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희박자성반도체와 비자성화합물반도체을 포함하는 혼성이중양자디스크 구조 및 자기장의 변화에 따른 희박자성반도체 양자점의 에너지준위 역전 현상을 이용한 스핀 양자상태 조절구조 및 그 방법

  • 기술번호 : KST2015134984
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 희박자성반도체와 비자성화합물반도체을 포함하는 혼성이중양자디스크 구조 및 상기 혼성이중양자디스크 구조에서 자기장의 변화에 따른 희박자성반도체 양자점의 에너지준위 역전 현상을 이용한 스핀 양자상태 조절구조 및 그 조절방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 희박자성반도체와 비자성화합물반도체로 만들어진 혼성이중양자디스크(Hybrid double quantum disks)에서 희박자성반도체의 매우 큰 제만 스플리팅(Giant Zeeman splitting) 성질과 인가된 자기장의 변화에 따라 에너지준위가 뒤 바뀌는 현상(level crossing phenomena)을 이용하여, 혼성이중양자디스크 구조에서 인가된 자기장의 세기를 변화시켜 스핀-업(spin-up)상태와 스핀-다운(spin-down) 상태의 위치를 서로 바꾸는 방법에 관한 것이다. 이 구조의 스핀완화시간은 마이크로초 정도이므로 이 정도의 시간동안은 스핀의 상태가 잘 정의되므로 오늘날의 기가헤르츠 (gigahertz) 클럭 빠르기의 마이크로프로세서 내에서 응용이 가능하다. 혼성이중양자디스크구조, 스핀조절디바이스, 희박자성반도체
Int. CL G11C 11/16 (2006.01.01) H01L 43/02 (2006.01.01) B82Y 25/00 (2017.01.01) B82Y 10/00 (2017.01.01)
CPC G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01)
출원번호/일자 1020080098603 (2008.10.08)
출원인 서울대학교산학협력단, 삼성전자주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0039580 (2010.04.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김희상 대한민국 서울 영등포구
2 김남미 대한민국 서울 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박진호 대한민국 서울특별시 송파구 송파대로 ***, 옥명빌딩 *층 (송파동)(플랜국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0701967-02
2 보정요구서
Request for Amendment		 2008.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0120631-43
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0799105-92
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0878230-77
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.10.08 무효 (Invalidation) 1-1-2013-0908986-75
9 보정요구서
Request for Amendment		 2013.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0125872-63
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-1062671-12
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-1174838-99
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.01.21 무효 (Invalidation) 1-1-2014-0060780-55
13 보정요구서
Request for Amendment		 2014.02.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0016550-88
14 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2014.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0032672-14
15 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2014.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0036950-06
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체로 생장되는 나노막대 또는 나노와이어 내에 희박자성반도체(DMS) 디스크가 하단의 소정영역에 삽입되고, 비자성화합물반도체 디스크가 상단의 소정영역에 삽입되되, 상기 희박자성반도체 디스크와 비자성화합물반도체 디스크 사이에는 소정 간격이 형성된 혼성이중양자디스크 구조
2 2
제 1항에 있어서, 상기 희박자성반도체(DMS) 디스크와 비자성화합물반도체 디스크는 각각 P형 또는 N형 중 어느 하나임을 특징으로 혼성이중양자디스크 구조
3 3
제 1항에 있어서, 상기 나노막대 또는 나노와이어, 희박자성반도체(DMS) 디스크 및 비자성화합물반도체 디스크는 각각 III-V족 또는 II-VI족 화합물 반도체 중 어느 하나임을 특징으로 하는 혼성이중양자디스크 구조
4 4
반도체로 생장되는 나노막대 또는 나노와이어 내에 희박자성반도체(DMS) 디스크가 하단의 소정영역에 삽입되고, 비자성화합물반도체 디스크가 상단의 소정영역에 삽입되되, 상기 희박자성반도체 디스크와 비자성화합물반도체 디스크 사이에는 소정 간격이 형성된 혼성이중양자디스크에 인가된 자기장 세기의 변화에 따라 상기 희박자성반도체 양자점의 에너지 준위 역전 현상을 발생시키는 것을 특징으로 하는 스핀 양자상태 조절 구조
5 5
제 4항에 있어서, 상기 희박자성반도체(DMS) 디스크와 비자성화합물반도체 디스크는 각각 P형 또는 N형 중 어느 하나임을 특징으로 하는 스핀 양자상태 조절구조
6 6
제 4항에 있어서, 상기 나노막대 또는 나노와이어, 희박자성반도체(DMS) 디스크 및 비자성화합물반도체 디스크는 각각 III-V족 또는 II-VI족 화합물 반도체 중 어느 하나임을 특징으로 하는 스핀 양자상태 조절구조
7 7
제 4항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 의한 조절구조에 대하여, 인가된 자기장의 세기를 증가시키는 경우, 상기 비자성화합물반도체의 스핀 상태의 분포와 희박자성반도체(DMS)의 스핀 상태의 분포가 서로 위치를 바꾸고, 인가된 자기장의 세기를 원래대로 감소시키는 경우 전하의 스핀 상태의 분포가 다시 원래의 상태대로 돌아감을 특징으로 하는 인가된 자기장 세기의 변화에 의한 스핀 양자상태 조절방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 서울대학교 산학협력재단 서울시 산학연 협력사업-기술기반구축사업 나노바이오 시스템 및 응용소재