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자기조립단분자층을 이용한 박막트랜지스터의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015141099
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자기조립단분자층을 이용한 박막트랜지스터의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 기판, 게이트 전극, 게이트 절연막, 산화물 반도체 활성층 및 소스/드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터의 제조 방법에 있어서, 상기 산화물 반도체 활성층 상에 자외선을 조사한 후 소스/드레인 전극의 패턴에 대응하는 개구 패턴을 포함하는 소수성 자기조립단분자층을 형성하고, 상기 소수성 자기조립단분자층을 마스크로서 이용하여 상기 개구 패턴을 통하여 상기 산화물 반도체 활성층 상에 소스/드레인 전극을 형성하는 것을 포함하는, 박막트랜지스터의 제조 방법에 관한 것이다.자기조립단분자층, 산화물 반도체 활성층, 자외선, 박막트랜지스터
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020090039825 (2009.05.07)
출원인 국민대학교산학협력단, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1195550-0000 (2012.10.23)
공개번호/일자 10-2010-0120940 (2010.11.17) 문서열기
공고번호/일자 (20121030) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.02)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재갑 대한민국 서울특별시 강남구
2 최덕균 대한민국 서울특별시 광진구
3 김현호 대한민국 서울특별시 은평구
4 조영제 대한민국 서울특별시 용산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 서울특별시 성북구
2 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2009-0274920-07
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0688000-19
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.09.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0687992-07
4 등록결정서
Decision to grant		 2012.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0568175-90
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2016-5032192-73
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
1 1
기판 상에 게이트를 형성하는 단계;상기 기판 상에 상기 게이트를 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 산화물 반도체 활성층을 형성하는 단계; 상기 산화물 반도체 활성층 상에 자외선을 조사한 후 소스/드레인 전극 패턴에 대응하는 개구 패턴을 포함하는 소수성 자기조립단분자층을 형성하는 단계; 및상기 소수성 자기조립단분자층을 마스크로서 이용하여 상기 개구 패턴을 통하여 상기 산화물 반도체 활성층 상에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 박막트랜지스터의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 소수성 자기조립단분자층은 PFS(Perfluorodecyltrichlorosilane), OTS(Octadecyltrichlorosilane), OTMS(Octadecyltrimethoxysilane), HDT(1-Hexadecanethiol), FDTS((Heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyl)trichlorosilane), FOTS(1H,1H,2H,2H-perfluorodecyltrichlorosilne-perfluorodecyltrichlorosilane), PFBT (Pentafluorobenzenethiol) 및 DDMS (Dichlorodimethylsilane)로부터 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 박막트랜지스터의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 산화물 반도체 활성층 상에 상기 소수성 자기조립단분자층을 형성하는 단계는 미세접촉 인쇄 방법(micro-contact printing method)에 의하여 수행되는 것인, 박막트랜지스터의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 산화물 반도체 활성층은 ZnMgO, ZnBeO, In2O3, InZnO, InSnO, FSnO, ZnO 및 a-InGaZnO으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 박막트랜지스터의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 산화물 반도체 활성층은 물리기상증착 (physical vapor deposition, PVD) 방법 또는 용액법 (solution process)으로 형성되는 것인, 박막트랜지스터의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 소스/드레인 전극은 화학기상증착법에 의하여 형성되는 것인, 박막트랜지스터의 제조 방법
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부/한국과학재단 국민대학교산학협력단 우수연구센터사업 자기조립소재공정 우수 연구 센터