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Ｓｅ 저온 증착 열처리에 의한 ＣＩ（Ｇ）Ｓ 박막의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015139314
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 CI(G)S 태양전지의 광흡수층으로 이용되는 CI(G)S 박막의 제조 방법 및 CI(G)S 태양전지에 관한 것으로 본 발명은 Se 증착시 CI(G)S 시료의 온도를 제어해 MoSe2의 형성을 억제하며 추가 열처리와 증기압 조절로 치밀하고 우수한 전기적 특성을 가지는 박막을 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0216 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01)
CPC H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01)
출원번호/일자 1020110035415 (2011.04.15)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0117587 (2012.10.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.15)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정선호 대한민국 대전광역시 유성구
2 류병환 대한민국 대전광역시 서구
3 최영민 대한민국 대전광역시 서구
4 이선숙 대한민국 대전광역시 중구
5 김창균 대한민국 대전광역시 유성구
6 이병석 대한민국 대전광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0281933-13
2 보정요구서
Request for Amendment		 2011.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0034091-30
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0308481-44
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.01.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.02.17 수리 (Accepted) 9-1-2012-0010974-84
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.06.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0329584-66
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0605329-91
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.07.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0605318-99
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0766646-82
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
태양전지의 광흡수층으로 이용되는 용액공정 기반 CI(G)S 박막 제조방법에 있어서,a) 60℃~150℃로 가열된 CI(G)S시료를 포함하는 박막 상에 Se를 증착하는 단계;및b) Se이 증착된 CI(G)S시료를 포함하는 박막을 300℃~600℃의 온도에서 열처리하는 단계;를 포함하는 Se 저온 증착 열처리에 의한 CI(G)S 박막 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,CI(G)S시료는 CI(G)S 물질 또는 CI(G)S로 변환될 수 있는 전구체 물질을 포함하는 Se 저온 증착 열처리에 의한 CI(G)S 박막 제조방법
3 3
제 1항에 있어서,a)단계는 1~240분 동안 수행되는 Se 저온 증착 열처리에 의한 CI(G)S 박막 제조방법
4 4
제 1항에 있어서,a)단계는 H2Se 가스 또는 승화된 Se 가스로 수행되는 Se 저온 증착 열처리에 의한 CI(G)S 박막 제조방법
5 5
제 4항에 있어서,승화된 Se 가스는 Se를 200℃~400℃에서 승화시켜 얻어지는 것인 Se 저온 증착 열처리에 의한 CI(G)S 박막 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 추가 열처리는 1~480분 동안 수행되는 Se 저온 증착 열처리에 의한 CI(G)S 박막 제조방법
7 7
제 1항에 있어서, CI(G)S시료는 Cux(In1-yGay)Se2에서 조성비는 0
8 8
제 1항에 있어서,b)단계는 진공분위기하 또는 비활성 가스의 유동하에 수행되는 Se 저온 증착 열처리에 의한 CI(G)S 박막 제조방법
9 9
제 1항 내지 제 7항에서 선택되는 어느 한 항에 따라 제조된 CI(G)S 박막
10 10
제 9항의 CI(G)S 박막을 채용한 CI(G)S 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국화학연구원 전략기술개발사업 다이렉트 나노패터닝용 반도체 잉크 소재 개발 (3)
2 산업기술연구회 한국화학연구원 협동연구사업 용액화학기반형 저가/고효율 CIGS 박막 태양전지 소재 및 잉크 기술개발