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높은 종횡비를 가지는 나노구조물 제조 방법, 이에 의하여 제조된 나노구조물 및 그 응용

  • 기술번호 : KST2015113925
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 높은 종횡비를 가지는 나노구조물 제조 방법, 이에 의하여 제조된 나노구조물 및 그 응용이 제공된다.본 발명에 따른 나노구조물 제조방법은 기판 상에 적층된 제 1층 위에 실리콘 함유 중합체 블록을 포함하는 블록공중합체를 도포하는 단계; 상기 도포된 블록공중합체를 어닐링하여 자기조립시키는 단계; 및 상기 자기조립된 실리콘 함유 블록공중합체를 산소 반응성 이온 에칭 처리하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 나노구조물 제조방법은 실리콘 화합물을 첨가하는 별도의 과정 없이 실리콘을 포함하는 단량체를 이용하여 손쉽게 합성된 실리콘 함유 블록공중합체를 이중층의 상부층에 적용시키는 것으로, 본 발명에서는 실리콘을 함유하는 블록공중합체가 바로 사용될 수 있기 때문에 그 공정이 짧고 간단하며, 실리콘 함유 블록공중합체의 자기 조립 현상을 이용하여 수 십 나노크기의 미세 구조를 구현 할 수 있다. 또한 높은 에칭 저항성을 가지는 블록에 의해 하부 유기 고분자 층으로의 패턴 전사를 가능하게 한다. 또한, 이를 통해 형성된 높은 종횡비를 가지는 미세 나노구조물은 다른 다양한 나노구조물을 형성하기 위한 주형으로서 응용될 수 있으며, 또한 하부층, 기판 등을 다양하게 사용할 수 있는 장점이 있어 나노구조물이 요구되는 모든 응용에 적용될 수 있다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020100027303 (2010.03.26)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1329262-0000 (2013.11.07)
공개번호/일자 10-2011-0108034 (2011.10.05) 문서열기
공고번호/일자 (20131114) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.26)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진백 대한민국 대전광역시 유성구
2 김수민 대한민국 경기도 안산시 상록구
3 구세진 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0193852-81
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.09.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.10.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0080250-87
4 보정요구서
Request for Amendment		 2011.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0601391-20
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-1008313-68
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0052556-22
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0365824-63
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0685254-18
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.09.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0749333-17
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0749332-61
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.01.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0015351-49
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0027245-97
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.01.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0027243-06
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
15 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2013.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0504321-16
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0691457-11
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0691459-02
18 등록결정서
