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금속 이온과 양쪽성 이온 계면활성제를 포함하는 유기점토,이의 제조방법 및 이를 이용한 오염물질 제거방법

  • 기술번호 : KST2015140728
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요약 본 발명은 금속 이온과 양쪽성 이온 계면활성제를 포함하는 유기점토, 이의 제조방법 및 이를 이용한 오염물질 제거방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 금속 이온 용액과 점토광물을 혼합하여 층간 가교 점토를 제조하는 단계; 상기 층간 가교 점토에 양쪽성 이온 계면활성제를 첨가하여 혼합하는 단계; 및 여과 및 건조하는 단계를 포함하여 제조되는 유기점토 및 이의 제조방법과, 상기 유기점토를 이용하여 유기 오염물질 및 중금속을 제거하는 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 유기점토는 금속 이온과 양쪽성 이온 계면활성제를 포함함에 따라 유기 오염물질 및 중금속을 포집하고, 이들의 탈착을 억제하여 질소, 인 및 중금속과 같은 오염원을 고효율로 동시에 제거할 수 있을 뿐만 아니라 종래 계면활성제의 탈착에 따른 오염물질 내 토착 미생물에 대한 악영향을 최소화함으로써 토양 및 수처리 공정에 바람직하게 적용할 수 있다.유기점토, 양쪽성 이온 계면활성제, 중금속, 고효율
Int. CL C04B 33/04 (2006.01.01) C04B 33/13 (2006.01.01) B09C 1/00 (2006.01.01) C02F 1/28 (2006.01.01)
CPC C04B 33/04(2013.01) C04B 33/04(2013.01) C04B 33/04(2013.01) C04B 33/04(2013.01)
출원번호/일자 1020060078019 (2006.08.18)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0785709-0000 (2007.12.07)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.08.18)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재우 대한민국 서울 서초구
2 김수홍 대한민국 경기 부천시 원미구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장수영 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층(역삼동, 대아빌딩)(특허법인 신우)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.08.18 수리 (Accepted) 1-1-2006-0587206-64
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.05.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.06.01 수리 (Accepted) 9-1-2007-0031657-90
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0386495-19
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.09.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0674112-24
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0674102-78
7 등록결정서
Decision to grant
2007.12.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0658051-19
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
점토광물, 금속 이온 및 양쪽성 이온 계면활성제를 포함하고,상기 점토광물의 층간 내부에 양쪽성 이온 계면활성제와 폴리머 형태의 금속 이온이 존재하는 것인 유기 점토
2 2
제1항에 있어서,상기 점토광물은 벤토나이트(bentonite), 제올라이트(zeolite), 스멕타이트(smectite), 필로실리케이트(phyllosilicate), 몬트모릴로나이트(montmorillonite), 사포나이트(saponite), 베이델라이트(beidellite), 논트로나이트(nontronite), 버미큘라이트(vermiculite), 카올리나이트(kaolinite) 및 할로사이트로(halloysite) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것인 유기점토
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 금속 이온은 알루미늄(Al), 칼륨(K), 칼슘(Ca), 나트륨(Na) 및 마그네슘(Mg)으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 금속을 포함하는 것인 유기점토
5 5
제1항에 있어서,상기 금속 이온은 점토광물 100 중량부에 대해 0
6 6
제1항에 있어서,상기 양쪽성 이온 계면활성제는 N-도데실-N,N''-디메틸-3-아미노-1-프로판술포네이트(N-Dodecyl-N,N-dimethyl-3-ammonio-1-propanesulfonate, DDAPS), N-하이드록시에틸-N-카르복시에틸-N-아미노에틸 도데실아마이드( N-hydroxyethyl-N-carboxyethyl-N-aminoethyl dodecylamide, IB), 코카미도프로필 베타인(Cocamidopropyl betaines), N-도데실-N,N-디메틸 베타인(N-dodecyl-N,Ndimethyl betaine, C12-Bet), N-테트라데실옥시메틸-N,N-디메틸 베타인(N-tetradecyloxymethyl-N, N-dimethyl betaine, C14-Bet), N-옥타데실옥시메틸-N,N-디메틸 베타인(N-octadecyloxymethyl-N, N-dimethyl betaine, C18 ODB) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것인 유기점토
7 7
제1항에 있어서,상기 양쪽성 이온 계면활성제의 함량은 점토광물의 양이온성 교환 용량(CEC, 100 g의 토양이 교환할 수 있는 1가 양이온의 밀리당량수(meq/100 g-soil) 기준을 90 내지 100%가 되는 범위를 만족시키는 것인 유기점토
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금속 이온 용액과 점토광물을 혼합하여 층간 가교 점토를 제조하는 단계; 상기 층간 가교 점토에 양쪽성 이온 계면활성제를 첨가하여 혼합하는 단계; 및여과 및 건조하는 단계를 포함하는 제1항의 유기점토의 제조방법
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제8항에 있어서,금속 이온 용액은 알칼리 금속을 포함하는 수분산액과 강염기를 혼합하여 제조되는 것인 유기점토의 제조방법
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제1항에 따른 유기점토를 토양 또는 폐수 오염 물질과 혼합하여 상기 토양 또는 폐수 내 오염 물질을 흡착하여 제거하는 공정을 포함하는 오염물질의 제거방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.