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진공접착을 위한 미세섬모 구조물, 이의 사용방법 및 제조방법

  • 기술번호 : KST2015136956
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 현저히 향상된 접착력을 가지고 탈부착을 용이하게 제어할 수 있는 진공접착을 위한 미세섬모 구조물, 이의 사용방법 및 제조방법이 개시되어 있다. 이를 위하여 기판, 상기 기판 상에 형성된 미세섬모, 그리고 상기 미세섬모의 상단에 형성되고, 상기 미세섬모에서 돌출되어 접착 대상물 접촉하는 돌기와 진공접착을 위하여 상기 돌기 내부에 형성된 홈을 가지는 진공접착부를 포함하는 진공접착을 위한 미세섬모 구조물과 그 사용방법 및 제조방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 반데르발스 힘뿐만 아니라, 모세관력이나 진공압을 접착에 이용할 수 있어 미세섬모의 대상물에의 접착력을 현저히 개선할 수 있다. 그리고 미세섬모가 형성된 기판을 구부리거나, 또는 미세섬모의 접착대상에의 접촉각도를 조절하여 탈리나 부착을 사용자의 의도대로 별도의 장비나 공정 없이 간단히 제어할 수 있다.
Int. CL H01L 21/677 (2006.01.01) B25J 15/06 (2006.01.01) B65G 47/91 (2006.01.01) D06C 11/00 (2006.01.01)
CPC H01L 21/6838(2013.01) H01L 21/6838(2013.01) H01L 21/6838(2013.01) H01L 21/6838(2013.01) H01L 21/6838(2013.01)
출원번호/일자 1020090116565 (2009.11.30)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1025696-0000 (2011.03.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20110330) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.30)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서갑양 대한민국 서울특별시 관악구
2 정훈의 대한민국 서울특별시 금천구
3 곽문규 대한민국 대구광역시 달서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이종혁 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층 리아이피특허법률사무소 (역삼동, 흥국생명빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0735357-36
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2009-0753239-79
3 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2009.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2009-0764974-66
4 보정요구서
Request for Amendment		 2009.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0097637-10
5 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2009.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0787366-00
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.01.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.02.01 수리 (Accepted) 9-1-2010-0006205-84
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0108239-88
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.05.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0314721-69
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0314701-56
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.05.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0314706-84
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0308501-82
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0612160-67
14 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0677994-74
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0761414-19
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.11.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0761426-67
17 등록결정서
Decision to grant		 2011.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0045510-81
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
19 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.06.04 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2012-0444102-57
20 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2012.06.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0073567-54
21 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2012.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0090805-70
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
27 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
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번호 청구항
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하부 구조물, 상기 하부구조물 상에 형성되는 하나 이상의 홈 형성용 패턴, 및 상기 홈 형성용 패턴을 사이에 두고 상기 하부 구조물 상에 형성되며 돌기 형성용 리세스를 하부에 가지는 복수의 미세섬모 형성용 패턴을 포함하는 몰드를 제작하는 단계; 상기 몰드 상에 고분자를 도포하는 단계; 상기 고분자를 경화시키는 단계; 및 상기 경화된 고분자를 상기 몰드에서 분리하는 단계를 포함하고, 상기 하부구조물은 제1 실리콘층; 및 상기 제1 실리콘 층 상에 형성된 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 진공접착을 위한 미세섬모 구조물의 제조방법
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제12 항에 있어서, 상기 몰드의 제작은 제1 실리콘층, 절연층 및 제2 실리콘층이 순차적으로 적층된 SOI기판 상에 복수의 산화실리콘 패턴을 형성하는 단계; 상기 복수의 산화실리콘 패턴 사이에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 산화실리콘 패턴 및 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하고, 상기 SOI 기판의 절연층을 식각저지층으로 하여 상기 SOI 기판의 제2 실리콘층을 식각하여 복수의 미세섬모 형성용 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 상기 산화실리콘 패턴을 마스크로 하여 상기 미세섬모 형성용 패턴을 식각하여 상기 제1실리콘층 및 상기 절연층을 포함하는 하부 구조물상에 하나 이상의 홈 형성용 패턴 및 상기 복수의 미세섬모 형성용 패턴의 하부에 돌기 형성용 리세스를 형성하는 단계; 및 상기 산화실리콘 패턴을 제거하여 몰드를 제작하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공접착을 위한 미세섬모 구조물의 제조방법
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제 14 항에 있어서, 상기 복수의 산화실리콘 패턴의 형성이 사진식각 공정에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 진공접착을 위한 미세섬모 구조물의 제조방법
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제 14 항에 있어서, 상기 복수의 미세섬모 형성용 패턴을 형성이 심도 이온식각(Deep RIE)방식에 의하여 상기 절연층이 노출될 때까지 상기 제 2 실리콘층을 식각하여 수행되는 것을 특징으로 하는 진공접착을 위한 미세섬모 구조물의 제조방법
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제 14 항에 있어서, 상기 홈 형성용 패턴 및 상기 리세스의 형성은 심도 이온식각(Deep RIE)방식에 의하여 상기 미세섬모 형성용 패턴을 식각하여 수행되는 것을 특징으로 하는 진공접착을 위한 미세섬모 구조물의 제조방법
18 18
제 12 항에 있어서, 상기 몰드의 제작은 제 1 실리콘층, 절연층 및 제 2 실리콘층이 순차적으로 적층된 SOI 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하고, 상기 SOI 기판의 절연층을 식각저지층으로 하여 상기 제 2 실리콘층을 식각하여 상기 제 1 실리콘층 및 상기 절연층을 포함하는 하부 구조물 상에 돌기 형성용 리세스를 하부에 가지는 복수의 미세섬모 형성용 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 복수의 미세섬모 형성용 패턴 및 상기 하부 구조물 상에 금속을 증착하여 상기 복수의 미세섬모 형성용 패턴 사이에 홈 형성용 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공접착을 위한 미세섬모 구조물의 제조방법
19 19
제 18 항에 있어서, 상기 홈 형성용 패턴을 형성한 후에 상기 복수의 미세섬모 형성용 패턴 상에 증착된 상기 금속을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 진공접착을 위한 미세섬모 구조물의 제조방법
20 20
제 18 항에 있어서, 상기 금속이 크롬 또는 타이타늄인 것을 특징으로 하는 진공접착을 위한 미세섬모 구조물의 제조방법
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제 12 항에 있어서, 상기 몰드의 제작은 제 1 실리콘층, 절연층 및 제 2 실리콘층이 순차적으로 적층된 SOI 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하고, 상기 SOI 기판의 절연층을 식각저지층으로 하여 상기 제2 실리콘층을 식각하여 상기 제 1 실리콘층 및 상기 절연층을 포함하는 하부 구조물 상에 돌기 형성용 리세스를 하부에 가지는 복수의 미세섬모 형성용 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 복수의 미세섬모 형성용 패턴 사이의 상기 하부 구조물 상에 비드를 위치시켜 홈 형성용 패턴을 형성하여 몰드를 제작하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공접착을 위한 미세섬모 구조물의 제조방법
22 22
제21 항에 있어서, 상기 비드가 고분자 비드인 것을 특징으로 하는 진공접착을 위한 미세섬모 구조물의 제조방법
23 23
제 21 항에 있어서, 상기 복수의 미세섬모 형성용 패턴 사이의 상기 하부 구조물 상에 비드를 위치시킨 후 상기 비드를 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 진공접착을 위한 미세섬모 구조물의 제조방법
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1 교육과학기술부 서울대학교 산학협력단 나노원천기술개발사업 기능성 초접착 표면 제작을 위한 대면적 나노공정 기술개발