의 수직자화 방향을 선택적으로 스위칭할 수 있게 되어 정보의 기록을 손쉽고 정확하게 할 수 있다. 또한, 정보를 기록하고자 하는 자기기록소자의 선택이 용이하게 되고, 정보 기록에 적은 전력이 소모되며, 정보 기록을 위한 스위칭을 매우 빠른 속도로 할 수 있다. |
|---|---|
| Int. CL | G11C 11/16 (2006.01.01) H01L 43/08 (2006.01.01) H01L 43/10 (2006.01.01) H01L 27/22 (2006.01.01) G11C 11/15 (2006.01.01) |
| CPC | G11C 11/16(2013.01) G11C 11/16(2013.01) G11C 11/16(2013.01) G11C 11/16(2013.01) G11C 11/16(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020070105600 (2007.10.19) |
| 출원인 | 서울대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-0931555-0000 (2009.12.04) |
| 공개번호/일자 | 10-2009-0040039 (2009.04.23) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20091214) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2007.10.19) |
| 심사청구항수 | 24 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김상국 | 대한민국 | 서울 관악구 |
| 2 | 이기석 | 대한민국 | 서울 관악구 |
| 3 | 유영상 | 대한민국 | 서울 중랑구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 송경근 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사) |
| 2 | 박보경 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2007.10.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0749886-70 |
| 2 | [전자문서첨부서류]전자문서첨부서류등 물건제출서 [Attachment to Electronic Document] Submission of Object such as Attachment to Electronic Document |
2007.10.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-5086392-48 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5015497-73 |
| 4 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2008.05.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0383047-41 |
| 5 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2008.07.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 6 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2008.08.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0052008-50 |
| 7 | [출원인변경]권리관계변경신고서 [Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status |
2008.10.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0730217-57 |
| 8 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2009.07.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0312080-87 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2009.08.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0510179-40 |
| 10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2009.08.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0510168-48 |
| 11 | 등록결정서 Decision to grant |
2009.11.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0493105-85 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 자기소용돌이가 형성되어 있는 자기자유층 및 상기 자기자유층과 오믹 콘택되도록 배치되어 있는 복수의 구동전극쌍을 구비한 자기기록소자가 행 및 열로 정렬되고, 상기 각각의 자기기록소자는 인접한 자기기록소자와 상기 구동전극쌍을 공유하여 어레이를 이루고 있는 자기 랜덤 액세스 메모리를 준비하는 단계; 정보를 기록하고자 선택된 자기기록소자에 구비된 복수의 구동전극쌍에 소정의 전압을 인가하여, 상기 선택된 자기기록소자에 구비된 자기자유층에 형성된 자기소용돌이 중심의 수직자화 방향을 원하는 방향으로 형성시키고 나머지 자기기록소자에 구비된 자기자유층에 형성된 자기소용돌이 중심의 수직자화 방향은 일정하게 유지하는 단계; 및 상기 자기기록소자에 구비된 자기자유층에 형성되어 있는 자기소용돌이 중심의 수직자화 방향에 따라 "0" 또는 "1"을 할당하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리의 정보기록방법 |
