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알킬 사슬 변성 술폰화 폴리에테르술폰 공중합체 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015122195
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 신규한 알킬 사슬 변성 술폰화 폴리에테르술폰 공중합체 및 그 제조 방법이 제공된다. 해당 알킬 체인 변성 술폰화 폴리에테르술폰 공중합체는 높은 열적 안정성 및 기계적 안정성을 가지며, 경제적이고 동시에 낮은 메탄올 침투성과 양호한 양성자 전도성, 양호한 물 흡수성을 가진다. 따라서, 기존의 나피온 등을 대체하여 고분자 전해질 막 연료전지 또는 직접 메탄올 연료전지 등과 같은 연료전지 상업화에 있어서 유용하게 사용될 수 있다.
Int. CL C08L 81/06 (2006.01) H01M 8/10 (2006.01) C08G 75/23 (2006.01) C08J 5/22 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120040192 (2012.04.18)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1395040-0000 (2014.05.08)
공개번호/일자 10-2013-0126787 (2013.11.21) 문서열기
공고번호/일자 (20140520) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.18)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 헨켄스마이어 디억 독일 서울 성북구
2 크리쉬난 엔. 남비 인도 서울 성북구
3 장종현 대한민국 서울 노원구
4 조은애 대한민국 서울특별시 성북구
5 남석우 대한민국 서울 동대문구
6 임태훈 대한민국 서울 송파구
7 홍성안 대한민국 서울특별시 서초구
8 김형준 대한민국 경기 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0306892-94
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.02.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.03.11 수리 (Accepted) 9-1-2013-0018223-35
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.08.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0550927-97
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0915532-25
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.10.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0915535-62
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0126741-57
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2014.03.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0289391-56
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0289389-64
11 등록결정서
Decision to Grant Registration
2014.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0305365-92
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
2,2-비스(p-하이드록시페닐)-알칸(여기서 알칸의 탄소수는 4~61), 하이드로퀴논 2-포타슘 술포네이트, 비스(4-플루오로페닐)술폰(FPS)을 중합하여 얻어지는, 하기 화학식 1로 표시되는 알킬 사슬 변성 술폰화 폴리에테르술폰 공중합체
2 2
제 1 항에 있어서,상기 알킬 사슬 변성 술폰화 폴리에테르술폰 공중합체에서 SO3H 인 Y는 공중합체 중 50% 내지 70%인 알킬 사슬 변성 술폰화 폴리에테르술폰 공중합체
3 3
제 1 항에 있어서,상기 알킬 사슬 변성 술폰화 폴리에테르술폰 공중합체에서 SO3H 인 X는 공중합체 중 35% 내지 60%인 알킬 사슬 변성 술폰화 폴리에테르술폰 공중합체
4 4
제 1 항에 있어서, X가 모두 H이고, Y가 모두 SO3H이며, n은 0
5 5
제 1 항에 있어서, R1은 CH3이고, R2는 C5H11인 알킬 사슬 변성 술폰화 폴리에테르술폰 공중합체
6 6
제 1 항에 있어서, R1은 CH3이고, R2는 C5H11이며, X는 H이고, Y는 SO3H이며, n은 0
7 7
2,2-비스(p-하이드록시페닐)-알칸(여기서 알칸의 탄소수는 4~61), 하이드로퀴논 2-포타슘 술포네이트, 비스(4-플루오로페닐)술폰(FPS)을 포타슘 카보네이트의 존재 하에서 방향족 치환 중합하여, 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 알킬 사슬 변성 술폰화 폴리에테르술폰 공중합체를 제조하는 방법
8 8
제 7 항에 있어서,2,2-비스(p-하이드록시페닐)-알칸은 2,2-비스(p-하이드록시페닐)-헵탄인 방법
9 9
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 알킬 사슬 변성 술폰화 폴리에테르술폰 공중합체를 포함하는 고분자 전해질 막
10 10
제 9 항에 있어서,상기 고분자 전해질 막은 산성 형태인 고분자 전해질 막
11 11
제 9 항에 있어서,상기 고분자 전해질 막의 평균 두께는 5 내지 100㎛인 고분자 전해질 막
12 12
제 9 항에 따른 고분자 전해질 막을 포함하는 막전극접합체
13 13
제 9 항에 따른 고분자 전해질 막을 포함하는 연료전지
14 14
제 13 항에 있어서,상기 연료전지는 고분자 전해질 막 연료전지(PEMFC) 또는 직접 메탄올 연료전지(DMFC)인 연료전지
15 15
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 알킬 사슬 변성 술폰화 폴리에테르술폰 공중합체로 고분자 전해질 막을 제조하는 방법으로서, 상기 알킬 사슬 변성 술폰화 폴리에테르술폰 공중합체로 캐스팅 용액을 제조하는 단계;상기 캐스팅 용액으로부터 막을 제조하는 단계; 및 상기 제조된 막을 산성화 처리하는 단계를 포함하는 고분자 전해질 막 제조 방법
16 16
제 15 항에 있어서,상기 방법은 고분자 전해질 막의 평균 두께를 5 내지 100㎛로 하는 고분자 전해질 막 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.