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소수성고분자표면의친수화방법

  • 기술번호 : KST2015140476
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 소수성 고분자 표면의 친수화방법에 관한 것으로서, 더욱 상세 하게는 소수성 고분자의 표면을 코로나 처리하여 라디칼을 형성시키고 여기에 반응촉진제, 반응개시제 등을 도포한 후 수용성 고분자 또는 친수성 계면활성제를 가교제와 함께 물에 녹인 수용액을 스프레이(spray)하여 가교반응과 그라프트 반응을 동시에 일어나게 하여 물방울, 태양광 및 주위환경에 대한 내구성이 향상되게 하는 소수성 고분자 표면을 친수화시키는 방법에 관한 것이다.
Int. CL C08J 7/04 (2006.01) C08J 5/18 (2006.01)
CPC C08J 7/18(2013.01) C08J 7/18(2013.01) C08J 7/18(2013.01) C08J 7/18(2013.01)
출원번호/일자 1019940035235 (1994.12.20)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0149054-0000 (1998.06.02)
공개번호/일자 10-1996-0022714 (1996.07.18) 문서열기
공고번호/일자 (19981015) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.12.20)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이해방 대한민국 대전직할시유성구
2 강길선 대한민국 대전직할시유성구
3 최창규 대한민국 대전직할시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허상훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, 우리종합금융빌딩 **층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국화학연구소 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1994.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1994-0158647-06
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1994-0158649-97
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1994-0158648-41
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1997.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0088423-04
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.02.28 수리 (Accepted) 1-1-1994-0158650-33
6 의견서
Written Opinion		 1998.02.28 수리 (Accepted) 1-1-1994-0158651-89
7 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.02.28 수리 (Accepted) 1-1-1994-0158652-24
8 등록사정서
Decision to grant		 1998.05.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0088424-49
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0009784-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.30 수리 (Accepted) 4-1-1999-0089084-24
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0007135-37
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056808-28
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056800-64
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

소수성 고분자 필름을 코로나 방전처리한 것에 수용성 고분자와 가교제를 도포하고 그라프트 중합시켜 친수성 고분자 필름을 제조하는 방법에 있어서, 상기 수용성 고분자로 400 ~ 4,000,000 분자량 범위의 폴리에틸렌글리콜 또는 친수성 계면활성제를 사용하고 가교제로는 메틸렌비스아크릴아미드를 사용하되 반응개시제 및 반응촉진제와 함께 도포하여 50 ~ 80℃에서 30 ~ 60초 동안 그라프팅 및 가교반응시키는 것을 특징으로 하는 소수성 고분자 표면의 친수화 방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 친수성 계면활성제로는 폴리옥시에틸렌(20)솔비탄 모노라우레이트, 폴리옥시에틸렌(20)솔비탄 모노팔미테이트, 폴리옥시에틸렌(20)솔비탄 모노스테아레이트, 폴리옥시에틸렌(20)솔비탄 모노올레이트, 솔비탄 모노라우레이트, 솔비탄 모노팔미테이트, 솔비탄 모노스테아레이트, 솔비탄 모노올레이트 또는 폴리에틸렌 글리콜 모노[P-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페닐]에테르를 사용하는 것을 특징으로 하는 소수성 고분자 표면의 친수화 방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 반응개시제로는 암모늄 퍼설페이트, 과염소산, 과산화망간 또는 산화크롬을 사용하는 것을 특징으로 하는 소수성 고분자 표면의 친수화 방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 반응촉진제로는 테트라메틸에틸렌디아민, 벤조일퍼옥사이드 또는 아조비스이소부티로니트릴을 사용하는 것을 특징으로 하는 소수성 고분자 표면의 친수화 방법

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 소수성 고분자로는 폴리염화비닐, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리에틸메타아크릴레이트, 폴리펜타디엔, 폴리스티렌, 폴리아미드-6, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트 또는 폴리-4-메틸-1-펜텐을 사용하는 것을 특징으로 하는 소수성 고분자 표면의 친수화 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.