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니켈 산화물 박막 형성방법과 이를 이용한 비정질 실리콘박막의 결정화 방법 및 박막 트랜지스터 제조 방법.
- 기술번호 : KST2015138684
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 니켈 산화물 박막 형성 방법과 이를 이용한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법에 관한 것으로 특히, 옹스트롱 단위의 평균 두께를 갖는 니켈 산화물 박막을 낮은 온도에서 비정질 실리콘 박막의 상면에 형성하여 비정질 실리콘 박막의 결정화 과정에서 비정질 실리콘 박막의 결정성을 향상시킬 수 있는 니켈 산화물 박막 형성방법과 이를 이용한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법에 관한 것이다.또한, 본 발명은 니켈 산화물 박막을 이용하여 박막 트랜지스터의 비정질 실리콘 박막에 대한 결정화를 진행하며 드레인 영역과 비정질 실리콘 박막의 상면에 잔류하는 니켈 성분을 최소화하여 공정을 단축하고 박막 트랜지스터의 특성을 향상시킬 수 있는 니켈 산화물 박막을 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 것이다.니켈산화물 박막, 원자층 증착법, 비정질 실리콘 결정화, 박막트랜지스터 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 29/786 (2006.01) |
| CPC | H01L 21/02672(2013.01) H01L 21/02672(2013.01) H01L 21/02672(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020060012989 (2006.02.10) |
| 출원인 | 황진하, 한국화학연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-0753997-0000 (2007.08.24) |
| 공개번호/일자 | 10-2007-0081218 (2007.08.16) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20070903) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2006.02.10) |
| 심사청구항수 | 21 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 황진하 | 대한민국 | 서울특별시 종로구 |
| 2 | 한국화학연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 황진하 | 대한민국 | 서울 성북구 |
| 2 | 김윤수 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 3 | 김창균 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 4 | 이영국 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 5 | 정택모 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 6 | 안기석 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 7 | 이선숙 | 대한민국 | 대전 중구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서만규 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암) |
| 2 | 서경민 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국화학연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 2 | 홍익대학교 산학협력단 | 서울특별시 마포구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2006.02.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0099639-51 |
| 2 | 전자문서첨부서류제출서 Submission of Attachment to Electronic Document |
2006.02.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-5012534-33 |
| 3 | 보정요구서 Request for Amendment |
2006.03.03 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2006-0032566-17 |
| 4 | 서지사항보정서 Amendment to Bibliographic items |
2006.03.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-5022034-06 |
| 5 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2006.12.06 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 6 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2007.01.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-2007-0001095-93 |
| 7 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2007.01.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0031956-29 |
| 8 | 지정기간연장신청서 Request for Extension of Designated Period |
2007.03.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0206312-50 |
| 9 | 명세서등보정서 Amendment to Description, etc. |
2007.04.09 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2007-0272011-04 |
| 10 | 의견서 Written Opinion |
2007.04.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0272012-49 |
| 11 | 등록결정서 Decision to grant |
2007.07.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0393009-18 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.04.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5059312-66 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.05.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5074743-27 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5208083-56 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.10.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5200453-53 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.04.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5055308-21 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.09.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5149242-13 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.09.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5149265-52 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 a) 유리기판 상면에 형성된 비정질 실리콘 박막의 상면에 니켈 공급원을 공급하여 니켈 증착층을 형성하는 니켈 증착층 형성단계와, b) 반응하지 않은 니켈 공급원과 반응 부산물을 상기 비정질 실리콘 박막으로부터 제거하는 미반응 니켈 공급원 제거단계와, c) 상기 니켈 증착층에 산소 공급원을 공급하여 산화 반응을 통하여 상기 비정질 실리콘 박막의 상면에 니켈 산화물 박막을 형성하는 니켈 산화물 박막 형성단계 및 d) 상기 니켈 산화물 박막으로부터 반응하지 않은 산소 공급원과 반응 부산물을 제거하는 미반응 산소 공급원 제거단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 니켈 산화물 박막 형성방법 |
