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주기적 급속열처리에 의한 p형 산화아연의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015141276
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 주기적 급속 열처리에 의한 p형 산화아연의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 증착된 n형 산화아연 박막에 억셉터 형성을 위한 p형 도판트용 원소를 도핑하여 선택적으로 주입하고, 펄스 형식의 주기적 급속 열처리(Pulsed Rapid Thermal Annealing, PRTA)를 수행함으로써, 종래의 p형 산화아연 제조방법과는 달리 기판의 열처리에 의한 손상이 없이 p형 산화아연으로의 전환이 가능하여 저온의 녹는점을 가지는 기판에도 도입할 수 있는 주기적 급속 열처리에 의한 p형 산화아연의 제조방법에 관한 것이다.n형 산화아연, p형 산화아연, 저온, 펄스, 급속 열처리
Int. CL H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/02 (2010.01.01)
CPC H01L 33/0008(2013.01) H01L 33/0008(2013.01) H01L 33/0008(2013.01) H01L 33/0008(2013.01)
출원번호/일자 1020060085631 (2006.09.06)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0860011-0000 (2008.09.18)
공개번호/일자 10-2008-0022326 (2008.03.11) 문서열기
공고번호/일자 (20080925) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.09.06)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최덕균 대한민국 서울 성동구
2 박찬준 대한민국 서울 성동구
3 정두성 대한민국 서울 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 임승섭 대한민국 서울특별시 종로구 율곡로*길 *(수송동, 로얄팰리스스위트) ***호(특허법인임앤정)
2 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2006-0643929-58
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0473424-07
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.10.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0717823-10
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0717824-66
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0026070-63
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0092825-55
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.02.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0147337-18
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0147320-32
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
10 등록결정서
Decision to grant
2008.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0332570-71
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판에, n형 산화아연을 증착하여 산화아연계 박막을 형성하는 과정;상기 n형 산화아연계 박막에, 원소주기율표 상 1족 원소와 5족 원소 중에서 선택된 1 종 또는 2 종 이상의 p형 도판트용 원소를 도핑하는 과정; 및상기 도판트용 원소가 도핑된 산화아연계 박막을 0 ∼ 500 ℃ 범위의 베이스 온도 조건을 유지하면서 상기 베이스 온도보다 고온인 500 ∼ 1000 ℃ 범위의 피크 온도를 반복적으로 인가하여 열처리 하는 과정;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 p형 산화아연 박막의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 열처리는 베이스 온도 조건에서 5초 내지 300초 동안, 피크 온도 조건에서 0
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 p형 도판트용 원소는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 프란슘(Fr), 질소(N), 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 및 비쓰무트(Bi) 중에서 선택된 1 종 또는 2 종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 p형 산화아연 박막의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.