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블록 단위로 소거되는 불휘발성 메모리 장치의 액세스 방법에 있어서:적어도 하나의 접근 요청을 수신하는 단계;상기 접근 요청을 디코딩하여 선택된 메모리 블록에 대한 접근 바이어스 레벨을 정의하는 접근 모드를 결정하는 단계; 상기 결정된 접근 모드에 따라 상기 불휘발성 메모리 장치의 접근 바이어스 레벨을 조정하는 단계; 그리고상기 조정된 접근 바이어스 레벨 조건에서 상기 접근 요청을 수행하기 위한 명령어를 상기 불휘발성 메모리 장치에 제공하는 단계를 포함하되,상기 선택된 메모리 블록은 복수의 소거 모드에 대응하는 복수의 소거 전압 셋들 중 어느 하나에 의해서 소거된 메모리 블록이고, 상기 복수의 소거 전압 셋들 각각에 의해서 소거된 메모리 블록들은 서로 다른 소거 상태들을 가지며, 서로 다른 유효 소모값을 할당받는 액세스 방법
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제 1 항에 있어서,상기 접근 요청은 소거 요청에 대응하고, 상기 접근 모드를 결정하는 단계에서, 상기 선택된 메모리 블록의 누적된 유효 소모값의 크기에 따라 소거 모드의 레벨이 결정되는 액세스 방법
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제 2 항에 있어서,상기 소거 전압 셋은 기판에 제공되는 소거 전압과 워드 라인에 제공되는 소거 검증 전압을 포함하며, 상기 누적된 유효 소모값이 제 1 임계치보다 작은 경우, 상기 선택된 메모리 블록의 기판에 인가되는 소거 전압의 레벨은 복수의 소거 모드 중에서 가장 높고, 상기 선택된 메모리 블록의 워드 라인들에 인가되는 소거 검증 전압의 레벨은 가장 낮은 액세스 방법
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제 2 항에 있어서,상기 소거 전압 셋은 기판에 제공되는 소거 전압과 워드 라인에 제공되는 소거 검증 전압을 포함하며, 상기 누적된 유효 소모값이 최대 임계치보다 큰 경우, 상기 선택된 메모리 블록의 기판에 인가되는 소거 전압의 레벨은 복수의 소거 모드 중에서 가장 낮고, 상기 선택된 메모리 블록의 워드 라인들에 인가되는 소거 검증 전압의 레벨은 가장 높은 액세스 방법
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제 1 항에 있어서,상기 접근 요청은 쓰기 요청에 대응하고,상기 접근 모드를 결정하는 단계에서, 상기 선택된 메모리 블록의 상기 유효 소모값의 크기에 따라 복수의 쓰기 모드들 중 어느 하나가 결정되는 액세스 방법
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제 5 항에 있어서,상기 복수의 쓰기 모드들 각각은 서로 다른 프로그램 전압 셋들에 대응하고, 각각 서로 다른 프로그램 속도를 갖는 액세스 방법
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제 5 항에 있어서,상기 복수의 쓰기 모드들 중 어느 하나는 호스트로부터 제공되는 쓰기 속도 정보, 상기 접근 요청들 간의 시간 간격, 쓰기 요청된 데이터의 크기, 데이터의 쓰기 패턴, 프리 블록의 수, 백그라운드 동작 모드, 쓰기 버퍼의 상태 중 적어도 하나를 참조하여 결정되는 액세스 방법
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제 1 항에 있어서,상기 접근 요청은 읽기 요청에 대응하고,상기 접근 모드를 결정하는 단계에서, 상기 선택된 메모리 블록의 쓰기 모드 정보를 참조하여 복수의 읽기 모드들 중 어느 하나가 결정되는 액세스 방법
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제 8 항에 있어서,상기 쓰기 모드 정보는,독출 동작시 읽기 교란(Read disturbance)을 줄이기 위한 읽기 향상 쓰기 모드와, 소거 모드에 의존적인 일반 쓰기 모드의 여부를 포함하는 액세스 방법
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제 9 항에 있어서,상기 읽기 향상 쓰기 모드는 복수의 모드 레벨을 포함하고, 복수의 모드 레벨들 각각에 대응하는 메모리 블록들은, 독출 동작시 서로 다른 패스 읽기 전압의 레벨을 제공받는 액세스 방법