| 2 |
2 제1항에 있어서, 상기 자기기록소자에 구비된 자기자유층에 형성되어 있는 자기소용돌이의 고유진동수가 상기 모든 자기기록소자에서 동일한 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리의 정보기록방법 |
| 3 |
3 제2항에 있어서, 상기 자기기록소자에 구비된 복수의 구동전극쌍은, 2개의 구동전극쌍으로 이루어지고, 상기 2개의 구동전극쌍을 이루는 4개의 구동전극은 인접한 자기기록소자의 방향으로 길게 뻗은 판 형상으로 상기 자기기록소자에 구비된 자기자유층의 둘레 방향을 따라 90°의 간격으로 배치되며, 서로 마주보고 있는 2개의 구동전극이 각 하나의 구동전극쌍을 이루는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리의 정보기록방법 |
| 4 |
4 제3항에 있어서, 상기 선택된 자기기록소자에 구비된 자기자유층에 형성된 자기소용돌이 중심의 수직자화 방향은 원하는 방향으로 형성시키고 나머지 자기기록소자에 구비된 자기자유층에 형성된 자기소용돌이 중심의 수직자화 방향은 일정하게 유지하는 단계는, 상기 선택된 자기기록소자에 구비된 2개의 구동전극쌍에 소정의 위상 차이를 가지며 진동수가 동일한 사인파형 또는 코사인파형의 교류 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리의 정보기록방법 |
| 5 |
5 제3항에 있어서, 상기 선택된 자기기록소자에 구비된 자기자유층에 형성된 자기소용돌이 중심의 수직자화 방향은 원하는 방향으로 형성시키고 나머지 자기기록소자에 구비된 자기자유층에 형성된 자기소용돌이 중심의 수직자화 방향은 일정하게 유지하는 단계는, 상기 선택된 자기기록소자에 구비된 2개의 구동전극쌍에 90°의 위상 차이를 가지며, 진폭과 진동수가 동일한 사인파형 또는 코사인파형의 교류 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리의 정보기록방법 |
| 6 |
6 제3항에 있어서, 상기 선택된 자기기록소자에 구비된 자기자유층에 형성된 자기소용돌이 중심의 수직자화 방향은 원하는 방향으로 형성시키고 나머지 자기기록소자에 구비된 자기자유층에 형성된 자기소용돌이 중심의 수직자화 방향은 일정하게 유지하는 단계는, 상기 선택된 자기기록소자에 구비된 2개의 구동전극쌍에 진동수 및 위상이 동일한 교류 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리의 정보기록방법 |
| 7 |
7 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 선택된 자기기록소자에 구비된 2개의 구동전극쌍에 인가되는 전압의 진동수는 상기 자기기록소자의 자기자유층에 형성된 자기소용돌이의 고유진동수와 동일한 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리의 정보기록방법 |
| 8 |
8 제3항에 있어서, 상기 선택된 자기기록소자에 구비된 자기자유층에 형성된 자기소용돌이 중심의 수직자화 방향은 원하는 방향으로 형성시키고 나머지 자기기록소자에 구비된 자기자유층에 형성된 자기소용돌이 중심의 수직자화 방향은 일정하게 유지하는 단계는, 상기 선택된 자기기록소자에 구비된 2개의 구동전극쌍을 통해 소정의 위상 차이를 가지며 진동수가 동일한 사인펄스 또는 코사인펄스 형태의 전압을 2개 인가하되, 상기 2개의 펄스 형태의 전압이 적어도 일정 시간 동안 함께 인가되는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리의 정보기록방법 |
| 9 |
9 제8항에 있어서, 상기 선택된 자기기록소자에 구비된 2개의 구동전극쌍을 통해 인가되는 사인펄스 또는 코사인펄스 형태의 전압은 1/4주기 시간 차이를 두고 인가되는 것을 특징으로 하는 자기기록소자의 정보기록방법 |
| 10 |
10 제3항에 있어서, 상기 선택된 자기기록소자에 구비된 자기자유층에 형성된 자기소용돌이 중심의 수직자화 방향은 원하는 방향으로 형성시키고 나머지 자기기록소자에 구비된 자기자유층에 형성된 자기소용돌이 중심의 수직자화 방향은 일정하게 유지하는 단계는, 상기 선택된 자기기록소자에 구비된 2개의 구동전극쌍을 통해 2개의 펄스 형태의 전압을 소정의 시간 차이를 가지고 인가하되, 상기 2개의 펄스 형태의 전압이 적어도 일정 시간 동안 함께 인가되는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리의 정보기록방법 |
| 11 |
11 제10항에 있어서, 상기 선택된 자기기록소자에 구비된 2개의 구동전극쌍을 통해 인가되는 펄스 형태는 가우시안 밀집도를 가지는 펄스 형태인 것을 특징으로 하는 자기기록소자의 정보기록방법 |
| 12 |
12 제11항에 있어서, 상기 선택된 자기기록소자에 구비된 2개의 구동전극쌍을 통해 인가되는 가우시안 밀집도를 가지는 펄스 형태의 전압은 평균값과 반치폭(full width at half maximum)이 동일하고, 반치폭의 절반 시간 차이를 두고 인가되는 것을 특징으로 하는 자기기록소자의 정보기록방법 |
| 13 |
13 자기소용돌이가 형성되어 있는 자기자유층 및 상기 자기자유층의 상부 및 하부 중 적어도 하나에 서로 교차 형성된 복수의 구동전극을 구비한 자기기록소자가 행 및 열로 정렬되고, 상기 각각의 자기기록소자는 인접한 자기기록소자와 상기 구동전극을 공유하여 어레이를 이루고 있는 자기 랜덤 액세스 메모리를 준비하는 단계; 정보를 기록하고자 선택된 자기기록소자에 구비된 복수의 구동전극에 소정의 전류를 인가하여, 상기 선택된 자기기록소자에 구비된 자기자유층에 형성된 자기소용돌이 중심의 수직자화 방향을 원하는 방향으로 형성시키고 나머지 자기기록소자에 구비된 자기자유층에 형성된 자기소용돌이 중심의 수직자화 방향은 일정하게 유지하는 단계; 및 상기 모든 자기기록소자에 구비된 자기자유층에 형성된 자기소용돌이 중심의 수직자화 방향에 따라 "0" 또는 "1"을 할당하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리의 정보기록방법 |