| 2 |
2 제 1항에 있어서, 상기 니켈 증착층 형성단계가 최초로 수행되기 전에 불산에 의한 제1세척공정과 탈이온수에 의한 제2세척공정과 과산화수소에 의한 제3세척공정과 탈이온수에 의한 제4세척공정을 포함하는 비정질 실리콘 박막의 세척단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 니켈 산화물 박막 형성방법 |
| 3 |
3 제 1항에 있어서, 상기 a)단계 내지 d)단계가 1 사이클 내지 50 사이클로 수행되는 것을 특징으로 하는 니켈 산화물 박막 형성방법 |
| 4 |
4 제 3항에 있어서, 상기 니켈 산화물 박막은 0 |
| 5 |
5 제 3항에 있어서, 상기 니켈 공급원의 공급시간은 적어도 0 |
| 6 |
6 제 3항에 있어서, 상기 니켈 공급원은 비스(디메틸아미노-2-메틸-부톡시)니켈(Ⅱ)[Ni(dmamb)2] 또는 비스(디메틸아미노-2-메틸-프로폭시)니켈(Ⅱ)[Ni(dmamp)2]인 것을 특징으로 하는 니켈 산화물 박막 형성방법 |
| 7 |
7 제 3항에 있어서,상기 니켈 공급원은 염화니켈 (NiCl2), Ni(acac)2 (acac = 아세틸아세토네이토), Ni(tmhd)2 (tmhd = 2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오네이토), Ni(dmg)2 (dmg = 디메틸글리옥시메이토), Ni(apo)2 (apo = 2-아미노-펜트-2-엔-4-오네이토), Cp2Ni (cp = 사이클로펜타다이에닐), MeCp2Ni (MeCp = 메틸 사이클로펜타다이에닐), CpAllylNi (cpAllyl = 사이클로펜타다이에닐알릴) 중 어느 하나의 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 니켈 산화물 박막 형성방법 |
| 8 |
8 제 3항에 있어서, 상기 산소 공급원은 물, 산소, 오존 중 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 니켈 산화물 박막 형성방법 |
| 9 |
9 절연기판 상에 비정질 실리콘 박막을 형성하는 비정질 실리콘 박막 형성단계와,상기 비정질 실리콘 박막 상에 원자층 증착법에 의한 니켈 산화물 박막을 형성하는 니켈 산화물 박막 형성단계 및상기 실리콘 비정질 박막을 열처리하여 결정질 실리콘 박막으로 결정화시키는 결정화단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 니켈 산화물 박막을 이용한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 |
| 10 |
10 제 9항에 있어서, 상기 비정질 실리콘 박막 상면에 산화막 또는 질화막의 캐핑 레이어를 형성하는 캐핑 레이어 형성단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 니켈 산화물 박막을 이용한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 |
| 11 |
11 제 10항에 있어서, 상기 캐핑 레이어는 알루미나(Al2O3), 이산화하프늄(HfO2), 지르코니아(ZrO2) 및 실리콘 나이트라이드(SiNx)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 물질에 의하여 1Å 내지 100Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 니켈 산화물 박막을 이용한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 |
| 12 |
12 제 9항에 있어서, 상기 니켈 산화물 박막은 제 1항 내지 제 8항의 어느 한 항에 의한 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 니켈 산화물 박막을 이용한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 |
| 13 |
13 제 12항에 있어서,상기 니켈산화물 박막은 비정질 실리콘 박막의 결정화가 진행되는 영역에 전체적으로 형성되며, 상기 비정질 실리콘 박막이 금속유도결정화(MIC)에 의하여 결정화가 진행되도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 니켈 산화물 박막을 이용한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 |
| 14 |
14 제 12항에 있어서,상기 니켈 산화물 박막은 비정질 실리콘 박막의 결정화가 진행되는 영역에서 소정 패턴을 형성되며, 상기 비정질 실리콘 박막은 니켈 산화물 박막이 형성되는 영역에서 진행되는 금속유도결정화(MIC)와 니켈 산화물 박막이 형성되지 않는 영역에서 진행되는 금속유도측면결정화(MILC)에 의하여 전체적으로 결정화가 진행되도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 니켈 산화물 박막을 이용한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 |
| 15 |
15 제 12항에 있어서, 상기 결정화단계는 질소분위기 또는 수소/질소 혼합가스 또는 아르곤 또는 수소/아르곤 혼합가스 분위기와 400 ∼ 750℃의 온도에서 수 분 내지 수 시간 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 니켈 산화물 박막을 이용한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 |
| 16 |
16 비정질 실리콘 박막을 유리기판의 상면에 증착하는 비정질 실리콘 박막 형성단계와, 상기 비정질 실리콘 박막에 원자층 증착법에 의하여 니켈 산화물 박막을 형성하는 니켈 산화물 박막 형성단계와,상기 비정질 실리콘 박막을 열처리하여 결정질 실리콘 박막으로 결정화시키는 비정질 실리콘 박막 결정화단계와,상기 결정질 실리콘 박막을 식각하여 박막 트랜지스터가 형성되는 소정 면적으로 패터닝하는 결정질 실리콘 박막 패터닝단계와,식각된 상기 결정질 실리콘 박막을 포함한 절연기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 게이트 절연막 형성단계와,식각된 상기 결정질 실리콘 박막의 상부 영역에서 게이트 절연막 상면에 게이트 전극을 형성하는 게이트 전극 형성단계 및상기 게이트 전극을 기준으로 상기 식각된 결정질 실리콘 박막의 좌우에 소정의 불순물을 주입하여 소스 영역과 드레인 영역 및 채널 영역을 형성하는 소스 영역 및 드레인 영역 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 니켈 산화물 박막을 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법 |
| 17 |
17 제 16항에 있어서, 상기 비정질 실리콘 박막 형성단계 후에 상기 비정질 실리콘 박막 상면에 산화막 또는 질화막의 캐핑 레이어를 형성하는 캐핑 레이어 형성단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 니켈 산화물 박막을 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법 |