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제 9 항에 있어서,상기 일반 쓰기 모드는 복수의 모드 레벨을 포함하고, 복수의 모드 레벨들 각각에 대응하는 메모리 블록들은 독출 동작시 동일한 패스 읽기 전압의 레벨을 제공받는 액세스 방법
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각각 소거 단위가 되는 복수의 메모리 블록들을 포함하고, 복수의 소거 모드 각각에 대해 서로 다른 소거 전압을 제공하는 불휘발성 메모리 장치; 그리고상기 복수의 메모리 블록들을 서로 다른 레벨의 소거 바이어스에 따라 소거하도록 상기 불휘발성 메모리 장치를 제어하고, 상기 소거 바이어스의 레벨에 따라 웨어 레벨링을 수행하거나 접근 모드를 결정하는 동적 접근 매니저를 포함하는 메모리 컨트롤러를 포함하고,상기 동적 접근 매니저는 호스트로부터의 접근 요청을 모니터링하여 상기 접근 모드를 결정하고, 상기 결정된 접근 모드에 따라 상기 불휘발성 메모리 장치의 내부 바이어스 전압을 설정하는 메모리 시스템
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제 12 항에 있어서, 상기 복수의 메모리 블록들은 서로 다른 소거 바이어스 레벨에 따라 서로 다른 유효 소모값이 할당되는 메모리 시스템
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제 13 항에 있어서,상기 메모리 컨트롤러는 상기 동적 접근 매니저에 접근 요청된 메모리 블록의 유효 소모값을 제공하기 위한 확장 맵핑 테이블을 포함하는 메모리 시스템
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제 14 항에 있어서,상기 확장 팹핑 테이블은:상기 호스트로부터 제공되는 논리 주소와 상기 불휘발성 메모리 장치에 전달되는 물리 주소의 맵핑 관계를 제공하는 주소 맵핑 테이블; 그리고상기 복수의 메모리 블록들 각각에 대한 유효 소모값, 누적 유효 소모값, 쓰기 모드에 대한 정보를 제공하는 퍼블록 모드 테이블을 포함하는 메모리 시스템
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제 14 항에 있어서,상기 메모리 컨트롤러는 상기 누적 유효 소모값을 참조하여 상기 복수의 메모리 블록들에 대한 웨어 레벨링 동작을 수행하는 플래시 변환 계층을 포함하는 메모리 시스템
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제 14 항에 있어서,상기 메모리 컨트롤러는 상기 누적 유효 소모값을 기준으로 상기 복수의 메모리 블록들에 대한 소거 바이어스의 레벨을 결정하는 메모리 시스템
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제 14 항에 있어서,상기 동적 접근 매니저는 상기 접근 요청을 참조하여 쓰기 속도 정보, 상기 접근 요청들 간의 시간 간격, 쓰기 요청된 데이터의 크기, 상기 쓰기 요청된 데이터의 쓰기 패턴, 프리 블록의 수를, 쓰기 버퍼의 상태, 백그라운드 동작의 여부 중 적어도 하나를 참조하여 상기 접근 모드를 결정하는 메모리 시스템
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제 14 항에 있어서,유효 소모값, 누적 유효 소모값, 쓰기 모드에 대한 정보는 상기 불휘발성 메모리 장치의 메모리 블록들 각각의 특정 영역에 임베딩되는 메모리 시스템
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제 12 항에 있어서, 상기 메모리 컨트롤러는 상기 쓰기 요청의 속성을 검출하는 제 1 인터페이스와 상기 접근 모드에 따라 상기 불휘발성 메모리 장치의 바이어스를 조정하기 위한 제 2 인터페이스를 포함하는 메모리 시스템
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서로 다른 문턱 전압 산포의 복수의 소거 상태들을 갖는 불휘발성 메모리 장치의 액세스 방법에 있어서:데이터의 쓰기 요청을 수신하는 단계; 상기 쓰기 요청된 데이터를 기입하기 위한 바이어스 레벨을 정의하는 쓰기 모드를 결정하는 단계;상기 결정된 쓰기 모드에 따라 상기 쓰기 요청된 데이터를 기입할 제 1 소거 상태의 메모리 블록을 프리 블록 풀에서 선택하는 단계;상기 프리 블록 풀에 상기 제 1 소거 상태의 메모리 블록이 존재하지 않을 경우, 상기 제 1 소거 상태보다 높은 문턱 전압 산포를 갖는 제 2 소거 상태의 메모리 블록을 상기 제 1 소거 상태로 소거하는 단계; 그리고상기 쓰기 요청된 데이터를 상기 제 1 소거 상태로 소거된 메모리 블록에 기입하는 단계를 포함하는 액세스 방법
