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반도체 물질로 이루어진 기판,상기 기판 상에 배치되는 제 1 전극,상기 제 1 전극 상에 배치되며, 절연 물질로 이루어진 산화물층,상기 산화물층 중 일영역인 0
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 규소(Si), 게르마늄(Ge), 또는 화합물 반도체 중 어느 하나로 형성된 커패시터 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극은 도전성 물질이나 도전성 산화물로 형성된 커패시터 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극은 산화루세늄(RuO2), 루세늄(Ru), 산화이리듐(IrO2), 이리듐(Ir) 중에서 선택된 어느 하나로 형성되거나 둘 이상의 합금으로 형성되거나, 서로 다른 둘 이상의 물질을 적층하여 형성되는 커패시터 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극은 상기 제 1 전극과 동일한 물질로 형성되는 커패시터 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극은 백금(Pt), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 코발트(Co), 팔라듐(Pd), 금(Au), 이리듐(Ir), 텅스텐(W), 및 니켈(Ni) 중에서 선택된 어느 하나로 형성되거나 둘 이상의 합금으로 형성되거나, 서로 다른 둘 이상의 물질을 적층하여 형성되는 커패시터 소자
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제 1 항에 있어서,상기 산화물층은 산화규소(SiO2), 질화규소(Si3N4), 산화알루미늄(Al2O3), 산화탄탈륨(Ta2O5), 티탄스트론튬산화물(SrTiO3), 산화지르코늄(ZrO2), 산화하프늄(HfO2), 하프늄실리콘산화물(HfSiO4), 산화란타늄(La2O3), 산화이트륨(Y2O3), 란타늄알루미늄산화물(LaAlO3) 중 선택된 어느 하나로 형성되거나 서로 다른 둘 이상의 물질을 적층 또는 혼합하여 형성되는 커패시터 소자
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제 1 항에 있어서,상기 산화물층은 산화티타늄(TiO2)으로 형성되는 커패시터 소자
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제 1 항에 있어서,상기 차단층은 도핑된 알루미늄(Al)이 상기 제 1 전극과 상기 산화물층의 계면까지 확산(diffusion)될 수 있도록 하는 두께로 형성된 커패시터 소자
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10
제 8 항에 있어서,상기 차단층은 상기 산화티타늄을 루타일(rutile) 상으로 성장시키는 두께로 형성된 커패시터 소자
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삭제
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제 1 항에 있어서,상기 차단층은 상기 제 1 전극으로부터 0
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