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유기 발광 소자, 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 조명

  • 기술번호 : KST2015136578
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판; 상기 기판 상에 형성된 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 형성된 n-도핑층, 상기 n-도핑층 상에 형성된 유기발광층, 상기 유기발광층 상에 형성된 정공수송층 및 상기 정공수송층 상에 형성되고 결정성(crystalline) 유기화합물을 포함하는 정공주입층을 포함하는 유기층; 상기 유기층 상에 형성된 투명한 상부 전극; 및 상기 투명한 상부 전극 상에 형성된 캡핑층을 포함하고, 상기 캡핑층은 굴절률이 1.0 내지 2.0 미만인 유기 발광 소자, 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 조명에 관한 것이다.
Int. CL H01L 51/52 (2006.01.01)
CPC H01L 51/5275(2013.01)
출원번호/일자 1020130132529 (2013.11.01)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1581033-0000 (2015.12.22)
공개번호/일자 10-2015-0069577 (2015.06.24) 문서열기
공고번호/일자 (20151229) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.11.29)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김장주 대한민국 서울 종로구
2 김정범 대한민국 경기 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2013-0998215-35
2 청구범위 제출유예 안내서
Notification for Deferment of Submission of Claims		 2013.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0137268-21
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.11.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1096510-11
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-1096504-47
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.06.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0055595-40
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.12.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0847543-80
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.02.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0142380-31
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-0142379-95
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0416599-73
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.08.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0763743-55
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-0763742-10
15 등록결정서
Decision to grant		 2015.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0886632-38
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 형성된 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성된 n-도핑층, 상기 n-도핑층 상에 형성된 유기발광층, 상기 유기발광층 상에 형성된 정공수송층 및 상기 정공수송층 상에 형성되고 결정성(crystalline) 유기화합물을 포함하는 정공주입층을 포함하는 유기층;상기 유기층 상에 형성된 투명한 상부 전극; 및상기 투명한 상부 전극 상에 형성된 캡핑층(capping layer)을 포함하고, 상기 캡핑층은 굴절률이 1
2 2
제1항에 있어서, 상기 캡핑층의 굴절률이 1
3 3
제1항에 있어서, 상기 캡핑층이 플루오라이드(fluoride)계 화합물을 포함하는 유기 발광 소자
4 4
제3항에 있어서, 상기 플루오라이드계 화합물이 LiF, MgF2, CaF2 및 ScF3로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 유기 발광 소자
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 캡핑층이 서로 다른 굴절률을 갖는 2 이상의 층을 포함하는 유기 발광 소자
7 7
제1항에 있어서, 상기 캡핑층의 두께가 20 내지 120 nm인 유기 발광 소자
8 8
제1항에 있어서, 상기 n-도핑층은 n-도펀트를 포함하고, 상기 n-도펀트가 Li2CO3, Na2CO3, K2CO3, Cs2CO3, Rb2CO3, Ba2CO3, 피로닌 B(pyronin B), DMC(데카메틸코발토센), BEDTTTF(비스(에틸렌디티오)-테트라티아풀발렌), 로다민B(rhodamin B), TMBI (1,2,3-트리메틸-2-페닐-2,3-디히드로-1H-벤조이미다졸), DMBI (1,3-디메틸-2-페닐-2,3-디히드로-1H-벤조이미다졸), Cl-DMBI (디클로로페닐-1,3-디메틸-2,3-디히드로-1H-벤조이미다졸), N-DMBI (4-(1,3-디메틸-2,3-디히드로-1H-벤조이미다졸-2-일)-페닐)-디메틸-아민), OH-DMBI (2-(1,3-디메틸-2,3-디히드로-1H-벤조이미다졸-2-일)-페놀), PTCDI-C13(N,N'-디트리데실페릴렌-3,4:9,10-테트라카르복실산 디이미드) 및 F-PTCDI-C4(N,N'-디부틸-1,7-디플루오로페릴렌-3,4:9,10- 테트라카르복실산 디이미드)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 유기 발광 소자
9 9
제8항에 있어서, 상기 n-도핑층은 n-도펀트를 포함하는 불순물층 및 상기 불순물층 상에 형성된 제1 전자수송물질을 포함하는 제1 전자수송층을 포함하는 유기 발광 소자
10 10
제1항에 있어서, 상기 결정성 유기 화합물이 하기 화학식 1로 표시되는 유기 발광 소자: [화학식 1]상기 화학식 1에서 R은 시아노(-CN), 니트로(-NO2), 페닐술포닐(-SO2(C6H5)), 시아노 또는 니트로 치환된 C2 내지 C5 알케닐, 및 시아노 또는 니트로로 치환된 페닐로 이루어진 군에서 선택된다
11 11
제10항에 있어서, 상기 결정성 유기 화합물이 HAT-CN(헥사아자트리페닐렌 헥사카보니트릴)인 유기 발광 소자
12 12
제1항에 있어서, 상기 상부 전극은 ITO(인듐주석산화물), IZO(인듐아연산화물), ZnO(아연 산화물) 또는 SnO2(주석산화물)을 포함하는 유기 발광 소자
13 13
제1항 내지 제4항 및 제6항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 유기 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치
14 14
제1항 내지 제4항 및 제6항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 유기 발광 소자를 포함하는 조명
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1 WO2015065074 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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