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자구벽 메모리소자에서 홈 구조와 스트레이필드를 이용한 자구벽 고정방법

  • 기술번호 : KST2015137343
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자구벽 메모리의 핵심 기술 중 하나인 자구벽을 고정시키는 기술에 관한 것으로, 보다 상세하게는 홈구조와 나노구조에서 발생하는 스트레이필드를 이용하여 자구벽 메모리 소자에서 자구벽을 고정시키는 것에 관한 것이다. 본 발명에 의할 경우 자성나노선의 홈구조의 제작에 있어 현실적으로 존재하는 불균일성에 기인하는 여러개의 고정점으로 인한 자구벽의 불균일과 그로 인한 저장매체로서의 신뢰성 저하를 해결할 수 있다.자구벽 소자, 자구벽 메모리, 자구벽 피닝, 자구벽 디피닝, 스트레이 필드
Int. CL G11C 11/16 (2006.01.01)
CPC G11C 11/161(2013.01)
출원번호/일자 1020090096795 (2009.10.12)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1161930-0000 (2012.06.26)
공개번호/일자 10-2011-0039792 (2011.04.20) 문서열기
공고번호/일자 (20120703) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.09)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최석봉 대한민국 서울특별시 관악구
2 안성민 대한민국 서울특별시 관악구
3 문경웅 대한민국 서울특별시 구로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박진호 대한민국 서울특별시 송파구 송파대로 ***, 옥명빌딩 *층 (송파동)(플랜국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2009-0623662-19
2 보정요구서
Request for Amendment
2009.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0079184-17
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0719296-74
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0759865-70
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0760820-51
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0212783-01
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0468719-23
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0561759-54
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0651514-19
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0732753-47
11 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period
2011.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0086911-27
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0823520-28
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.10.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0823518-36
15 등록결정서
Decision to grant
2012.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0173785-77
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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자구벽 메모리 소자의 자구벽 고정에 있어서, 강자성 나노구조를 자성나노선의 홈(notch) 구조에 수직으로 위치시킴으로써 발생하는 스트레이필드를 통해 자구벽에 상기 자성나노선에 수직인 자화성분을 발생케 함으로써 수직인 자화성분이 수직인 외부자기장 하에 놓이게 하는 것을 특징으로 하는, 자구벽 메모리소자에서 홈 구조와 스트레이필드를 이용한 자구벽 고정방법
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제 1항에 있어서, 상기 강자성 나노구조는 강자성 나노돗인 것을 특징으로 하는 자구벽 메모리소자에서 홈 구조와 스트레이필드를 이용한 자구벽 고정방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 서울대학교 산학협력재단 서울시 산학연 협력사업 기술기반구축사업 나노바이오시스템 및 응용소재