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저온-용액공정으로 제조된 알루미나/폴리이미드 게이트 절연체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015139968
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저온-용액공정으로 제조된 알루미나/폴리이미드 게이트 절연체와 이를 포함하는 용액공정 박막 트랜지스터에 관한 것으로 , 본 발명에 따른 알루미나로 표면처리된 유기절연체 및 금속 산화물 반도체를 이용한 트랜지스터에 있어서, 알루미나 층의 공정온도를, 예를 들어 200℃로 기존 공정온도 보다 현저히 낮추면서 금속 산화물 반도체에 화학적으로 유사한 계면을 제공하고, 낮은 누설 전류 밀도, 높은 전하이동도 및 점멸비 등의 우수한 전기 절연성을 가져 박막 트랜지스터의 소자 특성이 향상된 효과가 있다.
Int. CL H01B 3/38 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01B 3/002(2013.01) H01B 3/002(2013.01) H01B 3/002(2013.01)
출원번호/일자 1020140033975 (2014.03.24)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1607962-0000 (2016.03.25)
공개번호/일자 10-2015-0111438 (2015.10.06) 문서열기
공고번호/일자 (20160412) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.03.24)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장광석 대한민국 충청북도 청주시 상당구
2 가재원 대한민국 서울특별시 관악구
3 이미혜 대한민국 대전광역시 유성구
4 김윤호 대한민국 대전광역시 유성구
5 유성미 대한민국 대전광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0278963-15
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0511444-67
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.09.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0943302-12
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0943301-66
5 등록결정서
Decision to grant		 2016.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0135631-13
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
3,3'4,4'-비페닐테트라카복실산이무수물, p-페닐렌디아민 및 1,5 나프탈렌디아민 단량체를 반응시켜 폴리아믹산 용액을 제조하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 제조된 폴리아믹산 용액을 게이트 전극 상부에 코팅하는 단계(단계 2);상기 단계 2에서 코팅된 폴리아믹산 용액을 열처리하여 폴리이미드 층을 제조하는 단계(단계 3); 및상기 단계 3에서 제조된 폴리이미드 층에 알루미나의 전구체를 포함하는 용액을 스핀 코팅하고 열처리하는 단계(단계4)를 포함하고, 상기 3,3',4,4'-비페닐테트라카복실산이무수물(BPDA), p-페닐렌디아민 및 1,5-나프탈렌디아민(NDA)의 혼합비율은 2:1:1의 분자비(molar ratio)인,하기 화학식 1로 표시되는 폴리이미드 층을 포함하는 산화물 박막트랜지스터의 유기절연체의 제조방법;[화학식 1] (상기 화학식 1에서 m,n은 각각 10 내지 3000의 정수이다)
2 2
제1항에 있어서,상기 알루미나는 염화알루미늄, 수산화알루미늄, 황산알루미늄, 질산알루미늄, 알킬알루미늄 및 알루미늄 알콕사이드(alkoxide) 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 전구체로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 유기절연체의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 알루미나의 코팅층은 10 내지 50nm 의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 유기절연체의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 폴리이미드 층은 100 내지 200nm 의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 유기절연체의 제조방법
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서,상기 단계 3 및 4의 열처리는 150 내지 250℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 유기절연체의 제조방법
7 7
제1항의 제조방법으로 제조된 유기절연체를 포함하는 박막트랜지스터
8 8
3,3'4,4'-비페닐테트라카복실산이무수물, p-페닐렌디아민 및 1,5 나프탈렌디아민 단량체를 반응시켜 폴리아믹산 용액을 제조하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 제조된 폴리아믹산 용액을 게이트 전극 상부에 코팅하는 단계(단계 2);상기 단계 2에서 코팅된 폴리아믹산 용액을 열처리하여 폴리이미드 층을 형성하는 단계(단계 3); 및상기 단계 3에서 형성된 폴리이미드 층에 알루미나의 전구체를 포함하는 용액을 스핀 코팅하고 열처리하여 층간박막을 형성하는단계(단계 4);상기 단계 4에서 형성된 층간박막 상에 금속 산화물 반도체층을 형성하는 단계(단계 5); 및상기 단계 5에서 형성된 금속 산화물 반도체 상에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계(단계 6) 를 포함하는 제7항의 박막트랜지스터의 제조방법
9 9
제8항에 있어서,상기 단계 3 및 4의 열처리는 150 내지 250℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
10 10
제8항에 있어서,상기 단계 5의 금속 산화물 반도체층은 스핀코팅, 잉크젯 프린팅, 롤코팅, 스크린프린팅, 전사법 및 딥핑법으로부터 선택되는 어느 하나의 용액 공정법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국화학연구원 융합연구사업 LCD backplane용 고성능 절연 소재 기술 개발
2 미래창조과학부 한국화학연구원 기관고유사업 3D 프린팅 기반 유연/연신/전기화학 소자용 플랫폼 소재기술 개발