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기판, 게이트 전극, 금속 산화물 반도체층, 유기 절연체층, 소스/드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터에 있어서,상기 유기 절연체층은 하기 화학식 2 내지 화학식 8로 표시되는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종의 유기절연체용 고분자 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터:003c#화학식 2003e#;003c#화학식 3003e#;003c#화학식 4003e#;003c#화학식 5003e#;003c#화학식 6003e#;003c#화학식 7003e#; 및003c#화학식 8003e#:(상기 화학식 2 내지 화학식 8에 있어서,상기 m 및 n은 10 내지 3,000의 정수이다)
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제3항에 있어서,상기 유기 절연체층의 두께는 50 내지 1,000 nm인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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기판 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 형성된 게이트 전극 상부에 유기 절연체층을 형성하는 단계(단계 2);상기 단계 2에서 형성된 유기 절연체 상부에 금속 산화물 반도체층을 형성하는 단계(단계 3); 및상기 단계 3에서 형성된 금속 산화물 반도체층 상부에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계(단계 4);를 포함하는 제3항의 박막 트랜지스터의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 단계 2의 유기 절연체층의 형성은,안하이드라이드기를 포함하는 화합물 및 벤족사졸기를 포함하는 아로마틱 디아민 모노머를 혼합하는 단계(단계 a);상기 단계 a에서 혼합된 혼합 용액을 게이트 전극 상부에 코팅하는 단계(단계 b); 및상기 단계 b에서 코팅된 화합물을 열처리하는 단계(단계 c);를 수행하여 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 단계 a의 안하이드라이드기를 포함하는 화합물은 하기 화학식 9로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법:003c#화학식 9003e#(상기 화학식 9에 있어서,상기 Ar9는 각각 독립적으로 또는 인 4가기이고;이때, X는 ―O―, ―S―, ―C(CF3)2―, ―C(CH3)2―, ―CO―, ―CH2―, ―SO2―, ―SO― , , 또는 결합이고;상기 R1 내지 R8은 각각 독립적으로 수소, 아민, C1-5의 직쇄 또는 측쇄 알킬 또는 C5-6의 아릴이다)
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제6항에 있어서,상기 단계 a의 벤족사졸기를 포함하는 아로마틱 디아민 모노머는 하기 화학식 10으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법:003c#화학식 10003e#(상기 화학식 10에 있어서,상기 Ar11는 각각 독립적으로 또는 인 4가기이고;이때, X는 ―O―, ―S―, ―C(CF3)2―, ―C(CH3)2―, ―CO―, ―CH2―, ―SO2―, ―SO― , , 또는 결합이고;상기 R1 내지 R8은 각각 독립적으로 수소, 아민, C1-5의 직쇄 또는 측쇄 알킬 또는 C5-6의 아릴이고;상기 Ar10 및 Ar12는, 또는 이고;이때, 상기 Y는 ―O―, ―S―, ―C(CF3)2―, ―C(CH3)2―, ―CO―, ―CH2―, ―SO2―, ―SO― , , 또는 결합이고;상기 R9 내지 R24는 각각 독립적으로 수소, 아민, C1-5의 직쇄 또는 측쇄 알킬 또는 C5-6의 아릴이다)
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제6항에 있어서, 상기 단계 b의 코팅은 스핀코팅, 잉크젯 프린팅, 롤코팅, 스크린프린팅, 전사법 및 딥핑법으로부터 선택되는 1 종 이상의 용액 공정법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 단계 c의 열처리는 150 내지 400 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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