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상호 간섭 캐패시턴스와 인덕턴스를 이용한 다중 대역 칩 안테나

  • 기술번호 : KST2014009890
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 상호 간섭 캐패시턴스와 인덕턴스를 이용한 다중 대역 칩 안테나가 개시된다. 개시된 안테나는 유전체 블록; 상기 유전체 블록의 제 1면에 형성되는 급전 패턴; 상기 급전 패턴으로부터 연장되는 나선 구조의 매칭 패턴; 상기 매칭 패턴으로부터 연장되며 상기 제1 면에 형성되고, 상기 유전체 블록의 일 측면을 경유하여 상기 제 1면과 대향하는 제 2면에 연장 형성되는 방사 패턴을 포함한다. 개시된 안테나에 의하면, 칩 안테나를 통해 다중 대역 특성을 안정적으로 확보할 수 있는 장점이 있으며, 특히 슬림형 단말기에 효과적으로 적용될 수 있는 장점이 있다. 안테나, 칩, 상호 간섭 캐패시턴스
Int. CL H01Q 9/04 (2018.01.01) H01Q 5/335 (2014.01.01) H01Q 1/38 (2015.01.01) H01Q 1/24 (2006.01.01)
CPC H01Q 9/0421(2013.01) H01Q 9/0421(2013.01) H01Q 9/0421(2013.01) H01Q 9/0421(2013.01)
출원번호/일자 1020080007092 (2008.01.23)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1021540-0000 (2011.03.04)
공개번호/일자 10-2009-0081162 (2009.07.28) 문서열기
공고번호/일자 (20110316) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.23)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형동 대한민국 서울 강남구
2 최형철 대한민국 서울 송파구
3 박상욱 대한민국 경기 광명시 철

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최관락 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
2 민영준 대한민국 서울특별시 강남구 남부순환로 ****, *층(도곡동, 차우빌딩)(맥스국제특허법률사무소)
3 송인호 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0056725-18
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.03.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.04.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0022665-13
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0535626-24
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0133190-79
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0198715-06
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.03.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0198754-76
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2010.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0383796-14
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.11.01 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2010-0711890-12
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2010-0711854-89
12 등록결정서
Decision to grant		 2011.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0108299-41
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유전체 블록; 상기 유전체 블록의 제 1면 하부에 형성되는 급전 패턴; 상기 급전 패턴으로부터 연장되며 상기 유전체 블록의 4면을 둘러쌓도록 나선 구조로 형성되는 매칭 패턴; 상기 매칭 패턴으로부터 연장되며 상기 제1 면에 형성되고, 상기 유전체 블록의 일 측면을 경유하여 상기 제 1면과 대향하는 제 2면에 연장 형성되는 방사 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 상호 간섭 캐패시턴스와 인덕턴스를 이용한 다중 대역 칩 안테나
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 면 및 이와 대향하는 제2 면에 형성되는 방사 패턴은 대칭 구조인 것을 특징으로 하는 상호 간섭 캐패시턴스와 인덕턴스를 이용한 다중 대역 칩 안테나
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 면 및 제2 면에 형성되는 방사 패턴은 미앤더 구조인 것을 특징으로 하는 상호 간섭 캐패시턴스와 인덕턴스를 이용한 다중 대역 칩 안테나
4 4
제1항에 있어서, 상기 유전체 블록은 직육면체이며 FR4 재질인 것을 특징으로 하는 상호 간섭 캐패시턴스와 인덕턴스를 이용한 다중 대역 칩 안테나
5 5
제1항에 있어서, 상기 급전 패턴은 직사각형의 판 구조인 것을 특징으로 하는 상호 간섭 캐패시턴스와 인덕턴스를 이용한 다중 대역 칩 안테나
6 6
유전체 블록; 상기 유전체 블록의 제1 면에 형성되는 급전 패턴; 상기 급전 패턴으로부터 연장되며 상기 유전체 블록의 4 면을 둘러쌓도록 나선 구조로 형성되는 매칭 패턴; 상기 매칭 패턴과 전기적으로 연결되며 상기 유전체 블록의 제1 면 및 유전체 블록의 일측면을 경유하여 상기 제1 면과 대향하는 제2 면에 연장되어 형성되는 방사 패턴을 포함하되, 상기 제1 면과 제2 면에 단일 구조로 형성된 방사 패턴은 상호 간섭 캐패시턴스를 발생 시키는 것을 특징으로 하는 다중 대역 칩 안테나
7 7
삭제
8 8
제6항에 있어서, 상기 제1 면 및 제2 면에 형성되는 방사 패턴은 대칭적인 것을 특징으로 하는 다중 대역 칩 안테나
9 9
제6항에 있어서, 상기 제1 면 및 제2 면에 형성되는 방사 패턴은 미앤더 구조인 것을 특징으로 하는 다중 대역 칩 안테나
10 10
제6항에 있어서, 상기 급전 패턴은 직사각형의 판 구조인 것을 특징으로 하는 다중 대역 칩 안테나
11 11
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.