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무기나노입자 표면을 블록공중합체인 폴리(스티렌-b-비닐벤질클로라이드)와 반응시키는 1단계;
상기 1단계 반응물에 아민을 첨가하여, 무기나노입자 표면에 비닐벤질암모늄염 블록과 폴리스티렌 블록의 이중층을 형성하여 유기고분자가 코팅된 무기나노입자를 제조하는 2단계; 및
상기 유기고분자가 코팅된 무기나노입자를 폴리스타이렌, 폴리카보네이트, 폴리비닐렌디플루오라이드, 폴리비닐리덴플루오라이드-헥사플루오로프로필렌 공중합체, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리비닐알콜, 에폭시 수지, 멜라민-포름알데히드 수지 및 페놀 수지 중에서 선택되는고분자 매트릭스 용액에 분산시켜 무기나노입자-고분자 복합체 용액을 제조하는 3단계
를 포함하는 것을 특징으로 무기나노입자-고분자 복합체의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 폴리(스티렌-b-비닐벤질클로라이드)는 스티렌 블록과 비닐벤질클로라이드 블록의 분자량이 각각 2000 ~ 50000 사이에 있는 것을 특징으로 하는 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 폴리(스티렌-b-비닐벤질클로라이드)는 스티렌에 대한 비닐벤질클로라이드의 몰 수 비가 0
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제 1 항에 있어서, 상기 무기나노입자는 다음 화학식 1로 표시되는 화합물로 입자크기 3 ~ 200 nm 범위의 나노입자인 것을 특징으로 하는 제조방법 :
[화학식 1]
MmLnOl
상기 화학식 1에서, M은 주기율표 1A ~ 4A 원소 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 전형 금속, L은 전이금속, 란타나이드 금속 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 원소이며, m은 0 ~ 4의 정수, n은 0 ~ 4의 정수이며 l은 1 ~ 8의 정수를 나타낸다
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제 1 항에 있어서, 상기 무기나노입자는 UV-오존 처리를 거치고 LiH, NaH, KH, 탄소수 1 ~ 10 사이의 알킬리튬으로 처리한 것을 특징으로 하는 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 아민은 탄소수 1 ~ 20 사이의 1차, 2차, 3차 알킬아민인 것을 특징으로 하는 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 1단계 과정 후 무기나노입자의 표면에 잔류하는 폴리(스티렌-b-비닐벤질클로라이드)의 함량을 무기나노입자에 대하여 10 ~ 50 중량%로 조절하는 세척단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 유기고분자가 코팅된 무기나노입자는 코팅 두께가 1 ~ 30 nm 범위인 것을 특징으로 하는 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 유기고분자가 코팅된 무기나노입자와 고분자 매트릭스의 중량비가 1 : 99 ~ 90 : 10 범위로 혼합되는 것을 특징으로 하는 제조방법
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삭제
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제 1 항 내지 제 9 항 중에서 선택된 어느 하나의 제조방법으로 제조된 무기나노입자-고분자 복합체를 전극사이에 증착한 캐피시터의 유전막
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