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양면 방사체를 이용한 초광대역 안테나

  • 기술번호 : KST2015140960
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 양면 방사체를 이용한 초광대역 안테나가 개시된다. 개시된 안테나는 기판; 상기 기판상에 형성되는 접지부; 상기 기판상에 형성되는 제1 방사체; 상기 제1 방사체와 전기적으로 결합되어 RF 신호를 급전하는 급전부; 상기 제1 방사체상에 형성되는 비아홀; 및 상기 기판의 하부에 형성되며 상기 비아홀을 통해 RF 신호를 급전받는 제2 방사체를 포함한다. 개시된 안테나에 의하면, 양면 방사체 구조를 통해 보다 안정적으로 광대역 특성을 확보할 수 있으며 내장형 안테나의 높이의 제약을 극복하고 소형화가 가능한 장점이 있다. 안테나, 양면, 초광대역
Int. CL H01Q 5/25 (2014.01.01) H01Q 5/50 (2014.01.01) H01Q 1/24 (2006.01.01) H01Q 9/04 (2018.01.01) H01Q 13/10 (2018.01.01) H01Q 1/48 (2015.01.01)
CPC H01Q 5/25(2013.01) H01Q 5/25(2013.01) H01Q 5/25(2013.01) H01Q 5/25(2013.01) H01Q 5/25(2013.01) H01Q 5/25(2013.01)
출원번호/일자 1020080004977 (2008.01.16)
출원인 한양대학교 산학협력단, 주식회사 이엠따블유
등록번호/일자 10-1007275-0000 (2011.01.04)
공개번호/일자 10-2009-0079048 (2009.07.21) 문서열기
공고번호/일자 (20110113) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.16)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
2 주식회사 이엠따블유 대한민국 인천광역시 남동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최재훈 대한민국 서울 서초구
2 이영기 대한민국 제주 북제주군
3 김정표 대한민국 서울 은평구
4 홍석진 대한민국 충북 제천시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송인호 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
2 주식회사 이엠따블유 대한민국 인천광역시 남동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2008-0037103-39
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0054905-83
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.07.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2008-0051287-03
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.30 수리 (Accepted) 4-1-2009-5257615-18
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0537741-13
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0133132-31
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.03.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0199037-26
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0198960-75
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2010.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0328890-85
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.09.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2010-0623477-82
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0623440-04
14 등록결정서
Decision to grant
2010.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0599621-09
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2011-5020574-02
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005683-18
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.11 수리 (Accepted) 4-1-2012-5148694-74
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5075976-23
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2017-5113249-44
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.08.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5128501-07
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5236153-01
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판상에 형성되는 접지부; 상기 기판상에 형성되는 제1 방사체; 상기 제1 방사체와 전기적으로 결합되어 RF 신호를 급전하는 급전부; 상기 제1 방사체상에 형성되는 비아홀; 및 상기 기판의 하부에 형성되며 상기 비아홀을 통해 RF 신호를 급전받는 제2 방사체를 포함하되, 상기 제1 방사체 및 상기 제2 방사체의 일부 영역에는 슬릿이 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 양면 방사체를 이용한 초광대역 안테나
2 2
제1항에 있어서, 상기 접지부에서 연장되며 상기 제1 방사체와 소정 거리 이격되어 상기 기판상에 형성되는 확장 접지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양면 방사체를 이용한 초광대역 안테나
3 3
제1항에 있어서, 상기 접지부 및 상기 제1 방사체와 소정 거리 이격되어 상기 기판상에 형성되는 확장 접지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양면 방사체를 이용한 초광대역 안테나
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1 방사체 및 상기 제2 방사체는 상기 급전부를 기준으로 대칭적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 양면 방사체를 이용한 초광대역 안테나
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 제1 방사체 및 상기 제2 방사체에 형성되는 슬릿은 대칭적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 양면 방사체를 이용한 초광대역 안테나
7 7
제1항에 있어서, 상기 제1 방사체 및 상기 제2 방사체는 직사각형 형태이며 일부 영역이 커팅된 노치가 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 양면 방사체를 이용한 초광대역 안테나
8 8
제7항에 있어서, 상기 제1 방사체 및 상기 제2 방사체에 형성되는 노치는 대칭적인 것을 특징으로 하는 양면 방사체를 이용한 초광대역 안테나
9 9
기판; 상기 기판상에 형성되는 접지부; 상기 기판상에 형성되는 제1 방사체; 상기 제1 방사체와 전기적으로 결합되어 RF 신호를 급전하는 급전부; 상기 기판의 하부에 형성되며 상기 제1 방사체와 상기 급전부를 중심으로 대칭적으로 형성되는 제2 방사체를 포함하되, 상기 제1 방사체 및 상기 제2 방사체의 일부 영역에는 슬릿이 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 양면 방사체를 이용한 초광대역 안테나
10 10
제9항에 있어서, 상기 제1 방사체상에 형성되는 상기 제2 방사체와 전기적으로 연결되는 비아홀을 더 포함하며, 상기 제2 방사체는 상기 비아홀을 통해 신호를 급전받는 것을 특징으로 하는 양면 방사체를 이용한 초광대역 안테나
11 11
제10항에 있어서, 상기 접지부에서 연장되며 상기 제1 방사체와 소정 거리 이격되어 상기 기판상에 형성되는 확장 접지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양면 방사체를 이용한 초광대역 안테나
12 12
제10항에 있어서, 상기 접지부 및 상기 제1 방사체와 소정 거리 이격되어 상기 기판상에 형성되는 확장 접지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양면 방사체를 이용한 초광대역 안테나
13 13
삭제
14 14
제10항에 있어서, 상기 제1 방사체 및 상기 제2 방사체는 직사각형 형상이며 일부 영역이 커팅된 노치가 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 양면 방사체를 이용한 초광대역 안테나
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.