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제1 금속전구체와 계면활성제를 포함하는 용액에 환원제를 첨가하여 상기 제1 금속전구체로부터 제1 시드입자를 제조하는 단계;세틸트리메틸암모늄브로마이드와 아스코르브산을 포함하는 제1 성장 용액에 상기 제1 시드입자를 반응시켜, 상기 제1 시드입자로부터 정6면체의 형태를 가지는 제2 시드입자를 제조하는 단계; 및세틸트리메틸암모늄브로마이드와 아스코르브산을 포함하는 제2 성장 용액에 상기 제2 시드입자를 반응시켜, 상기 제2 시드입자로부터 48면체의 형태를 가지는 나노입자를 제조하는 단계를 포함하는시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 금속전구체는 금, 은, 및 동 중 어느 하나의 전구체를 포함하는시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 시드입자를 제조하는 단계는상기 제1 금속전구체를 포함하는 용액을 준비하는 단계;상기 계면활성제로서 기능하는 세틸트리메틸암모늄브로마이드 수용액에 상기 제1 금속전구체를 포함하는 용액을 제공하는 단계; 및상기 제1 금속전구체를 포함하는 용액이 제공된 상기 세틸트리메틸암모늄브로마이드 수용액에 상기 환원제로서 수소화붕소나트륨을 제공하여, 상기 제1 금속전구체의 금속 이온을 환원시키는 단계를 포함하는시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 시드입자는 1 내지 5 nm의 크기를 가지는 구형의 입자인시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 제2 시드입자를 제조하는 단계는상기 세틸트리메틸암모늄브로마이드의 수용액을 준비하는 단계;상기 세틸트리메틸암모늄브로마이드의 수용액에 상기 제1 금속 전구체를 포함하는 용액 및 상기 아스코르브산의 수용액을 혼합하여 상기 제1 성장 용액을 제조하는 단계;상기 제1 성장 용액 내에 상기 제1 시드입자가 분산된 용액을 제공하여, 상기 제1 시드입자의 표면에 상기 제1 금속 전구체의 금속 이온을 환원시키는 단계를 포함하는시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법
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제5 항에 있어서,상기 금속 이온의 환원속도는 상기 세틸트리메틸 암모늄 브로마이드 및 상기 아스코르브산의 농도에 의해 결정되는시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법
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제5 항에 있어서,상기 제1 성장 용액 내의 상기 세틸트리메틸암모늄브로마이드의 농도는 15 내지 50 mM 이며 상기 아스코르브산의 농도는 9 내지 71 mM인시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법
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제5 항에 있어서,상기 제조된 제2 시드입자를 포함하는 수용액을 희석하거나 농축하여 상기 제2 시드입자의 농도를 조절하는 단계를 더 포함하되,상기 수용액이 공진파장값에서 10 mm 광경로의 흡광도가 0
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제1 항에 있어서,상기 제2 시드입자를 제조하는 단계는상기 제1 성장 용액 내의 상기 세틸트리메틸 암모늄 브로마이드 및 상기 아스코르브산의 농도를 제어하여, {100}의 결정면으로 둘러싸인 정6면체의 형태를 가지며 10 내지 50 nm의 크기를 가지는 시드입자를 제조하는시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 나노입자를 제조하는 방법은상기 세틸트리메틸암모늄브로마이드의 수용액을 준비하는 단계;상기 세틸트리메틸암모늄브로마이드의 수용액에 제2 금속 전구체를 포함하는 용액 및 상기 아스코르브산의 수용액을 혼합하여 상기 제2 성장 용액을 제조하는 단계;상기 제2 성장 용액 내에 상기 제2 시드입자가 분산된 용액을 제공하여, 상기 제2 시드입자의 표면에 상기 제2 금속 전구체의 금속 이온을 환원시키는 단계를 포함하는시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법
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제10 항에 있어서,상기 제2 성장 용액 내의 상기 아스코르브산의 농도는 상기 제1 성장 용액 내의 아스코르브산의 농도보다 높은시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법
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제10 항에 있어서,상기 제2 성장 용액 내에서, 상기 아스코르브산의 농도는 45 mM 내지 180 mM 인시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법
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제10 항에 있어서,상기 제2 시드입자의 농도는, 상기 제2 시드입자가 분산된 상기 용액의 공진파장값에서의 10 mm 광경로의 흡광도가 0
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제1 항에 있어서,상기 나노입자를 제조하는 단계는 상기 제2 성장 용액 내의 상기 세틸트리메틸 암모늄 브로마이드 및 상기 아스코르브산의 농도를 제어하여, 70 내지 500 nm의 크기를 가지는 입자를 제조하는시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법
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제1 금속전구체와 계면활성제를 포함하는 용액에 제1 환원제를 첨가하여 상기 제1 금속전구체로부터 제1 시드입자를 제조하는 단계;양전하를 가지는 캡핑 작용제(capping agent)와 제2 환원제를 포함하는 제1 성장 용액에 상기 제1 시드입자를 반응시켜, 상기 제1 시드입자로부터 제2 시드입자를 제조하되, 상기 제2 시드 입자는 {100}, {110} 및 {111} 중 적어도 하나의 결정면을 가지는 단계;상기 캡핑 작용제와 상기 제2 환원제를 포함하는 제2 성장 용액에 상기 제2 시드입자를 반응시켜, 상기 제2 시드입자로부터 나노입자를 제조하되, 상기 나노입자는 {hkl}(h003e#k003e#l003e#0)의 결정면을 가지는 단계를 포함하는시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법
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제22 항에 있어서,상기 계면활성제로서 세틸트리메틸암모늄브로마이드(CTAB) 및 상기 제1 환원제로서 수소화붕소나트륨을 적용하는시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법
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제22 항에 있어서,상기 캡핑 작용제는 세틸트리메틸암모늄브로마이드(CTAB), 세틸트리메틸암모늄클로라이드(CTAC), 세틸피리디니움클로라이드(CPC), 및 폴리비닐피롤리돈(PVP) 중에서 선택되는 어느 하나를 포함하는시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법
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제22 항에 있어서,상기 제2 환원제는 아스코르브산 또는 아스코르브산과 동일한 수준의 산화 전위를 가지는 물질을 포함하는시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법
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