맞춤기술찾기

이전대상기술

폴리이미드계 고분자, 폴리아믹산 및 상기 고분자 또는 폴리아믹산을 이용한 연성 금속박 적층판 및 인쇄회로기판

  • 기술번호 : KST2015139469
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 스피로-비스인덴(spiro-bisindane) 구조를 함유하는 디아민계 화합물을 이용하여 제조된 폴리이미드계 고분자 및 폴리아믹산과, 상기 고분자 또는 상기 폴리아믹산을 이용한 연성 금속박 적층판 및 인쇄회로기판에 대한 것이다.
Int. CL C08G 73/10 (2006.01.01) C08L 79/08 (2006.01.01) B32B 15/08 (2006.01.01) H05K 1/03 (2006.01.01)
CPC C08G 73/10(2013.01) C08G 73/10(2013.01) C08G 73/10(2013.01) C08G 73/10(2013.01) C08G 73/10(2013.01)
출원번호/일자 1020130106230 (2013.09.04)
출원인 주식회사 두산, 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1553234-0000 (2015.09.09)
공개번호/일자 10-2015-0027599 (2015.03.12) 문서열기
공고번호/일자 (20150915) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.09.04)
심사청구항수 12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 두산 대한민국 서울특별시 중구
2 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서현진 대한민국 경기 용인시 수지구
2 김인욱 대한민국 서울 강남구
3 황용재 대한민국 경기 부천시 소사구
4 이혜선 대한민국 서울 송파구
5 원종찬 대한민국 대전광역시 서구
6 박노균 대한민국 대전광역시 서구
7 김병각 대한민국 대전 서구
8 김용석 대한민국 대전 유성구
9 박종현 대한민국 인천 남동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인한벗 대한민국 서울특별시 서대문구 충정로 *, 구세군빌딩 **층 (충정로*가)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
2 주식회사 두산 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0810516-10
2 보정요구서
Request for Amendment
2013.09.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0110282-95
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0856926-93
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5173799-80
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.03.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.04.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0028507-10
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.10.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0706406-15
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-1220542-38
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0046415-11
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0133841-77
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.02.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0133842-12
12 등록결정서
Decision to grant
2015.06.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0381621-81
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.06.11 수리 (Accepted) 4-1-2019-0033842-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 디아민계 화합물을 모노머(monomer)로 사용하여 제조되고, 하기 화학식 3으로 표시되는 반복단위를 포함하는 폴리이미드계 고분자:[화학식 1][화학식 3](상기 화학식 1 및 3에서, R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 -O(CH2)Y이고, Y는 수소, C1~C50의 알킬기 및 C1~C50의 알킬옥시기로 이루어진 군에서 선택되며,Ar1은 지환족 산무수물 또는 방향족 산무수물로부터 유도된 4가의 유기기임)
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 폴리이미드계 고분자는 하기 화학식 4로 표시되는 반복단위, 하기 화학식 5로 표시되는 반복단위, 또는 이들 모두를 더 포함하는 것이 특징인 폴리이미드계 고분자:[화학식 4][화학식 5](상기 화학식 4 및 5에서,R3 내지 R10은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되며, 이때 상기 R3 내지 R10에서, 알킬기, 사이클로알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아릴기, 헤테로아릴기는 할로겐, 시아노기, 카르복시기 및 C1~C40의 할로알킬기, C1~C40의 알킬옥시기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환될 수 있으며, 다만 상기 치환기가 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이할 수 있고;A는 단일결합이거나, 또는 방향족 디아민으로부터 유도된 2가의 유기기이며;Ar2 및 Ar3는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 지환족 산무수물 또는 방향족 산무수물로부터 유도된 4가의 유기기이며;W1 및 W2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 -(CH2)x-, -(CH=CH)x- 또는 -(C6H6)x-이고, x는 1~50의 정수이며;G는 , , 또는 이고, y는 100~1,000의 정수이며;R11 내지 R22은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소 또는 C1~C12의 알킬기임)
