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이트륨 산화물로 표면 처리된 폴리이미드 유기절연체 및 이를 이용한 박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015139499
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이트륨 산화물로 표면 처리된 폴리이미드 유기절연체 및 이를 이용한 박막 트랜지스터에 관한 것으로, 본 발명에 따른 이트륨 산화물이 표면처리된 유기절연체 및 금속 산화물 반도체를 이용한 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 이트륨 산화물이 표면처리된 유기절연체는 300℃ 이상의 높은 온도를 요구하는 금속산화물 반도체 제조 공정을 수행하여도 손상되지 않으면서 금속산화물 반도체에 화학적으로 유사한 계면을 제공하고, 높은 전하이동도 및 유전상수 등의 우수한 전기 절연성을 갖는 박막 트랜지스터의 소자 특성이 향상된 효과가 있다.
Int. CL H01B 3/38 (2006.01) C08G 73/10 (2006.01) H01B 3/10 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01)
CPC C08L 9/00(2013.01) C08L 9/00(2013.01) C08L 9/00(2013.01) C08L 9/00(2013.01) C08L 9/00(2013.01)
출원번호/일자 1020130152238 (2013.12.09)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1554943-0000 (2015.09.16)
공개번호/일자 10-2015-0066774 (2015.06.17) 문서열기
공고번호/일자 (20150922) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.09)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장광석 대한민국 충북 청주시 상당구
2 이미혜 대한민국 대전 유성구
3 가재원 대한민국 서울 관악구
4 김윤호 대한민국 대전 유성구
5 김진수 대한민국 대전 유성구
6 윤준영 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-1124247-10
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.09.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0070173-94
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0104674-15
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.04.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0357086-09
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0357087-44
7 등록결정서
Decision to grant		 2015.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0586952-85
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판, 게이트 전극, 이트륨 산화물로 표면 처리된 하기 화학식 1로 표시되는 폴리이미드를 포함하는 유기절연체, Li이 도핑된 ZnO 반도체층 및 소스/드레인 전극이 순차적으로 적층되고,상기 유기 절연체층과 ZnO 반도체층 사이로, 이트륨 산화물 층간-박막이 형성된, 박막 트랜지스터;[화학식 1](상기 화학식 1에서, n은 10 내지 3000의 정수이다)
2 2
제1항에 있어서,상기 이트륨 산화물은 질산염, 클로라이드염 및 아세테이트염으로부터 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 염의 전구체로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
3 3
기판 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 형성된 게이트 전극 상부에 폴리이미드 유기절연체를 제조하는 단계(단계 2); 상기 단계 2에서 제조된 유기절연체를 이트륨 금속산화물염을 포함하는 전구체 용액으로 스핀 코팅하여 이트륨 산화물 층간-박막을 형성하는 단계(단계 3); 및상기 단계 3에서 형성된 이트륨 산화물 층간-박막 상에 Li이 도핑된 ZnO 반도체층을 형성하는 단계(단계 4); 및상기 단계 4에서 형성된 ZnO 반도체층 상에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계(단계 5);를 포함하는, 제1항의 박막 트랜지스터의 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 단계 2의 폴리이미드 유기절연체는, 3,3',4,4'-비페닐테트라카복실산이무수물 및 1,5-나프탈렌디아민 단량체를 반응시켜 폴리아믹산 용액을 제조하는 단계(단계 a);상기 단계 a에서 제조된 폴리아믹산 용액을 게이트 전극 상부에 코팅하는 단계(단계 b); 및상기 단계 b에서 코팅된 폴리아믹산을 열처리하여 폴리이미드를 제조하는 단계(단계 c);를 통해 제조되는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터의 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 단계 c의 열처리는 150 내지 400℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
제3항에 있어서, 상기 단계 4의 Li이 도핑된 ZnO 반도체층은 스핀 코팅, 잉크젯 프린팅, 롤코팅, 스크린프린팅, 전사법 및 딥핑법으로부터 선택되는 어느 하나의 용액 공정법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
10 10
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국화학연구원 기관고유사업 인쇄공정기반 화학소재 원천기술 개발
2 미래창조과학부 한국화학연구원 협동연구사업 LCD backplane용 고성능 절연 소재 기술 개발