| 1 |
1
a)구리화합물, 인듐화합물 및 셀레늄화합물을 끓는점이 200℃이상인 반응용매와 혼합하는 단계;b)상기 혼합액을 마이크로파를 조사하여 200~300℃에서 15~40분동안 반응하여 CuSe 및 CuSe2가 형성되어 있는 CI(G)S입자의 제조단계; 및c)상기 CuSe 및 CuSe2가 생성되어 함유된 CI(G)S 입자를 기판에 코팅하고 열처리하여 CI(G)S 막을 제조하는 단계;를 포함하는 CI(G)S 막의 제조방법
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서,상기 a)단계에서 갈륨화합물을 더 포함하는 CI(G)S 막의 제조방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 c)단계에서 열처리는 200~400℃에서 15~60분 유지한 후, 500~600℃로 승온하여 15~60분 유지하는 2단계 열처리인 것을 특징으로 하는 CI(G)S 막의 제조방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 a)단계에서 반응용매는 폴리욜계 용매, 아민계열 용매 및 포스핀계 용매로부터 1종 또는 2종 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S 막의 제조방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 a)단계에서 반응용매는 디에틸렌글리콜(diethylene glycol), 디에틸렌글리콜 에틸이서(diethylene glycol ethyl ether), 디에틸렌글리콜 부틸이서(diethylene glycol buthyl ether), 트리에틸렌글리콜(triethylene glycol,), 폴리에틸렌 글리콜 (poly(ethylene glycol), 분자량; 200~100,000), 폴리에틸렌 글리콜 다이아크릴레이트 (poly(ethylene glycol) diacrylate), 폴리에틸렌 글리콜 다이벤조네이트 (poly(ethylene glycol) dibenzonate), 디프로필렌글리콜 (dipropylene glycol), 트리프로필렌글리콜 (dipropylene glycol), 글리세롤 (glycerol), 디에틸아민(diethyl amine), 트리에틸아민(triethylamine), 1,3-프로판디아민(1,3-propane diamine), 1,4-부탄디아민(1,4-butane diamine), 1,5-펜탄디아민(1,5-pentane diamine), 1,6-헥산디아민(1,6-hexane diamine), 1,7-헵탄디아민(1,7-heptane diamine), 1,8-옥탄디아민(octane diamine), 디에틸렌디아민 (diethylene diamine), 디에틸렌트리아민(diethylene triamine), 톨루엔 디아민(toluene diamine), m-페닐렌디아민(m-phenylenediamine), 디페닐메탄 디아민(diphenyl methane diamine), 헥사메틸렌 디아민(hexamethylene diamine), 트리에틸렌테트라아민(triethylene tetramine), 테트라에틸렌펜타아민(tetraethylenepentamine), 헥사메틸렌테트라아민(hexamethylene tetramine), 트리옥틸포스핀 (trioctylphosphine) 및 트리옥틸포스핀옥사이드 (trioctylphosphineoxide)로이루어진 군으로부터 1종 또는 2종 이상 포함하는 CI(G)S 막의 제조방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 a)단계에서 구리화합물은 CuO, CuO2, CuOH, Cu(OH)2, Cu(CH3COO), Cu(CH3COO)2, CuF2, CuCl, CuCl2, CuBr, CuBr2, CuI, Cu(ClO4)2,Cu(NO3)2, CuSO4 및 이들의 수화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 포함하는 CI(G)S 막의 제조방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 a)단계에서 인듐화합물은 In2O3, In(OH)3, In(CH3COO)3, InF3, InCl, InCl3, InBr, InBr3, InI, InI3, In(ClO4)3, In(NO3)3, In2(SO4)3 및 이들의 수화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 포함하는 CI(G)S 막의 제조방법
|
| 8 |
8
제2항에 있어서,상기 a)단계에서 갈륨화합물은 Ga2O3, Ga(OH)3, Ga(CH3COO)3, GaF3, GaCl, GaCl3, GaBr, GaBr3, GaI, GaI3, Ga(ClO4)3, Ga(NO3)3, Ga2(SO4)3 및 이들의 수화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 포함하는 CI(G)S 막의 제조방법
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 a)단계에서 셀레늄화합물은 Se, H2Se, Na2Se, K2Se, Ca2Se, (CH3)2Se 및 이들의 수화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 포함하는 CI(G)S 막의 제조방법
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 b)단계에서 제조된 CI(G)S 입자는 CuSe 및 CuSe2의 몰비가 전체CI(G)S 입자의 부피에 대하여 서로 독립적으로 1~20 vol%를 포함하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S 막의 제조방법
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 c)단계에서 열처리는 비활성기체 또는 Se기체분위기에서 수행하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S 막의 제조방법
|
| 12 |
12
제1항에 있어서,상기 c)단계에서 코팅은 스핀코팅, 딥코팅, 드랍 캐스팅, 잉크젯 프린팅(ink-jet printing), 미세 접촉 프린팅(micro-contact printing), 임프린팅(imprinting), 그라비아 프린팅(gravure printing), 그라비아-옵셋 프린팅(gravure-offset printing), 플렉소 프린팅 (Flexography printing) 및 스크린 프린팅(screen printing)로부터 1종이상 선택되는 방법인 CI(G)S 막의 제조방법
|
