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금속양이온 전구체, 용매, 안정화제 및 화학적 첨가제를 포함하고,상기 화학적 첨가제는 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 에탄다이올, 프로판다이올, 부탄다이올, 펜탄다이올, 포름아마이드, 다이메틸포름아마이드, 글리세롤, 다이옥산, 다이메틸설폭사이드, 테트라하이드로퓨란으로부터 선택되는 1종 이상이고,상기 금속양이온 전구체는 인듐(In) 전구체와, 갈륨(Ga), 징크(Zn), 틴(Sn), 알루미늄(Al) 중 어느 하나 이상의 금속 전구체를 포함하고,상기 용매에 대한 상기 화학적 첨가제의 비율이 부피 기준으로 90:10~60:40인 것을 특징으로 하는 금속산화물 반도체 잉크 조성물
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청구항 1에 있어서,상기 금속 양이온 전구체는 용매를 기준으로 0
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청구항 1에 있어서,상기 안정화제는 금속 양이온 전구체를 기준으로 0
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청구항 1에 있어서,상기 인듐(In) 전구체는 인듐 아세테이트 (indium acetate), 인듐 아세테이트 하이드레이트 (indium acetate hydrate), 인듐 아세틸아세토네이트 (indium acetylacetonate), 인듐 부톡사이드 (indium butoxide), 인듐 클로라이드 (indium chloride), 인듐 클로라이드 하이드레이트 (indium chloride hydrate), 인듐 클로라이드 테트라하이드레이트 (indium chloride tetrahydrate), 인듐 플로라이드 (indium fluoride), 인듐 하이드록사이드 (indium hydroxide), 인듐 아이다이드 (indium iodide), 인듐 나이트레이트 (indium nitrate), 인듐 나이트레이트 하이드레이트 (indium nitrate hydrate), 인듐 설페이트 (indium sulfate), 인듐 설페이트 하이드레이트 (indium sulfate hydrate) 및 인듐 옥사이드 (indium oxide)로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상이고, 상기 갈륨(Ga) 전구체는 갈륨 아세틸아세토네이트 (gallium acetylacetonate), 갈륨 클로라이드 (gallium chloride), 갈륨 플로라이드 (gallium fluoride), 갈륨 나이트레이트 하이드레이트 (gallium nitrate hydrate), 갈륨 옥사이드 (gallium oxide), 갈륨 설페이트 (gallium sulfate) 및 갈륨 설페이트 하이드레이트 (gallium sulfate hydrate)로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상이고, 상기 징크(Zn) 전구체는 징크 아세테이트 (zinc acetate), 징크 아세테이트 다이하이드레이트 (zinc acetate dihydrate), 징크 아세틸아세토네이트 하이드레이트 (zinc acetylacetonate hydrate), 징크 클로라이드 (zinc chloride) 및 징크 플로라이드 (zinc fluoride)로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상이고, 상기 틴(Sn) 전구체는 틴 아세테이트 (tin acetate), 틴 아세틸아세토네이트 (tin acetylacetonate), 틴 부톡사이드 (tin tert-butoxide), 틴 클로라이드 (tin chloride), 틴 클로라이드 다이하이드레이트 (tin chloride dihydrate), 틴 클로라이드 펜타하이드레이트 (tin chloride pentahydrate), 틴 플로라이드 (tin fluoride), 틴 아이오다이드 (tin iodide), 틴 옥사이드 (tin oxide) 및 틴 설페이트 (tin sulfate)로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상이고, 상기 알루미늄(Al) 전구체는 알루미늄 아세테이트 (aluminium acetate), 알루미늄 아세틸아세토네이트 (aluminium acetylacetonate), 알루미늄 부톡사이드 (aluminium tert-butoxide), 알루미늄 클로라이드 (aluminium chloride), 알루미늄 클로라이드 하이드레이트 (aluminium chloride hydrate), 알루미늄 클로라이드 헥사하이드레이트 (aluminium chloride hexahydrate), 알루미늄 에톡사이드 (aluminium ethoxide), 알루미늄 플로라이드 (aluminium fluoride), 알루미늄 하이드록사이드 (aluminium hydroxide), 알루미늄 아이오다이드 (aluminium iodide), 알루미늄 이소프로폭사이드 (aluminium isopropoxide), 알루미늄 락테이트 (aluminium lactate), 알루미늄 나이트레이트 모노하이드레이트 (aluminium nitrate monohydrate) 및 알루미늄 포스페이트 (aluminium phosphate)로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 금속산화물 반도체 잉크 조성물
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청구항 1에 있어서,상기 용매는 메탄올 (methanol), 에탄올 (ethanol), 이소프로필 알코올 (iso-propyl alcohol), 1-프로판올 (1-propanol), 메톡시에탄올(2-methoxyethanol), 아세토나이트릴 (acetonitrile), 다이메틸 설폭사이드 (dimethyl sulfoxide), 테트라하이드로퓨란 (tetrahydrofuran)으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 금속산화물 반도체 잉크 조성물
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청구항 1에 있어서,상기 안정화제는 아세틸아세토네이토, 에탄올아민, 다이에탄올아민, 트리에탄올아민, 아세트산, 에틸렌아민, 다이에틸렌트리아민, 에틸렌다이아민, 에틸아세토아세테이트, 에틸렌다이아민테트라아세테이토로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 금속산화물 반도체 잉크 조성물
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a) 청구항 1의 금속산화물 반도체 잉크 조성물을 이용하여 기판에 성막하여 금속산화물 반도체 박막을 만드는 단계; 및b) 상기 성막된 금속산화물 반도체 박막을 100 ~ 600℃에서 열처리하는 단계;를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 금속산화물 반도체 박막을 만드는 단계는 스핀 코팅, 딥코팅, 바코팅, 드랍 캐스팅, 슬롯 다이 코팅으로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 용액 공정; 및잉크젯 프린팅, EHD(electrohydrodynamic) 프린팅, 스크린 프린팅, 임프린팅, 그라비아 프린팅, 그라비아 오프셋 프린팅, 리버스 오프셋 프린팅으로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 인쇄 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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