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전도성 고분자, 이를 이용한 유기 광전변환재료 및 유기 태양전지

  • 기술번호 : KST2015139366
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 TIPS 치환 벤조다이싸이오펜계 전도성 고분자 및 이를 광전변환재료로 이용한 유기 태양전지에 관한 것으로서 구체적으로, 상기 전도성 고분자는 저 밴드갭을 가질뿐만 아니라 TIPS 치환 벤조다이싸이오펜 전도성 고분자에 전자 흡인기를 갖는 싸이에노싸이오펜을 도입함으로써, 평면도를 높여 상전이를 최소화하는 동시에 잘 정렬된 파이-파이 쌓임에 의해 정공이동도가 향상되는 효과가 있으므로, 유기 태양전지의 광전변환재료로 유용하게 사용할 수 있다.
Int. CL H01B 1/12 (2006.01) H01L 31/042 (2014.01) C08G 75/02 (2006.01) C08G 61/12 (2006.01)
CPC C08G 61/126(2013.01) C08G 61/126(2013.01) C08G 61/126(2013.01) C08G 61/126(2013.01) C08G 61/126(2013.01) C08G 61/126(2013.01) C08G 61/126(2013.01)
출원번호/일자 1020120043366 (2012.04.25)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1375563-0000 (2014.03.12)
공개번호/일자 10-2013-0120258 (2013.11.04) 문서열기
공고번호/일자 (20140320) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.25)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문상진 대한민국 대전 유성구
2 이상규 대한민국 대전 서구
3 이종철 대한민국 대전 유성구
4 신원석 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0331281-94
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.11.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.12.20 수리 (Accepted) 9-1-2012-0094755-38
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.09.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0610300-77
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-1003577-12
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.11.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1003582-30
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.03.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0164360-45
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 트리이소프로필실릴에티닐기 치환 벤조다이싸이오펜계 전도성 고분자:[화학식 1] (상기 화학식 1에 있어서,R1은 C1 - C20 의 직쇄 또는 측쇄의 알콕시기이고;R2는 수소 또는 할로겐원소이고;n은 1 - 1000의 정수이다)
2 2
제1항에 있어서,상기 R1은 C1 - C10의 직쇄 또는 측쇄의 알콕시기이고;R2는 수소, 플루오로, 염소 및 브롬 중에서 선택되는 어느 하나이고;n은 3 - 300의 정수인 것을 특징으로 하는 상기 화학식 1로 표시되는 트리이소프로필실릴에티닐기 치환 벤조다이싸이오펜계 전도성 고분자
3 3
제1항에 있어서,상기 R1은 C1 - C8의 직쇄 또는 측쇄의 알콕시기이고;R2는 수소 및 플루오로 중에서 선택되는 어느 하나이고;n은 3 - 300의 정수인 것을 특징으로 하는 상기 화학식 1로 표시되는 트리이소프로필실릴에티닐기 치환 벤조다이싸이오펜계 전도성 고분자
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 트리이소프로필실릴에티닐기 치환 벤조다이싸이오펜계 전도성 고분자는 하기 화학식 하기 화학식 2 및 화학식 4로 표시되는 전도성 고분자 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자:[화학식 2][화학식 4](상기 화학식 2 및 화학식 4에 있어서,n은 제1항의 화학식 1에서 정의한 바와 같다)
6 6
하기 화학식 1로 표시되는 트리이소프로필실릴에티닐기 치환 벤조다이싸이오펜계 전도성 고분자의 광전변환특성을 이용한 유기 광전변환재료: [화학식 1](상기 화학식 1에 있어서,R1은 C1 - C20의 직쇄 또는 측쇄의 알콕시기이고;R2는 수소 또는 할로겐원소이고;n은 1 - 1000의 정수이다)
7 7
기판, 제1전극, 버퍼층, 광전변환층 및 제2전극을 포함하는 유기 태양전지에서,상기 광전변환층이 하기 화학식 1로 표시되는 트리이소프로필실릴에티닐기 치환 벤조다이싸이오펜계 전도성 고분자가 전자공여체로 사용되고, C60 플러렌 유도체 또는 C70 플러렌 유도체가 전자수용체로 사용되어 배합된 유기 광전변환재료를 포함하는 유기 태양전지:[화학식 1](상기 화학식 1에 있어서,R1은 C1 - C20의 직쇄 또는 측쇄의 알콕시기이고;R2는 수소 또는 할로겐원소이고;n은 1 - 1000의 정수이다)
8 8
제7항에 있어서, 상기 전자수용체는 PC71BM을 사용하는 것을 특징으로 하는 유기 태양전지
9 9
제7항에 있어서, 상기 광전변환층은 전자공여체 및 전자수용체가 1:0
10 10
제7항에 있어서,상기 광전변환층은 상기 광전변환재료가 용해된 용액을 잉크젯 프린팅법, 스핀코팅법, 스크린 인쇄법 및 닥터 블레이드법으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나의 방법으로 도포 또는 코팅되는 것을 특징으로 하는 유기 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국화학연구원 미래기반기술개발사업 차세대 나노 유기 태양전지의 고차 구조화 소재기술 개발
2 지식경제부 한국화학연구원 부품소재기술개발사업 습식공정을 이용한 유무기 복합 광전하 발행/캐리어 소재 및 구조기술(3차)