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금속 텅스테이트 결정 박막의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015140626
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 금속 텅스테이트[MWO4(M = Mg, Ca, Sr, Ba, Co, Pb 등 2가 양이온 금속] 결정 박막의 제조방법에 관한 것으로서, Nd:YAG 펄스 레이저를 이용하여 금속 텅스테이트 타겟(target)으로부터 융발(ablation)된 금속 텅스테이트 분자들을 기판에 증착시켜 나노미터 크기 수준의 결정으로 이루어진 박막을 증착시키는 방법이다. 이때 기판의 위치를 target의 방향에 대해 수평방향(on-axis)과 수직방향(off-axis) 모두 사용하며, 증착도중 기판을 가열하지 않고 상온에서 결정화된 나노 미립자의 증착이 가능하고 전체 공정이 몇시간 안에 이루어지는 매우 빠르고 효율적인 금속 텅스테이트 결정 박막의 제조 방법이다.
Int. CL C23C 14/34 (2006.01.01) C23C 14/24 (2006.01.01) C23C 14/28 (2006.01.01) C23C 14/50 (2006.01.01) C23C 14/08 (2006.01.01)
CPC C23C 14/3485(2013.01) C23C 14/3485(2013.01) C23C 14/3485(2013.01) C23C 14/3485(2013.01) C23C 14/3485(2013.01) C23C 14/3485(2013.01)
출원번호/일자 1020050028504 (2005.04.06)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0634098-0000 (2006.10.09)
공개번호/일자 10-2006-0106083 (2006.10.12) 문서열기
공고번호/일자 (20061013) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.04.06)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤종원 대한민국 서울 서초구
2 류정호 대한민국 서울 성동구
3 심광보 대한민국 서울 강남구
4 나오토 고시자키 일본 일본국 이바라기켄 쭈꾸바
5 다케시 사사키 일본 일본국 이바라기켄 쭈꾸바

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2005-0179734-11
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.06.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0328493-34
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.07.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0532033-95
4 의견서
Written Opinion		 2006.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2006-0532032-49
5 등록결정서
Decision to grant		 2006.10.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0582682-58
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
금속 텅스테이트 조성을 가진 분말을 출발물질로 소결하여 타겟을 제조하고,제조된 타겟과 증착되는 기판을 챔버내에 설치하여 상기 타켓에 레이저 광을 주사하여 생성된 증발물질(plume)을 기판에 전달하여 증착시켜 동일 조성의 금속 텅스테이트 박막을 제조하되,상기 기판은 타겟의 방향과 수평방향(on-axis) 및 수직방향(off-axis)으로 설치되는 것을 특징으로 하는 금속 텅스테이트 결정 박막의 제조방법
3 3
금속 텅스테이트 조성을 가진 분말을 출발물질로 소결하여 타겟을 제조하고,제조된 타겟과 증착되는 기판을 챔버내에 설치하여 상기 타켓에 레이저 광을 주사하여 생성된 증발물질(plume)을 기판에 전달하여 증착시켜 동일 조성의 금속 텅스테이트 박막을 제조하되,상기 레이저 광을 타겟에 주사하는 과정에서 생성된 증발물질의 기판으로의 전달과정은 불활성 기체를 이용하는 것을 특징으로 하는 금속 텅스테이트 결정 박막의 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 불활성 기체는 아르곤 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 금속 텅스테이트 결정 박막의 제조방법
5 5
제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 불활성 기체의 압력은 10 Pa ~ 100 Pa 에서 증착이 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속 텅스테이트 결정 박막의 제조방법
6 6
제2항 내지 제4항 중의 어느 한 항의 제조방법에 의해 형성된 금속 텅스테이트 결정 박막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.