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반도체 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015137038
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자는 제1 타입으로 도핑된 반도체 기판; 하나 이상의 소자가 형성되며, 상기 반도체 기판의 일면으로부터 내부로 형성되는 제2 타입으로 도핑된 딥 웰(Deep Well); 상기 반도체 기판의 상기 일면의 일부에 형성되며, 상기 딥 웰 상부에 형성되는 제1 전기적 접촉; 및 상기 반도체 기판의 다른 일면에 형성되는 제2 전기적 접촉을 포함하고, 상기 반도체 소자는 상기 제1 전기적 접촉 및 상기 제2 전기적 접촉을 이용하여 전원을 입력받고, 데이터를 입출력할 수 있다.
Int. CL H01L 21/8238 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020130092703 (2013.08.05)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1492861-0000 (2015.02.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150212) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.08.05)
심사청구항수 23

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안진홍 대한민국 경기 용인시 수지구
2 박영준 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-0708638-66
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.04.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.05.15 수리 (Accepted) 9-1-2014-0041938-35
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0429837-15
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0767940-02
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.08.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0767971-17
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2014.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0839955-44
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2014.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2014-1206134-95
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.01.06 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0011813-71
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-0011808-42
11 등록결정서
Decision to grant		 2015.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0035719-85
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 타입으로 도핑된 반도체 기판;하나 이상의 소자가 형성되며, 상기 반도체 기판의 일면으로부터 내부로 형성되는 제2 타입으로 도핑된 딥 웰(Deep Well);상기 반도체 기판의 상기 일면의 상기 딥 웰로 둘러싸인 영역 내에 형성되며 상기 제1 타입으로 도핑되고 상기 딥 웰에 의하여 상기 반도체 기판과 분리되는 제1 웰; 상기 반도체 기판의 상기 일면의 일부에 형성되며, 상기 제1 웰과 전기적으로 연결되는 제1 전기적 접촉; 및상기 반도체 기판의 다른 일면에 형성되는 제2 전기적 접촉을 포함하는 반도체 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 반도체 소자는상기 제1 전기적 접촉 및 상기 제2 전기적 접촉을 이용하여 전원을 입력받고, 데이터를 입출력하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 제1 전기적 접촉은금속 배선의 형태로 상기 제1 웰과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 제2 전기적 접촉은금속판 형태의 접촉인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 제1 전기적 접촉과 상기 제2 전기적 접촉은상기 반도체 기판과 상기 딥 웰 사이에 형성되는 제1 PN 접합과 상기 딥 웰과 상기 제1 웰 사이에 형성되는 제2 PN 접합에 의해 분리되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
6 6
제1항에 있어서,적어도 상기 딥 웰이 형성된 영역을 포함하는 상기 반도체 기판의 상기 일면 상부에 형성되는 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
7 7
제6항에 있어서,상기 절연층은상기 제1 전기적 접촉과 상기 반도체 기판을 전기적으로 분리하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
8 8
제1항에 있어서,상기 반도체 기판의 상기 일면 상의 상기 딥 웰 영역의 외부에 상기 제1 타입으로 도핑되고, 데이터 입출력 단자와 전기적으로 연결되는 제2 웰을 더 포함하고,상기 하나 이상의 소자는상기 딥 웰이 형성된 영역 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
9 9
제1항에 있어서,상기 딥 웰 내에 배치되며, 칩 표면 물질을 감지하기 위한 전극구조를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
10 10