| 14 |
14 제13항에 있어서, 상기 자기기록소자에 구비된 자기자유층에 형성된 자기소용돌이의 고유진동수가 상기 모든 자기기록소자에서 동일한 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리의 정보기록방법 |
| 15 |
15 제14항에 있어서, 상기 자기기록소자에 구비된 복수의 구동전극은, 길게 뻗은 판 형상으로 상기 자기기록소자에 구비된 자기자유층의 상부에 90°의 각도로 서로 교차되게 2개 배치되는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리의 정보기록방법 |
| 16 |
16 제15항에 있어서, 상기 선택된 자기기록소자에 구비된 자기자유층에 형성된 자기소용돌이 중심의 수직자화 방향은 원하는 방향으로 형성시키고 나머지 자기기록소자에 구비된 자기자유층에 형성된 자기소용돌이 중심의 수직자화 방향은 일정하게 유지하는 단계는, 상기 선택된 자기기록소자에 구비된 2개의 구동전극에 소정의 위상 차이를 가지며, 진동수가 동일한 사인파형 또는 코사인파형의 교류 전류를 인가하는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리의 정보기록방법 |
| 17 |
17 제15항에 있어서, 상기 선택된 자기기록소자에 구비된 자기자유층에 형성된 자기소용돌이 중심의 수직자화 방향은 원하는 방향으로 형성시키고 나머지 자기기록소자에 구비된 자기자유층에 형성된 자기소용돌이 중심의 수직자화 방향은 일정하게 유지하는 단계는, 상기 선택된 자기기록소자에 구비된 2개의 구동전극에 90°의 위상 차이를 가지며, 진폭과 진동수가 동일한 사인파형 또는 코사인파형의 교류 전류를 인가하는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리의 정보기록방법 |
| 18 |
18 제15항에 있어서, 상기 선택된 자기기록소자에 구비된 자기자유층에 형성된 자기소용돌이 중심의 수직자화 방향은 원하는 방향으로 형성시키고 나머지 자기기록소자에 구비된 자기자유층에 형성된 자기소용돌이 중심의 수직자화 방향은 일정하게 유지하는 단계는, 상기 선택된 자기기록소자에 구비된 2개의 구동전극에 진동수와 위상이 동일한 교류 전류를 인가하는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리의 정보기록방법 |
| 19 |
19 제16항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 선택된 자기기록소자의 2개의 구동전극에 인가되는 전류의 진동수는 상기 자기기록소자의 자기자유층에 형성된 자기소용돌이의 고유진동수와 동일한 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리의 정보기록방법 |
| 20 |
20 제15항에 있어서, 상기 선택된 자기기록소자에 구비된 자기자유층에 형성된 자기소용돌이 중심의 수직자화 방향은 원하는 방향으로 형성시키고 나머지 자기기록소자에 구비된 자기자유층에 형성된 자기소용돌이 중심의 수직자화 방향은 일정하게 유지하는 단계는, 상기 선택된 자기기록소자에 구비된 2개의 구동전극을 통해 소정의 위상 차이를 가지며 진동수가 동일한 사인펄스 또는 코사인펄스 형태의 전류를 2개 인가하되, 상기 2개의 펄스 형태의 전류가 적어도 일정 시간 동안 함께 인가되는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리의 정보기록방법 |
| 21 |
21 제20항에 있어서, 상기 선택된 자기기록소자에 구비된 2개의 구동전극을 통해 인가되는 사인펄스 또는 코사인펄스 형태의 전류는 1/4주기 시간 차이를 두고 인가되는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리의 정보기록방법 |
| 22 |
22 제15항에 있어서, 상기 선택된 자기기록소자에 구비된 자기자유층에 형성된 자기소용돌이 중심의 수직자화 방향은 원하는 방향으로 형성시키고 나머지 자기기록소자에 구비된 자기자유층에 형성된 자기소용돌이 중심의 수직자화 방향은 일정하게 유지하는 단계는, 상기 선택된 자기기록소자에 구비된 2개의 구동전극을 통해 2개의 펄스 형태의 전류를 소정의 시간 차이를 가지고 인가하되, 상기 2개의 펄스 형태의 전류가 적어도 일정 시간 동안 함께 인가되는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리의 정보기록방법 |
| 23 |
23 제22항에 있어서, 상기 선택된 자기기록소자에 구비된 2개의 구동전극을 통해 인가되는 펄스 형태는 가우시안 밀집도를 가지는 펄스 형태인 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리의 정보기록방법 |
| 24 |
24 제23항에 있어서, 상기 선택된 자기기록소자에 구비된 2개의 구동전극을 통해 인가되는 가우시안 밀집도를 가지는 펄스 형태의 전류는 평균값과 반치폭(full width at half maximum)이 동일하고, 반치폭의 절반 시간 차이를 두고 인가되는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리의 정보기록방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | EP02206119 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
