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보강 개스킷을 포함하는 막-전극 접합체

  • 기술번호 : KST2014013641
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 연료전지 단위 전지(single cell) 및 스택(stack)제조 시에도 전해질막이 손상되지 않는 구조의 막-전극 접합체로서, 기존의 개스킷 사이에 전해질막의 두께의 70~95%의 두께를 가지는 보강 개스킷을 포함하는 막-전극 접합체가 개시된다. 상기 막-전극 접합체를 사용하면, 전해질막이 기계적으로 보호되어 연료전지 단위 전지(single cell) 및 스택(stack)제조 시 지나친 체결합으로 인해 전해질막이 손상되는 것을 방지할 수 있고, 더욱이 전해질막과의 접촉저항 및 기체확산층과의 접촉저항을 최소한으로 하여 연료 전지의 성능을 더욱 개선시킬 수 있다. 전해질막, 막-전극 접합체, 보강 개스킷, 접촉저항
Int. CL H01M 4/86 (2006.01) H01M 8/10 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020080093297 (2008.09.23)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1064225-0000 (2011.09.05)
공개번호/일자 10-2010-0034259 (2010.04.01) 문서열기
공고번호/일자 (20110914) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.09.23)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형준 대한민국 경기 수원시 영통구
2 이증우 대한민국 부산광역시 부산진구
3 장종현 대한민국 경기도 용인시 수지구
4 조은애 대한민국 서울 성북구
5 윤성필 대한민국 경기 성남시 분당구
6 남석우 대한민국 서울 동대문구
7 오인환 대한민국 서울 노원구
8 홍성안 대한민국 서울 강남구
9 임태훈 대한민국 서울 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0668391-94
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.08.21 수리 (Accepted) 9-1-2009-0048266-18
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0528750-37
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0049848-43
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0126890-91
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.02.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0126891-36
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0492381-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전해질막(1), 상기 전해질막의 양면에 구비되는 촉매층(2a, 2b), 상기 촉매층 상에 구비되는 가스확산층(3a, 3b), 및 상기 촉매층과 가스확산층의 측면에 접하는 개스킷(4a, 4b)을 포함하는 막-전극 접합체로서, 상기 개스킷(4a)과 개스킷(4b) 사이에 구비되고 전해질막보다 얇으며, 전해질막의 두께의 70~95%의 두께를 가지는 보강 개스킷(5)을 포함하는 것을 특징으로 하는 막-전극 접합체
2 2
제1항에 있어서, 상기 보강 개스킷의 두께는 전해질막의 두께의 80~90%인 것을 특징으로 하는 막-전극 접합체
3 3
제1항에 있어서, 상기 보강 개스킷은 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE; polytetrafluoroethylene) 또는 폴리이미드계 고분자로 구성된 것을 특징으로 하는 막-전극 접합체
4 4
제1항에 있어서, 상기 전해질막은 무기산 도핑 레벨이 300% 이상인 폴리벤지이미다졸(PBI; polybenzimidazole)계 고분자 전해질막인 것을 특징으로 하는 막-전극 접합체
5 5
제1항에 있어서, 상기 전해질막은 습도가 50% 이상인 술폰산 포함 전해질막인 것을 특징으로 하는 막-전극 접합체
6 6
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 의한 막-전극 접합체를 포함하는 연료전지
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08057954 US 미국 FAMILY
2 US20100075202 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2010075202 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8057954 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.