5 5
제1항에 있어서,상기 폴리이미드계 고분자는 하기 6 내지 8로 표시되는 고분자로 이루어진 군에서 선택된 것이 특징인 폴리이미드계 고분자:[화학식 6][화학식 7][화학식 8](상기 화학식 6 내지 8에서,R1 및 R2는 각각 제1항에서 정의한 바와 같고,Ar1 내지 Ar3는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 지환족 산무수물 또는 방향족 산무수물로부터 유도된 4가의 유기기이며;A는 단일결합이거나, 또는 방향족 디아민으로부터 유도된 2가의 유기기이고;R3 내지 R10은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C6~C40의 아릴기, 및 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되고, 이때 상기 R3 내지 R10에서, 알킬기, 사이클로알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아릴기, 헤테로아릴기는 할로겐, 시아노기, 카르복시기 및 C1~C40의 할로알킬기, C1~C40의 알킬옥시기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환될 수 있으며, 다만 상기 치환기가 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이할 수 있으며;W1 및 W2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 -(CH2)x-, -(CH=CH)x- 또는 -(C6H6)x-이고, x는 1~50의 정수이며;G는 , , 또는 이고, y는 100~1,000의 정수이며;R11 내지 R22은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소 또는 C1~C12의 알킬기이고;m, n 및 o는 각각 2 내지 100,000이고, 다만 2≤m+n≤ 100,000이며, 2≤m+n+o≤100,000임)
6 6
제1항 또는 제5항에 있어서,상기 Ar1은 , , , , , , 및 로 이루어진 군에서 선택되는 것이 특징인 폴리이미드계 고분자
7 7
제4항 또는 제5항에 있어서,상기 A는 , , , , , , , , 및 으로 이루어진 군에서 선택된 것이 특징인 폴리이미드계 고분자
8 8
제4항 또는 제5항에 있어서,상기 Ar2 및 Ar3는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 , , , , , , 및 로 이루어진 군에서 선택되는 것이 특징인 폴리이미드계 고분자
9 9
하기 화학식 1로 표시되는 디아민계 화합물을 이용하여 제조되고, 하기 화학식 9로 표시되는 폴리아믹산:[화학식 1][화학식 9](상기 화학식 1 및 9에서, R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 -O(CH2)Y이고, Y는 수소, C1~C50의 알킬기 및 C1~C50의 알킬옥시기로 이루어진 군에서 선택되며;Ar1은 지환족 산무수물 또는 방향족 산무수물로부터 유도된 4가의 유기기이며;m은 2 내지 100,000임)
10 10
삭제
11 11
제9항에 있어서,상기 폴리아믹산은 하기 화학식 10 또는 11로 표시되는 것이 특징인 폴리아믹산:[화학식 10][화학식 11](상기 화학식 10 및 11에서,R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 -O(CH2)Y이고, Y는 수소, C1~C50의 알킬기 및 C1~C50의 알킬옥시기로 이루어진 군에서 선택되며;Ar1 내지 Ar3는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 지환족 산무수물 또는 방향족 산무수물로부터 유도된 4가의 유기기이며;A는 단일결합이거나, 또는 방향족 디아민으로부터 유도된 2가의 유기기이고;R3 내지 R10은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C6~C40의 아릴기, 및 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되고, 이때 상기 R3 내지 R10에서, 알킬기, 사이클로알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아릴기, 헤테로아릴기는 할로겐, 시아노기, 카르복시기 및 C1~C40의 할로알킬기, C1~C40의 알킬옥시기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환될 수 있으며, 다만 상기 치환기가 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이할 수 있으며;W1 및 W2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 -(CH2)x-, -(CH=CH)x- 또는 -(C6H6)x-이고, x는 1~50의 정수이며;G는 , , 또는 이고, y는 100~1,000의 정수이며;R11 내지 R22은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소 또는 C1~C12의 알킬기이고;m, n 및 o는 각각 2 내지 100,000이며, 다만 2≤m+n≤100,000이고, 2≤m+n+o≤100,000임)
12 12
제1항, 제4항 및 제5항 중 어느 한 항에 기재된 폴리이미드계 고분자로 형성된 필름을 포함하는 연성 금속박 적층판
13 13
제1항, 제4항 및 제5항 중 어느 한 항에 기재된 폴리이미드계 고분자로 형성된 필름을 포함하는 인쇄회로기판
14 14
제9항 또는 제11항에 기재된 폴리아믹산으로 형성된 필름을 포함하는 연성 금속박 적층판
15 15
제9항 또는 제11항에 기재된 폴리아믹산으로 형성된 필름을 포함하는 인쇄회로기판
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.