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실리콘（Ⅳ）알콕시알콕사이드 화합물 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015139075
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 새로운 실리콘 착화합물 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따라 실리콘에 알킬옥사이드가 배위된 착화합물은 열적으로 안정하고 공기 중에서도 안정하며 휘발성이 높고 화학기상증착(CVD, Chemical Vapor Deposition)에 의한 박막 형성시 탄소나 할로겐 오염을 일으키지 않아 양질의 실리콘 또는 실리콘 산화물 박막을 제조하는데 유리하게 이용될 수 있다. [화학식 1] Si(R1)nOCR2R3(CH2)mOR44-n [상기 화학식 1에서, R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 선형 또는 분지형의 (C1-C4)알킬이고; m은 1내지 3의 정수이며; n은 0 내지 3의 정수이다.] 실리콘 착화합물, 실리콘알콕시알콕사이드
Int. CL C07F 7/18 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01)
CPC C07F 7/1804(2013.01) C07F 7/1804(2013.01)
출원번호/일자 1020090021464 (2009.03.13)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1017897-0000 (2011.02.21)
공개번호/일자 10-2010-0103054 (2010.09.27) 문서열기
공고번호/일자 (20110304) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.13)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정택모 대한민국 대전광역시 유성구
2 김창균 대한민국 대전광역시 유성구
3 채원묵 대한민국 전라남도 순천시
4 황광택 대한민국 서울특별시 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0152440-65
2 등록결정서
Decision to grant		 2011.02.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0068540-23
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
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번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 실리콘 착화합물
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 R1, R2, R3 및 R4가 각각 독립적으로 CH3, C2H5 및 CH(CH3)2 로 이루어진 군으로부터 선택된 알킬기임을 특징으로 하는 실리콘 착화합물
3 3
하기 화학식 2의 실리콘 화합물과 하기 화학식 3의 알칼리 금속염을 반응시키는 것을 특징으로 하는 하기 화학식 1의 실리콘 착화합물의 제조 방법
4 4
제 3항에 있어서, 용제로서, 펜탄, 헥산, 디에틸에테르, 테트라하이드로퓨란 및 톨루엔으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 실리콘 착화합물의 제조 방법
5 5
제 1항 또는 제 2항에 따른 실리콘 착화합물을 전구체로서 사용하여 실리콘 박막 또는 실리콘 산화물 박막을 성장시키는 방법
6 6
제 5항에 있어서, 금속 유기물 화학 증착법 (MOCVD)에 의해 박막을 성장시킴을 특징으로 하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 요업기술원 부품소재기술개발사업 Preceramics 융합공정용 선구 물질 개발