| 1 |
1
삭제
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
반도체 기판;상기 반도체 기판 상에 p형 게르마늄으로 형성된 발광층; 및상기 발광층 상에 n형 직접 밴드갭 반도체층이 이종접합으로 형성되어 상기 게르마늄의 감마 밸리로 전자를 전송하는 전자전송층을 포함하여 구성되되,상기 반도체 기판은 p형 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 게르마늄 전기발광소자
|
| 4 |
4
제 3 항에 있어서,상기 실리콘 기판과 상기 발광층 사이에는 p형 실리콘게르마늄층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 게르마늄 전기발광소자
|
| 5 |
5
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 전자전송층은 AlxGa1-xAs으로 형성되고,상기 알루미늄(Al)의 조성비 x는 0
|
| 6 |
6
제 5 항에 있어서,상기 발광층과 상기 전자전송층 사이에는 불순물이 도핑되지 않은 진성 반도체층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 게르마늄 전기발광소자
|
| 7 |
7
제 6 항에 있어서,상기 진성 반도체층은 상기 전자전송층과 동일한 조성을 갖는 물질층인 것을 특징으로 하는 게르마늄 전기발광소자
|
| 8 |
8
제 7 항에 있어서,상기 전자전송층 상에 n형 클래드층(cladding layer)이 더 형성되고,상기 클래드층 상에 n측 컨택부가 형성되고,상기 반도체 기판 또는 상기 발광층에 p측 컨택부가 형성된 것을 특징으로 하는 게르마늄 전기발광소자
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서,상기 발광층, 상기 진성 반도체층, 상기 전자전송층 및 상기 클래드층이 원기둥 형상으로 돌출 형성되고,상기 n측 컨택부는 상기 원기둥 형상의 상부에 투명 전극 또는 불투명 금속 전극으로 원형 링 형상으로 형성되고,상기 p측 컨택부는 상기 원기둥 형상의 하부에 일정 거리 이격되어 상기 원기둥 형상을 둘러싸며 원형 링 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 게르마늄 전기발광소자
|
| 10 |
10
게르마늄 기판에 p형 불순물을 도핑하여 p+ 발광층을 형성하는 제 1 단계;상기 게르마늄 기판 상에 진성 반도체층, n+ 전자전송층 및 n+ 클래드층을 에피택시로 순차 성장시키는 제 2 단계;상기 클래드층 상에 식각 마스크를 형성하고, 상기 식각 마스크를 이용하여 비등방성 건식 식각으로 상기 클래드층, 상기 전자전송층, 상기 진성 반도체층 및 상기 게르마늄 기판을 식각하여 상기 게르마늄 기판 상에 돌출된 액티브 영역을 형성하는 제 3 단계; 및상기 액티브 영역 상부 및 상기 게르마늄 기판에 각각 n측 컨택부 및 p측 컨택부를 형성하는 제 4 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 게르마늄 전기발광소자의 제조방법
|
| 11 |
11
제 10 항에 있어서,상기 게르마늄 기판의 상부표면은 (001) 면을 갖되 [111] 방향으로 4°이상 기울여진 것을 특징으로 하는 게르마늄 전기발광소자의 제조방법
|
| 12 |
12
제 10 항에 있어서,상기 제 1 단계 이전에 실리콘 기판 상에 불연속적 또는 연속적으로 게르마늄 함량을 추가하여 실리콘게르마늄 완충층을 형성하고, 상기 실리콘게르마늄 완충층 상에 상기 게르마늄 기판을 에피택시로 성장시키는 단계가 더 추가된 것을 특징으로 하는 게르마늄 전기발광소자의 제조방법
|
| 13 |
13
제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 클래드층은 GaAs로 형성되고,상기 진성 반도체층 및 상기 전자전송층은 AlxGa1-xAs으로 형성되고,상기 알루미늄(Al)의 조성비 x는 0
|
| 14 |
14
제 13 항에 있어서,상기 제 2 단계는 성장 사이 공기 노출 없이 상기 게르마늄 기판 상에 상기 진성 반도체층, 상기 전자전송층 및 상기 클래드층을 연속적으로 성장시킨 것을 특징으로 하는 게르마늄 전기발광소자의 제조방법
|
| 15 |
15
제 14 항에 있어서,상기 액티브 영역은 원기둥 형상으로 돌출되되, 상기 제 3 단계에서 상기 게르마늄 기판의 일부를 식각하여 상기 발광층이 형성되도록 한 것을 특징으로 하는 게르마늄 전기발광소자의 제조방법
|
| 16 |
16
제 15 항에 있어서,상기 게르마늄 기판 및 상기 발광층은 각각 p형 불순물을 1x1018 ~ 2x1018/㎤의 도핑농도로 도핑되고,상기 클래드층 및 상기 전자전송층은 각각 n형 불순물을 3x1018~ 4x1018/㎤, 4x1018~ 5x1018/㎤로 인시튜 도핑(in-situ doping)된 것을 특징으로 하는 게르마늄 전기발광소자의 제조방법
|