Decision to grant		 2013.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0591148-31
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노구조물 제조방법에 있어서, 실리콘 모이어티가 공유결합된 제 1 블록과, 실리콘이 함유되지 않은 유기 화합물로 이루어진 제 2 블록으로 이루어지며, 상기 제 1 블록과 제 2 블록이 공유결합된 구조의 실리콘 함유 블록 공중합체를, 기판 상에 적층된 제 1층 위에 도포하는 단계;상기 도포된 실리콘 함유 블록 공중합체를 어닐링하여 자기조립시키는 단계; 및상기 자기조립된 실리콘 함유 블록공중합체를 산소 반응성 이온 에칭 처리하는 단계를 포함하며, 상기 산소 반응성 이온 에칭 처리에 의하여 상기 실리콘 모이어티는 실리콘 산화물로 전환되며, 상기 어닐링에 의하여 실린더, 라멜라, 또는 스피어 형상으로 자기조립된 상기 제 2 블록 및 그 하부 제 1 층이 상기 산소 반응성 이온 에칭 처리에 의하여 제거되는 것을 특징으로 하는, 나노구조물 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 제 1 블록은 실리콘 모이어티가 상기 블록의 단량체에 미리 공유결합된 후, 중합된 것을 특징으로 하는, 나노구조물 제조방법
3 3
삭제
4 4
제 2항에 있어서, 상기 실리콘 모이어티는 상기 블록의 측쇄로 결합된 것을 특징으로 하는, 나노구조물 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 어닐링에 의하여 제 2 블록은 상기 제 1 블록 매트릭스 내에서 실린더, 라멜라, 또는 스피어 형상으로 자기조립되는 것을 특징으로 하는, 나노구조물 제조방법
6 6
삭제
7 7
제 1항에 있어서, 상기 제 1층은 실리콘 모이어티가 공유결합된 제 1 블록보다 높은 에칭 속도를 갖는 것을 특징으로 하는, 나노구조물 제조방법
8 8
제 1항, 제 2항, 제 4항, 제 5항 및 제 7항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조된 나노구조물
9 9
제 1항, 제 2항, 제 4항, 제 5항 및 제 7항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조된 나노구조물을 주형으로 사용하여, 또 다른 임의의 제 2 물질을 상기 나노구조물에 적층시켜 제 2 물질로 이루어진 제 2 나노구조물을 제조하는 것을 특징으로 하는, 나노구조물 제조방법
10 10
제 9항에 있어서,상기 제 2 나노구조물은 나노점, 나노튜브, 나노와이어 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노구조물 제조방법
11 11
제 10항에 있어서, 상기 제 2 물질은 금속이며, 상기 나노구조물 주형은 나노포어 어레이인 것을 특징으로 하는 나노구조물 제조방법
12 12
제 9항에 있어서, 상기 나노구조물 주형은 제 2 물질의 적층 후, 리프트-오프 및 산소/CF4-반응성 이온 에칭 공정에 의하여 제거되는 것을 특징으로 하는, 나노구조물 제조방법
13 13
실리콘 모이어티를 함유하는 스티렌으로 이루어진 제 1 중합체 블록과 스티렌으로 이루어진 제 2 중합체 블록으로 이루어진 블록공중합체를 기판 상에 도포된 하부층 위에 도포하는 단계;상기 블록공중합체를 기상 용매로 어닐링하여, 실린더 구조의 제 2 중합체 블록으로 자기조립시키는 단계; 및상기 자기조립된 블록공중합체를 산소 반응성 이온 에칭 처리하여, 제 2 중합체 블록 및 제 2 중합체 블록 아래의 하부층을 에칭시키는 단계를 포함하며, 상기 하부층은 자기조립된 제 1 중합체 블록보다 높은 에칭속도를 갖는 것을 특징으로 하는 나노구조물 제조방법
14 14
제 13항에 있어서,상기 하부층은 가교결합된 유기고분자층인 것을 특징으로 하는 나노구조물 제조방법
15 15
제 13항에 있어서, 상기 실리콘 모이어티는 제 1 중합체 블록의 스티렌의 페닐기에 결합된 것을 특징으로 하는, 나노구조물 제조방법
16 16
제 13항에 있어서,상기 실리콘 모이어티는 탄소수 1 내지 5의 알킬기로 치환된 실란기를 포함하는 것을 특징으로 하는, 나노구조물 제조방법
17 17
제 13항에 있어서, 상기 실리콘 함유 블록공중합체는 음이온 중합 또는 라디칼 중합에 의하여 제조된 것을 특징으로 하는, 나노구조물 제조방법
18 18
제 13항에 있어서, 상기 실리콘 모이어티는 하기 식(1)의 화합물인 것을 특징으로 하는, 나노구조물 제조방법
19 19
제 13항에 있어서, 상기 블록공중합체는 하기 식 (2)의 블록공중합체인 것을 특징으로 하는, 나노구조물 제조방법
20 20
제 13항에 있어서, 상기 어닐링 공정의 기상 용매 선택에 따라 자기조립된 실린더 구조의 배향이 바뀌는 것을 특징으로 하는, 나노구조물 제조방법
21 21
제 13항에 있어서,상기 기판은 실리콘 또는 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는, 나노구조물 제조방법
22 22
제 13항 내지 제 21항 중 어느 한 항에 따라 제조된 것을 특징으로 하는 나노구조물
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1 리빙 중합을 이용한 감광성 블록공정 합체의 합성 및 반도체 소자 제작용 나노패턴 제조공정