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태양전지용 흡수막 조성물 및 그 제조 방법과 이를 이용한 태양전지 셀 및 태양전지 모듈

  • 기술번호 : KST2015140222
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 태양전지용 흡수층(CIS층)으로 사용하는데 적합한 흡수막 조성물 및 그 제조 방법과 이를 이용한 태양전지 셀 및 태양전지 모듈에 관한 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 구리 화합물, 인듐 화합물 및 셀레늄 화합물을 0.8 ∼ 1.3 : 0.8 ∼ 1.3 : 1.7 ∼ 2.3의 화학양론비로 혼합한 흡수층 입자를 포함하는 태양전지용 흡수막 조성물 및 그 제조 방법을 제공함으로써, 상대적으로 치밀도가 우수한 CIS 조성물 및 그 막을 제조할 수 있으며, 별도의 추가 공정 없이 합성 단계에서 Cu : In : Se의 화학양론비를 원하는 조성으로 조절할 수 있는 것이다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020110064580 (2011.06.30)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1232671-0000 (2013.02.06)
공개번호/일자 10-2013-0007231 (2013.01.18) 문서열기
공고번호/일자 (20130213) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.30)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정선호 대한민국 대전광역시 유성구
2 류병환 대한민국 대전광역시 서구
3 최영민 대한민국 대전광역시 서구
4 김창균 대한민국 대전광역시 유성구
5 정택모 대한민국 대전광역시 유성구
6 이병석 대한민국 대전광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0501600-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.04.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.05.25 수리 (Accepted) 9-1-2012-0041923-82
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0411808-56
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2012.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0575996-75
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0755905-19
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.09.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0755854-78
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0058258-42
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
구리 화합물, 인듐 화합물 및 셀레늄 화합물이 0
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 저융점 이차상은 상기 마이크로파 조사에 따른 반응 온도와 반응 시간에 의해 그 형성이 제어되는 태양전지 흡수층용 입자
4 4
구리 화합물, 인듐 화합물 및 셀레늄 화합물을 반응 용매와 혼합하여 혼합액을 생성하는 단계와,상기 혼합액에 마이크로파를 조사하여 저융점 이차상인 CuSe 또는 CuSe2를 함유하는 입자를 제조하는 단계를 포함하는 태양전지 흡수층용 입자의 제조 방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 구리 화합물 : 인듐 화합물 : 셀레늄 화합물의 화학양론비는,0
6 6
삭제
7 7
제 4 항에 있어서,상기 저융점 이차상의 형성은,상기 마이크로파의 조사에 의한 반응 온도와 반응 시간에 의해 제어되는태양전지 흡수층용 입자의 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 입자는 1 ～ 20vol%의 저융점 이차상을 함유하는 태양전지 흡수층용 입자의 제조 방법
9 9
제 7 항에 있어서,상기 마이크로파의 조사는,200 내지 300℃의 온도 조건에서 15 ～ 40분 동안 수행되는태양전지 흡수층용 입자의 제조 방법
10 10
제 7 항에 있어서,상기 마이크로파의 출력은,500 ~ 900W 범위인태양전지 흡수층용 입자의 제조 방법
11 11
제 4 항에 있어서,상기 구리 화합물은,CuO, CuO2, CuOH, Cu(OH)2, Cu(CH3COO), Cu(CH3COO)2, CuF2, CuCl, CuCl2, CuBr, CuBr2, CuI, Cu(ClO4)2,Cu(NO3)2, CuSO4 및 이들의 수화물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 또는 2종 이상을 포함하는태양전지 흡수층용 입자의 제조 방법
12 12
제 4 항에 있어서,상기 인듐 화합물은,In2O3, In(OH)3, In(CH3COO)3, InF3, InCl, InCl3, InBr, InBr3, InI, InI3, In(ClO4)3, In(NO3)3, In2(SO4)3 및 이들의 수화물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 또는 2종 이상을 포함하는태양전지 흡수층용 입자의 제조 방법
13 13
제 4 항에 있어서,상기 셀레늄 화합물은,H2Se, Na2Se, K2Se, Ca2Se, (CH3)2Se 및 이들의 수화물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 또는 2종 이상을 포함하는태양전지 흡수층용 입자의 제조 방법
14 14
제 4 항에 있어서,상기 반응 용매는,폴리욜계 용매, 아민계열 용매, 포스핀계 용매로부터 선택된 1종 또는 2종 이상을 포함하는태양전지 흡수층용 입자의 제조 방법
15 15
제 14 항에 있어서,상기 폴리욜계 용매는,디에틸렌글리콜(diethylene glycol), 디에틸렌글리콜 에틸이서(diethylene glycol ethyl ether), 디에틸렌글리콜 부틸이서(diethylene glycol buthyl ether), 트리에틸렌글리콜(triethylene glycol,), 폴리에틸렌 글리콜(poly(ethylene glycol), 분자량; 200~100,000), 폴리에틸렌 글리콜 다이아크릴 레이트(poly(ethylene glycol) diacrylate), 폴리에틸렌 글리콜 다이벤조네이트(poly(ethylene glycol) dibenzonate), 디프로필렌글리콜(dipropylene glycol), 트리프로필렌글리콜(dipropylene glycol), 글리세롤(glycerol)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 또는 2종 이상을 포함하는태양전지 흡수층용 입자의 제조 방법
16 16
제 14 항에 있어서,상기 아민계열 용매는,디에틸아민(diethyl amine), 트리에틸아민(triethylamine), 1,3-프로판디아민(1,3-propane diamine), 1,4-부탄디아민(1,4-butane diamine), 1,5-펜탄디아민(1,5-pentane diamine), 1,6-헥산디아민(1,6-hexane diamine), 1,7-헵탄디아민(1,7-heptane diamine), 1,8-옥탄디아민(octane diamine), 디에틸렌디아민(diethylene diamine), 디에틸렌트리아민(diethylene triamine), 톨루엔 디아민(toluene diamine), m-페닐렌디아민(mphenylenediamine), 디페닐메탄 디아민(diphenyl methane diamine), 헥사메틸렌 디27-5 아민(hexamethylene diamine), 트리에틸렌테트라아민(triethylene tetramine), 테트라에틸렌펜타아민(tetraethylenepentamine), 헥사메틸렌테트라아민(hexamethylene tetramine)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 또는 2종 이상을 포함하는태양전지 흡수층용 입자의 제조 방법
17 17
제 14 항에 있어서,상기 포스핀계 용매는,트리옥틸포스핀 (trioctylphosphine) 또는 트리옥틸포스핀 옥사이드 (trioctylphosphineoxide) 중 어느 하나 또는 둘의 혼합 용매인태양전지 흡수층용 입자의 제조 방법
18 18
제 4 항에 있어서,상기 반응 용매는,끊는 점이 200 ∼ 450℃ 범위인태양전지 흡수층용 입자의 제조 방법
19 19
CuSe 또는 CuSe2인 저융점 이차상과 CuInSe2가 혼재하는 태양전지 흡수층용 입자
20 20
제 1 항 또는 제 19항에 있어서,상기 입자는 1 ～ 20vol%의 저융점 이차상을 함유하는 태양전지 흡수층용 입자
21 21
제 1항 또는 제 19항의 태양전지 흡수층용 입자를 함유하는 태양전지 흡수층용 조성물
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2 WO2013002605 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업기술연구회 한국화학연구원 협동연구사업 용액화학기반형 저가/고효율 CIGS 박막 태양전지 소재 및 잉크 기술개발
2 지식경제부 한국화학연구원 전략기술개발사업 다이렉트 나노패터닝용 반도체 잉크소재개발(3)