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제 21 항에 있어서, 상기 쓰기 모드의 적용 결과에 따라, 선택된 메모리 셀들의 소거 상태는 상기 제 1 소거 상태와 같거나 높은 문턱 전압 산포를 갖는 액세스 방법
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제 21 항에 있어서, 상기 제 1 소거 상태의 메모리 블록을 상기 프리 블록 풀에서 선택하는 단계에서, 상기 제 1 소거 상태의 메모리 블록은 존재하지 않지만 상기 제 1 소거 상태와 갖거나 낮은 문턱 전압의 제 3 소거 상태의 메모리 블록이 존재하는 경우, 상기 제 3 소거 상태의 메모리 블록이 선택되는 액세스 방법
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제 21 항에 있어서, 제 2 소거 상태의 메모리 블록을 상기 제 1 소거 상태로 소거하는 단계에서, 상기 메모리 블록에 제공되는 소거 시작 전압은 상기 메모리 블록을 프로그램 상태에서 소거할 때의 소거 시작 전압보다 높은 액세스 방법
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제 24 항에 있어서, 상기 소거하는 단계에서 인가되는 소거 펄스의 수는 상기 메모리 블록을 프로그램 상태에서 소거할 때에 인가되는 소거 펄스의 수보다 적은 액세스 방법
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제 21 항에 있어서, 상기 쓰기 모드는 복수의 쓰기 모드들을 포함하며, 상기 복수의 쓰기 모드들 각각을 적용한 메모리 블록들은 서로 다른 문턱 전압 산포를 갖는 소거 상태들을 갖는 액세스 방법
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복수의 소거 모드에 따라 서로 다른 문턱 전압 산포에 대응하는 복수의 소거 상태들 중 어느 하나로 메모리 블록을 소거하고, 복수의 쓰기 모드에 따라 서로 다른 문턱 전압 산포의 프로그램 상태들로 선택된 메모리 블록을 프로그램하는 불휘발성 메모리 장치; 그리고선택된 쓰기 모드에 따라 데이터를 프로그램할 때, 상기 쓰기 모드의 적용이 가능한 제 1 소거 상태의 프리 블록이 존재하지 않으면, 제 2 소거 상태의 프리 블록을 상기 제 1 소거 상태로 소거하는 레이지 소거 동작을 수행하도록 상기 불휘발성 메모리 장치를 제어하는 메모리 컨트롤러를 포함하는 메모리 시스템
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제 27 항에 있어서, 상기 제 2 소거 상태는 상기 제 1 소거 상태보다 같거나 높은 문턱 전압 산포를 형성하는 메모리 시스템
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제 27 항에 있어서, 상기 레이지 소거 동작에 소요되는 시간은 상기 제 2 소거 상태의 프리 블록이 프로그램 상태에서 상기 제 2 소거 상태로 소거되는 풀 소거 동작 시간보다 짧은 메모리 시스템
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제 29 항에 있어서, 상기 레이지 소거 동작시 제공되는 소거 시작 전압은 상기 풀 소거 동작에서 제공되는 소거 시작 전압보다 높은 메모리 시스템
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제 27 항에 있어서, 상기 메모리 컨트롤러는, 복수의 소거 상태들 단위로 소거된 프리 블록들을 관리하기 위해 프리 블록 테이블을 운영하는 메모리 시스템
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제 31 항에 있어서, 상기 메모리 컨트롤러는, 상기 프리 블록 테이블을 참조하여 상기 선택된 쓰기 모드를 적용할 상기 제 1 소거 상태의 프리 블록을 검색하고, 상기 검색 결과에 따라 상기 레이지 소거의 실행 여부를 판단하는 동적 접근 매니저 모듈을 포함하는 메모리 시스템
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