외부 기기로 전송할 제1 데이터를 저장하는 데이터 저장부;상기 외부 기기로부터 전송된 전원 전력과 제2 데이터에 대한 수신, 상기 데이터 저장부에 저장된 상기 제1 데이터에 대한 상기 외부 기기로의 송신을 스위칭 제어 신호에 의해 스위칭하는 스위칭부; 및수신 모드와 송신 모드에 해당하는 스위칭 제어 신호를 상기 스위칭부로 출력하고, 상기 수신 모드인 경우 상기 스위칭부를 통해 수신된 상기 제2 데이터를 미리 결정된 프로토콜을 이용하여 처리하며, 상기 처리된 상기 제2 데이터에 미리 결정된 특정 데이터가 포함된 경우 상기 송신 모드로 전환한 후 상기 스위칭부를 제어하고 상기 제1 데이터를 상기 프로토콜을 이용하여 상기 외부 기기로 전송하는 데이터 송수신 제어부를 포함하고,상기 전원 전력, 상기 제2 데이터 및 상기 제1 데이터는반도체 기판의 일면에 형성되는 제1 전기적 접촉과 상기 반도체 기판의 다른 일면에 형성되는 제2 전기적 접촉을 통해 송수신되는 반도체 장치
11 11
제10항에 있어서,상기 데이터 저장부, 상기 스위칭부 및 상기 데이터 송수신 제어부는상기 반도체 기판의 상기 일면으로부터 내부로 형성되는 딥 웰(Deep Well) 영역 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
12 12
제10항에 있어서,상기 데이터 송수신 제어부는상기 제1 데이터를 시간 영역에서 인코딩하고, 상기 인코딩된 상기 제1 데이터를 상기 프로토콜을 이용하여 상기 외부 기기로 전송하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
13 13
제1 전기적 접촉과 제2 전기적 접촉이 PN 다이오드 형태로 분리되고 상기 제1 전기적 접촉과 상기 제2 전기적 접촉의 2개의 단자로 전원 전력의 수신, 제1 데이터의 전송, 및 제2 데이터의 수신을 모두 수행하는 2단자 반도체 장치의 외부에서, 상기 2개의 단자 간의 전압조절에 의하여 상기 전원 전력과 상기 제2 데이터를 상기 2단자 반도체 장치로 전송하며, 상기 제2 데이터에 포함된 스위칭 제어 신호와 미리 결정된 프로토콜에 따라 상기 2단자 반도체 장치로부터 상기 제1 데이터를 수신하는 송수신 단자를 포함하고,상기 제1 전기적 접촉은상기 2단자 반도체 장치가 형성되는 반도체 기판의 일면에 형성되며,상기 제2 전기적 접촉은상기 반도체 기판의 다른 일면에 형성되는 2단자 반도체 장치용 컨트롤러
14 14
제13항에 있어서,상기 제2 데이터를 시간 영역에서 인코딩하고, 상기 인코딩된 제2 데이터를 상기 송수신 단자를 경유하여 상기 2단자 반도체 장치로 전송하는 인코딩부; 및상기 송수신 단자를 경유하여 상기 2단자 반도체 장치로부터 상기 제1 데이터를 수신하고, 상기 수신된 제1 데이터를 시간 영역에서 디코딩하는 디코딩부;를 포함하는 2단자 반도체 장치용 컨트롤러
15 15
제1 타입으로 도핑된 반도체 기판의 일면으로부터 내부로 제2 타입으로 도핑된 딥 웰(Deep Well)을 형성하는 단계;상기 반도체 기판의 상기 일면의 상기 딥 웰로 둘러싸인 영역 내에 상기 제1 타입으로 도핑되고 상기 딥 웰에 의하여 상기 반도체 기판과 분리되는 제1 웰을 형성하는 단계;상기 딥 웰 내에 하나 이상의 소자를 형성하는 단계;상기 반도체 기판의 상기 일면에 형성된 상기 제1 웰의 상부 일부에 제1 전기적 접촉을 형성하는 단계; 및상기 반도체 기판의 다른 일면에 제2 전기적 접촉을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조 방법
16 16
제15항에 있어서,상기 반도체 기판의 양면에 형성되는 상기 제1 전기적 접촉과 상기 제2 전기적 접촉은상기 반도체 소자의 전원을 입력받고, 데이터를 입출력하는 두 단자로 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
17 17
제15항에 있어서,상기 제1 전기적 접촉은금속 배선의 형태로 상기 제1 웰과 전기적으로 연결되고,상기 제2 전기적 접촉은금속판 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
18 18
제15항에 있어서,적어도 상기 딥 웰이 형성된 영역을 포함하는 상기 반도체 기판의 상기 일면 상부에 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
19 19
제15항에 있어서,상기 딥 웰 영역 상에 칩 표면 물질 또는 주변 물질을 감지하기 위한 전극 구조를 더 형성하는 단계; 및상기 전극 구조가 형성된 이후에 상기 칩 표면 물질 또는 상기 주변 물질을 감지하기 위한 전기적인 특성이 변화되는 재료를 산포 또는 적층하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
20 20
상부 단자와 하부 단자를 구비한 복수의 반도체 센서들의 상기 하부 단자를 제1 전기적 접촉을 위한 전극판 상의 랜덤(random)한 위치에 접촉시키는 단계;상기 전극판 상에 접촉된 상기 복수의 반도체 센서들 각각의 위치를 감지하는 단계;상기 감지된 상기 복수의 반도체 센서들에 대한 상기 상부 전극에 제2 전기적 접촉을 위한 전극 단자를 접촉시키는 단계; 및상기 전극판과 상기 전극 단자를 이용하여 상기 복수의 반도체 센서들 각각에 의해 센싱된 정보를 수집하는 단계를 포함하고,상기 상부 전극은상기 복수의 반도체 센서들 각각이 형성되는 반도체 기판의 일면에 형성되며,상기 하부 전극은상기 반도체 기판의 다른 일면에 형성되는 반도체 센서의 데이터 수집 방법
21 21
제20항에 있어서,상기 복수의 반도체 센서들 각각은제1 타입으로 도핑된 상기 반도체 기판;하나 이상의 소자가 형성되며, 상기 반도체 기판의 상기 일면으로부터 내부로 형성되는 제2 타입으로 도핑된 딥 웰(Deep Well);상기 반도체 기판의 상기 일면의 일부에 형성되며, 상기 딥 웰 상부에 형성되는 상기 상부 단자; 및상기 반도체 기판의 상기 다른 일면에 형성되는 상기 하부 단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 센서의 데이터 수집 방법
22 22
제20항에 있어서,상기 위치를 감지하는 단계는상기 전극판 상에 접촉된 상기 복수의 반도체 센서들에 대한 영상을 촬영하고, 상기 촬영된 영상에 대한 영상 처리를 이용하여 상기 복수의 반도체 센서들 각각의 위치를 감지하는 것을 특징으로 하는 반도체 센서의 데이터 수집 방법
23 23
제20항에 있어서,상기 전극 단자를 접촉시키는 단계는상기 복수의 반도체 센서들의 개수에 해당하는 복수의 상기 전극 단자를 이용하여 상기 복수의 반도체 센서들 각각의 상기 상부 전극에 동시에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 반도체 센서의 데이터 수집 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학교 산학협력단 글로벌프론티어사업 초저전력/초소형 나노 소자 및 재구성 가능 3 차원 집적 시스템