| 18 |
18 제 17항에 있어서, 상기 캐핑 레이어는 알루미나(Al2O3), 이산화하프늄(HfO2), 지르코니아(ZrO2) 및 실리콘 나이트라이드(SiNx)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 물질에 의하여 1Å 내지 100Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 니켈 산화물 박막을 이용한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 |
| 19 |
19 제 16항에 있어서,상기 소스 영역 및 드레인 영역 형성단계 후에상기 게이트 전극을 포함하는 게이트 절연막의 상부에 층간 절연막을 형성하는 층간 절연막 형성단계 및 상기 층간 절연막과 게이트 절연막의 관통하여 상기 소스 영역과 드레인 영역으로 연결되는 각각의 콘택홀을 통하여 상기 소스 영역과 드레인 영역에 전기적으로 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 소스 전극 및 드레인 전극 형성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 니켈 산화물 박막을 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법 |
| 20 |
20 제 16항에 있어서, 상기 니켈 산화물 박막은 제 1항 내지 제 8항의 어느 한 항에 의한 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 니켈 산화물 박막을 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법 |
| 21 |
21 제 16항에 있어서,상기 비정질 실리콘 박막 형성단계 전에 또는 상기 니켈 산화물 박막 형성단계 전에 제 2항에 의한 세척단계를 실시하는 것을 특징으로 하는 니켈 산화물 박막을 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0753997-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20060210 출원 번호 : 1020060012989 공고 연월일 : 20070903 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20070720 청구범위의 항수 : 21 유별 : H01L 29/786 발명의 명칭 : 니켈 산화물 박막 형성방법과 이를 이용한 비정질 실리콘박막의 결정화 방법 및 박막 트랜지스터 제조 방법. 존속기간(예정)만료일 : 20170825 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 황진하 서울특별시 종로구... |
| 1 |
(권리자) 한국화학연구원 대전광역시 유성구... |
| 2 |
(권리자) 홍익대학교 산학협력단 서울특별시 마포구... |
| 2 |
(의무자) 황진하 서울특별시 종로구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 607,500 원 | 2007년 08월 27일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 602,400 원 | 2010년 09월 08일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 652,600 원 | 2011년 11월 07일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 502,000 원 | 2012년 08월 24일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 898,000 원 | 2013년 08월 23일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 1,005,760 원 | 2014년 12월 16일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 898,000 원 | 2015년 07월 10일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 1,395,000 원 | 2016년 06월 07일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2006.02.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0099639-51 |
| 2 | 전자문서첨부서류제출서 | 2006.02.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-5012534-33 |
| 3 | 보정요구서 | 2006.03.03 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2006-0032566-17 |
| 4 | 서지사항보정서 | 2006.03.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-5022034-06 |
| 5 | 선행기술조사의뢰서 | 2006.12.06 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 6 | 선행기술조사보고서 | 2007.01.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-2007-0001095-93 |
| 7 | 의견제출통지서 | 2007.01.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0031956-29 |
| 8 | 지정기간연장신청서 | 2007.03.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0206312-50 |
| 9 | 명세서등보정서 | 2007.04.09 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2007-0272011-04 |
| 10 | 의견서 | 2007.04.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0272012-49 |
| 11 | 등록결정서 | 2007.07.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0393009-18 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.04.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5059312-66 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.05.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5074743-27 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5208083-56 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.10.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5200453-53 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.04.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5055308-21 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.09.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5149242-13 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.09.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5149265-52 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제정보가 없습니다 |
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