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기판 상부에 금속을 코팅하는 단계; 상기 금속층 상에 절연체 고분자 단량체를 포함하는 산성 전구체를 용매에 녹여 액상으로 만든 후, 이를 스핀 코팅하고 코팅된 산성 전구체로부터 용매를 제거하는 단계; 상기 코팅된 산성전구체 내부에서 가교결합이 일어나도록, 상기 고분자 물질에 열을 가하는 단계를 포함하는 양자점 활성층 형성방법
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제 1항에 있어서, 상기 고분자는 폴리이미드임을 특징으로 하는 양자점 활성층 형성방법
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제 1항 에 있어서, 상기 절연체 고분자 단량체를 포함하는 산성 전구체는 카르복실기를 포함하는 산성 전구체인 것을 특징으로 하는 양자점 활성층 형성방법
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기판 상부에 Cu를 스퍼터링 하는 단계; 상기 Cu층 상에 N-메틸-2-피롤리돈(N-Methyl-2-Pyrrolidone, NMP)을 용매로 하여 비페닐테트라카르복실릭 디언하이드라이드-p-페닐렌디아민(Biphenyltetracarboxylic Dianhydride-p-Phenylenediamine, BPDA-PDA)형의 폴리아믹산을 스핀 코팅하고 용매를 제거하는 단계; 및 300~400℃정도에서 가열하여 상기 폴리이미드 층을 경화시키는 단계를 포함하는 양자점 활성층 형성방법
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제 4항에 있어서, 상기 N-메틸-2-피롤리돈(N-Methyl-2-Pyrrolidone, NMP)과 전구체 비페닐테트라카르복실릭 디언하이드라이드-p-페닐렌디아민(Biphenyltetracarboxylic Dianhydride-p-Phenylenediamine, BPDA-PDA)의 혼합비는 1: 3의 부피비인 양자점 활성층 형성방법
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절연성 고분자 박막 내에 자발형성된 금속 또는 금속 산화물 나노 결정체로 구성되는 양자점을 포함하는 양자점 활성층
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제 6항에 있어서, 상기 절연성 고분자는 폴리이미드이고 상기 양자점은 Cu2O 나노 결정체인 양자점 활성층
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기판; 상기 기판 상에 형성된 제 1전극층; 상기 제 1 전극층 상부에 형성된 제 6항 또는 제 7항의 양자점 활성층; 및 상기 양자점 활성층 상부에 형성된 제 2전극층을 포함하여 구성되되, 교류 전원을 사용하여 작동되는 양자점 발광 소자
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기판의 전면상에 제 1 전극층을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극층 상에 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항의 양자점 활성층을 형성방법에 따라 양자점 활성층을 형성하는 단계; 상기 양자점 활성층 상에 제 2 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 양자점 발광소자의 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 제 1전극은 ITO이고 제 2전극은 Al인 양자점 발광소자의 제조방법
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