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주기적 급속 열처리에 의한 고전도성 산화아연의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015142368
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 주기적 급속 열처리에 의한 고전도성 산화아연의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 도너형성을 위한 원소가 도핑된 산화아연 박막을 주기적 급속 열처리(Pulsed Rapid Thermal Annealing, PRTA)에 의하여 도판트를 활성화시킴으로써, 산화아연의 전기적, 광학적, 결정학적 특성이 향상되고, 종래의 투명 전도성 산화아연 제조방법에 비해 저온에서 도판트의 활성화를 통해 도너를 형성시킬 수 있기 때문에 기판의 제한 없이 낮은 온도의 녹는점을 갖는 기판의 사용을 가능하게 하는 주기적 급속 열처리에 의한 고전도성 산화아연의 제조방법에 관한 것이다.주기적, 급속 열처리, 고전도성, 투명, 산화아연
Int. CL C23C 14/58 (2006.01.01) C23C 14/34 (2006.01.01) H01L 21/203 (2006.01.01) C23C 14/08 (2006.01.01) C23C 14/14 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01) G02F 1/13 (2006.01.01)
CPC C23C 14/58(2013.01) C23C 14/58(2013.01) C23C 14/58(2013.01) C23C 14/58(2013.01) C23C 14/58(2013.01) C23C 14/58(2013.01) C23C 14/58(2013.01)
출원번호/일자 1020060085630 (2006.09.06)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0806681-0000 (2008.02.18)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080226) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.09.06)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최덕균 대한민국 서울 성동구
2 박찬준 대한민국 서울 성동구
3 이재규 대한민국 서울 성동구
4 김영웅 대한민국 서울 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2006-0643928-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.05.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0028513-53
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.08.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0428641-53
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.10.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0714219-38
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2007-0714220-85
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0013772-48
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
1 1
유리 기판 상에, 산화아연계 박막을 형성하는 단계;상기 산화아연계 박막 내에, 도너 형성용 원소를 도핑하는 단계; 상기 산화아연계 박막이 형성된 기판을, 베이스 온도를 유지하면서 반복적으로 500 ∼ 1000 ℃ 범위의 피크 온도로 상승시켜 열처리하는 단계를 포함하는 고전도성 산화아연의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 산화아연계 박막을 형성하는 단계 및 도너 형성용 원소를 도핑하는 단계는 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 고도전성 산화아연의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 열처리는 베이스 온도를 5초 내지 300 초 동안 유지하면서 반복적으로 피크 온도로 상승시켜 0
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제 1 항에 있어서, 상기 도너 형성용 원소는 원소주기율표상 3족 금속원소인 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 및 붕소(B) 중에서 선택된 3족 원소인 것을 특징으로 하는 고전도성 산화아연의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.