1 |
1
하기 화학식 1로 표시되는 디티오펜피롤로이소인돌 유도체:[화학식 1](상기 화학식 1에서,R1은 H이고;R2는 C1-10 직쇄 또는 측쇄 알킬기이고;R3는 C1-6 직쇄 또는 측쇄 알킬기이다)
|
2 |
2
제1항에 있어서, 상기 R1은 H이고;R2는 C1-9 직쇄 또는 측쇄 알킬기이고;R3는 C1-3 직쇄 또는 측쇄 알킬기인 것을 특징으로 하는 디티오펜피롤로이소인돌 유도체
|
3 |
3
제1항에 있어서, 상기 R1은 H이고;R2는 헥실기, 2-메틸헥실기 또는 2-에틸헥실기이고;R3은 메틸기인 것을 특징으로 하는 디티오펜피롤로이소인돌 유도체
|
4 |
4
제1항에 있어서, 상기 R1은 H이고;R2는 2-에틸헥실기이고;R3은 메틸기인 것을 특징으로 하는 디티오펜피롤로이소인돌 유도체
|
5 |
5
제1항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 디티오펜피롤로이소인돌 유도체는, (E)-메틸 2-시아노-3-(5-(8-(5-(4-(디페닐아미노)페닐)티오펜-2-일)-2,6-비스(2-에틸헥실)-1,3,5,7-테트라옥소-1,2,3,5,6,7-헥사히드로피롤로[3,4-f]이소인돌-4-일)티오펜-2-일)아크릴레이트인 것을 특징으로 하는 디티오펜피롤로이소인돌 유도체
|
6 |
6
하기 반응식 1에 나타낸 바와 같이, 화합물 2를 아세트산무수물과 반응시켜 화합물 3을 얻는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 얻은 화합물 3과 C1-10 직쇄 또는 측쇄 알킬아민을 첨가제와 함께 반응시켜 화합물 4를 얻는 단계(단계 2);상기 단계 2에서 얻은 화합물 4와 티오펜-2-보론산을 촉매하에 반응시켜 화합물 5를 얻는 단계(단계 3);상기 단계 3에서 얻은 화합물 5에 N-브로모숙신이미드를 할로겐화 반응시켜 화합물 6을 얻는 단계(단계 4);상기 단계 4에서 얻은 화합물 6과 디메틸포름아미드를 첨가제와 함께 반응시켜 화합물 7을 얻는 단계(단계 5);상기 단계 5에서 얻은 화합물 7을 트리페닐아민기와 반응시켜 화합물 8을 얻는 단계(단계 6); 및상기 단계 6에서 얻은 화합물 8을 피페리딘과 함께 산처리하여 화학식 1의 화합물을 얻는 단계(단계 7)를 포함하되,상기 단계 2의 첨가제는 소듐아세테이트 및 아세트산무수물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상이고,상기 단계 5의 첨가제는 옥시염화인인 것을 특징으로 하는 제1항의 디티오펜피롤로이소인돌 유도체의 제조방법:[반응식 1](상기 반응식 1에서, R1, R2 및 R3은 제1항의 화학식 1에서 정의한 바와 같다)
|
7 |
7
전도성 기판;상기 전도성 기판 상에 형성되고, 하기 화학식 1의 화합물을 포함하는 염료가 흡착된 금속 산화물층을 포함하는 반도체 전극;대향 전극; 및상기 반도체 전극과 상기 대향 전극 사이를 채우는 전해질을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지:[화학식 1](상기 화학식 1에서, R1, R2 및 R3은 제1항의 화학식 1에서 정의한 바와 같다)
|
8 |
8
제7항에 있어서, 상기 전해질은 DMPII(1,2-다이메틸-3-프로필이미다졸리움 아이오다이드) 액상 전해질 또는 준고상(Quasi solid state) 전해질인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
|
9 |
9
제8항에 있어서, 상기 준고상 전해질은 PVH(폴리(비닐리덴-플루오라이드-co-헥사플루오로프로필렌))70, PVH(폴리(비닐리덴-플루오라이드-co-헥사플루오로프로필렌))80 및 PVDF-HFP(폴리(비닐리덴-플루오라이드-헥사플루오로프로필렌))로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
|
10 |
10
제1항의 디티오펜피롤로이소인돌 유도체를 단분자로 사용하는 고분자 및 단분자 혼합형 태양전지
|