| 2 | EP02206119 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
| 3 | KR100931547 | KR | 대한민국 | FAMILY |
| 4 | US08300453 | US | 미국 | FAMILY |
| 5 | US20100290281 | US | 미국 | FAMILY |
| 6 | WO2009051441 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2010290281 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US8300453 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 과학기술부 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | R16:창의적연구진흥사업 | 스핀파 동역학-소자 연구단(스핀파의 파동적 특성및 이를 이용한 스핀파 소자 연구 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
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- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0931555-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20071019 출원 번호 : 1020070105600 공고 연월일 : 20091214 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20091130 청구범위의 항수 : 24 유별 : G11C 11/15 발명의 명칭 : 자기 랜덤 액세스 메모리의 정보기록방법 존속기간(예정)만료일 : 20121205 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 490,500 원 | 2009년 12월 07일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2007.10.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0749886-70 |
| 2 | [전자문서첨부서류]전자문서첨부서류등 물건제출서 | 2007.10.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-5086392-48 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5015497-73 |
| 4 | [출원서등 보정]보정서 | 2008.05.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0383047-41 |
| 5 | 선행기술조사의뢰서 | 2008.07.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 6 | 선행기술조사보고서 | 2008.08.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0052008-50 |
| 7 | [출원인변경]권리관계변경신고서 | 2008.10.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0730217-57 |
| 8 | 의견제출통지서 | 2009.07.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0312080-87 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 | 2009.08.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0510179-40 |
| 10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2009.08.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0510168-48 |
| 11 | 등록결정서 | 2009.11.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0493105-85 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345098827 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2006-0050688 |
| 연구과제명 | 스핀파의파동적특성및이를이용한스핀파소자연구(스핀파동역학-소자연구단) |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200604~201502 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1355050515 |
|---|---|
| 세부과제번호 | R16-2006-066-01001-0 |
| 연구과제명 | 스핀파동역학-소자연구단(스핀파의파동적특성및이를이용한스핀파소자연구)영문:CenterforSpinDynamics&Spin-WaveDevices(ReC-SDSW)(Studyonthewavecharacteristicsofspinwavesandspin-wavedevices) |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2007 |
| 연구기간 | 200604~201502 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
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